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国家自然科学基金(60221502): 作品数：31被引量：87H指数：5; 导出分析报告; 相关作者：褚君浩郭少令周文政商丽燕桂永胜更多>>; 相关机构：中国科学院兰州大学华东师范大学上海师范大学更多>>; 相关期刊：《物理学报》《物理》《人工晶体学报》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》更多>>; 相关主题：二维电子气分子束外延英文IN0HGCDTE更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

Temperature dependence of photoluminescence property in BaIn_2O_4: 《Chinese Optics Letters》2011年第1期72-74,共3页邓惠勇王奇伟任平吴杰陶俊超陈鑫戴宁; supported by the National "973" Program of China (No.2010CB933700);the National Natural Science Foundation of China (Nos.10804117 and 60221502);the Shanghai Natural Science Foundation(No.08ZR1421900);the Knowledge Innovation Program of the Chinese Academy of Sciences; The temperature-dependent photoluminescence （PL） spectra of Baln204, prepared by coprecipitation, are measured and discussed. Aside from the reported 3.02-eV violet emission, the 1.81-eV yellow emission in- volved w...; 关键词：In BA Temperature dependence of photoluminescence property in BaIn2O4

LB法制备的P(VDF-TrFE)共聚物薄膜其光学和电学特性研究(英文)被引量：1: 《红外与毫米波学报》2010年第6期406-409,456,共5页王建禄孟祥建高艳卿黄志明沈宏孙璟兰褚君浩; National Natural Science Foundation of China(60221502,60777044,60771057);Natural Science Foundation of Shanghai(07JC14018,07ZR14129); 运用郎缪尔-布尔吉特法在聚酰亚胺衬底上制备聚偏氟乙烯及三氟乙烯（P（VDF-TrFE））共聚物薄膜.不同厚度薄膜的X射线衍射结果表明,薄膜具有良好的结晶特性,取向为（110）.运用波长范围为300-1300nm的椭圆偏振光谱仪对薄膜光学特性进行...; 关键词：LB技术 P(VDF-TrFE)薄膜椭圆偏振光谱电学特性

朗缪尔铁电聚合物薄膜的电学特性:高热释电系数和低介电常数(英文): 《红外与毫米波学报》2009年第6期401-404,409,共5页刘浦锋王建禄田莉孟祥建褚君浩; National Natural Science Foundation of China(60221502,60777044,60771057);Natural Science Foundation of Shanghai(07JC14018,07ZR14129); 研究了利用朗缪尔技术(LB)生长在柔性基底上的聚偏氟乙烯和三氟乙烯的共聚物(P(VDF-TrFE))薄膜的电学性质.通过测量相对介电常数和热释电系数,发现薄膜在室温1kHz时的优值因子达到1.4 Pa-1/2.这表明利用LB技术生长的P(VDF-TrFE)薄膜是...; 关键词：铁电共聚物薄膜朗缪尔薄膜优值因子

PbZr_xTi_(1-x)O_3多层膜中与极性缺陷复合体相关的介电驰豫(英文): 《红外与毫米波学报》2009年第5期321-324,329,共5页胡古今张婷孙璟兰朱大明褚君浩戴宁; Supported by National Natural Science Foundation of China (Grants No.60578058, 10774154 and 60221502);Knowledge Innovation Program of Chinese Academy of Sciences;Shanghai City Committee of Science and Technology in China (Grants No.08JC1420900 and 0452nm085); 研究了由致密PbZr0.38Ti0.62O3和多孔PbZr0.38Ti0.62O3膜层交替排列组成的多层膜在温度为420K时的介电行为.在102～106Hz的频率范围,观测到两种截然不同的介电驰豫.位于低频区的介电损耗峰归因于空间电荷极化.通过俄歇电子谱和电子顺磁...; 关键词：PbZr0.38Ti0.62O3多层膜极性缺陷复合体介电驰豫

碲镉汞富碲垂直液相外延技术被引量：3: 《红外与毫米波学报》2009年第5期325-329,共5页杨建荣张传杰方维政魏彦锋刘从峰孙士文陈晓静徐庆庆顾仁杰陈新强; 国家自然科学基金创新群体资助项目(60221502); 研究了碲镉汞富碲垂直液相外延技术.在研究该关键技术的过程中,提出了一种方法以检查外延前(Hg1-xCdx)1-yTey母液的均匀性.并且,通过减小生长腔体中的自由空间,对气体的对流和汞回流进行了抑制,及通过改进工艺过程中的温度控制方式来应...; 关键词：半导体技术碲镉汞外延材料液相外延垂直浸渍外延

Development of an infrared detector: Quantum well infrared photodetector被引量：1: 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》2009年第7期969-977,共9页LU Wei LI Ling ZHENG HongLou XU WenLan XIONG DaYuan; Supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10474020, 10734090, and 60221502);the Key Program of Basic Research of China (Grant No 2004CB619004); The progress in the quantum well infrared photo-detector (QWIP) based on quantum confinement in semiconductor in recent 10 years has been reviewed. The differences between QWIP and the HgCdTe (HCT) infrared detector a...; 关键词：INFRARED photoelectronics QWIP PROGRESS DEVELOPMENT TREND

红外光电子学中的新族--量子阱红外探测器被引量：14: 《中国科学（G辑）》2009年第3期336-343,共8页陆卫李宁甄红楼徐文兰熊大元; 国家自然科学基金(批准号:10474020,10734090,60221502);国家重点基础研究发展规划(编号:2004CB619004)资助项目; 回顾了近10年基于半导体中量子限制效应红外探测器的进展.主要关注的是二维限制结构,即量子阱结构,形成的区别与传统红外光子探测的子带跃迁机理.在红外光电子领域作为新族的量子阱红外探测器(quantum well infrared photo-detector,QW...; 关键词：红外光电子学量子阱红外探测器研究进展发展趋势

0.7Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.3PbTiO_3薄膜中自极化效应诱导的稳定热释电系数(英文)被引量：2: 《红外与激光工程》2009年第6期961-965,1019,共6页孟祥建韩莉孙璟兰褚君浩; 国家自然科学基金委创新群体项目(60221502);国家自然科学基金面上项目(60777044,60771057);上海市自然基金项目(09JC1415800); 采用sol-gel方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.3PbTiO3,并研究了其铁电和热释电性质。X射线衍射结果表明薄膜具有高度的(111)择优取向。结果显示,在没有任何极化处理情况下,薄膜具有稳定的热释电系数,达到1.58×10...; 关键词：铁电热释电弛豫铁电体自极化

锆钛酸铅双层膜的铁电及光学特性研究被引量：4: 《物理学报》2008年第9期5968-5972,共5页赵晓英刘世建褚君浩戴宁胡古今; 国家自然科学基金(批准号:60578058,10774154和60221502);国家杰出青年基金(批准号:60225004)资助的课题~~; 采用化学溶液沉积法在LaNiO3涂布的硅晶片上制备了高度(100)择优取向,表面均匀、平整、致密无裂纹的PbZr0.5Ti0.5O3/PbZr0.4Ti0.6O3双层膜.双层膜具有单一的钙钛矿相,同时拥有良好的铁电性能,剩余极化强度高达64μC/cm2,平均矫顽场仅为4...; 关键词：铁电薄膜平板光波导锆钛酸铅棱镜-薄膜耦合

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的正磁电阻效应: 《物理学报》2008年第8期5232-5236,共5页商丽燕林铁周文政李东临高宏玲曾一平郭少令俞国林褚君浩; 国家自然科学基金(批准号:60221502);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB924901)资助的课题~~; 在低温强磁场条件下,对In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中的二维电子气进行了磁输运测试.在低磁场范围内观察到正磁电阻效应,在高磁场下这一正磁电阻趋于饱和,分析表明这一现象与二维电子气中的电子占据两个子带有关.在考虑了两个...; 关键词：二维电子气正磁电阻子带散射

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