国家高技术研究发展计划(2007AA03Z404)

作品数：7被引量：4H指数：1
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真空退火对ZnMnO：N物理特性影响的研究
《中国科学：物理学、力学、天文学》2012年第5期498-504,共7页孙霞 吴孔平 顾书林 黄时敏 朱顺明 
国家自然科学基金(批准号:60990312,61025020);国家高技术研究发展计划(编号:2007AA03Z404);安徽省自然科学基金(编号:12080850F116)资助项目
利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石上外延了Mn-N共掺ZnO薄膜,同时,将得到的ZnMnO:N样品分别在700,900和1100°C的温度下进行真空退火处理.X射线衍射(XRD)显示真空退火使薄膜样品的晶格质量变差,但样品都具有良好的单轴取...
关键词：稀磁半导体  磁化  第一性原理 Mn-N共掺ZnO 
非故意掺杂碳对ZnMnO:N磁性影响的实验与理论研究
《物理学报》2012年第5期439-444,共6页吴孔平 顾书林 朱顺明 黄友锐 周孟然 
国家自然科学基金(批准号:60990312;61025020);国家高技术研究发展计划(批准号:2007AA03Z404)资助的课题~~
利用金属有机源化学气相沉积技术,通过改变受主掺杂源和导入氢气并提高生长压力来逐步抑制C的办法,在蓝宝石上外延了Mn,N共掺ZnO薄膜.X射线衍射显示所有样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的Raman光谱中C元素相关的振动模明显消失.同...
关键词：稀磁半导体 铁磁性 第一性原理 Mn-N共掺ZnO 
ZnMgO生长中压强和衬底对薄膜性质的影响被引量：2
《发光学报》2011年第5期482-486,共5页陈慧 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;50532100);国家"863"计划(2007AA03Z404)资助项目
利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire(Al_2O_3)和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结果表明,衬底和生长压强对ZnMgO薄膜的生长有重要影响。5...
关键词：ZNMGO薄膜 衬底 生长压强 
p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期341-344,共4页汤琨 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"项目基金(2006CB921803);国家"863"项目基金(2007AA03Z404)
通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意...
关键词：氧化锌 金属有机物化学气相沉积 P型 氮掺杂 
Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
《半导体技术》2008年第S1期345-348,共4页吴孔平 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"项目基金(2006CB921803);国家"863"项目基金(2007AA03Z404)
研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流子浓度出现一个最大值,然后随着Ga的掺杂量增大而下降,反映了...
关键词：氧化锌 化合物半导体 稀磁半导体 半金属 
O_2流量对ZnO薄膜生长及性质的影响
《半导体技术》2008年第S1期349-352,共4页周茂峰 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目2006CB921803);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
讨论了MOCVD生长ZnO薄膜各种性质随氧流量的变化规律。固定锌源(DEZn)流量改变氧源(O2)流量,采用低压MOCVD在石英衬底上生长一组ZnO薄膜样品。由厚度测量、Raman散射、XRD表征表明,随O2流量增加,ZnO薄膜生长速率先提高后降低,碳杂质有...
关键词：氧化锌薄膜 金属有机物化学气相淀积 氧气流量 锌源 
Zn_(1-x)Mg_xO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
《半导体技术》2008年第S1期353-356,共4页单正平 顾书林 朱顺明 
国家自然科学基金(60776013;60576017;50532100);国家"973"重点基础研究项目(2006CB921803);国家"863"高技术研究发展计划(2007AA03Z404)
以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/蓝宝石为衬底,制备MSM结构的紫外探测器,在特...
关键词：MOCVD ZNMGO 紫外探测器 
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