国家中长期科技发展规划重大专项(2009ZX02308)

作品数：92被引量：185H指数：7
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相关作者：刘玉岭王辰伟牛新环闫辰奇孙鸣更多>>
相关机构：河北工业大学河北联合大学天津职业技术师范大学华北理工大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《微纳电子技术》《光电子．激光》《中国表面工程》更多>>
相关主题：CMP化学机械抛光去除速率化学机械平坦化抛光液更多>>
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活化过硫酸钾氧化法对提高钌CMP去除速率的作用被引量：1
《电镀与涂饰》2020年第23期1667-1670,共4页王超 周建伟 王辰伟 张雪 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)。
针对Cu互连集成电路中新型阻挡层金属材料钌(Ru)在化学机械抛光(CMP)中去除速率低的问题,在SiO2–KIO4体系抛光液中研究了硫酸钾(K2SO4)、硝酸钾(KNO3)和过硫酸钾(K2S2O8)对钌去除速率的影响。结果表明,在钾离子浓度相同的条件下,3种钾...
关键词：钌 化学机械抛光 过硫酸钾 去除速率 表面粗糙度 
集成电路铜互连钌阻挡层异质材料去除选择性的研究被引量：3
《电镀与涂饰》2020年第1期49-53,共5页王子艳 周建伟 王辰伟 张佳洁 张雪 王超 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
针对集成电路铜互连钌阻挡层异质材料(包括Cu、Ru、TEOS)在化学机械抛光(CMP)中选择性差的问题,在SiO_(2)-H_(2)O_(2)体系抛光液中研究了(NH_(4))_(2)SO_(4)和2,2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇(TT)对Cu、Ru、TEOS去除速率...
关键词：铜 钌 二氧化硅 化学机械抛光 硫酸铵 2 2′{[(甲基1H苯并三唑1基)甲基]亚氨基}双乙醇 
氧化剂对铝栅化学机械抛光的影响被引量：1
《电镀与精饰》2020年第1期18-21,共4页张金 刘玉岭 闫辰奇 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);唐山市科技计划项目(17110225a);唐山学院博士创新基金资助项目(tsxybc201805);唐山师范学院博士基金项目(2018A02);唐山市科技计划应用基础研究项目(18130231a)。
氧化剂作为抛光液的组成成分,在铝栅化学机械抛光(CMP)中起到直接影响去除速率和表面粗糙度的重要作用。本文研究了氧化剂浓度对去除速率、表面粗糙度、电化学特性的影响,采用原子力显微镜和CHI600E电化学工作站,分别测量了材料的表面...
关键词：CMP 去除速率 铝栅 表面粗糙度 氧化剂 
非离子表面活性剂对铝栅化学机械平坦化的影响被引量：2
《电镀与涂饰》2019年第17期919-921,共3页张金 刘玉岭 闫辰奇 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);唐山市科技计划项目(17110225a);唐山学院博士创新基金资助项目(tsxybc201805);唐山师范学院博士基金项目(2018A02);唐山市科技计划应用基础研究项目(18130231a)
采用由5%(体积分数,下同)硅溶胶磨料、4%H2O2、1%FA/O型螯合剂和0.0%~2.5%多元胺醇型非离子表面活性剂组成的抛光液对铝栅表面进行化学机械平坦化处理。工艺条件为:工作压力13.79 kPa,抛头转速55 r/min,抛盘转速65 r/min,抛光液流量150 ...
关键词：铝栅 化学机械平坦化 多元胺醇型非离子表面活性剂 去除速率 表面粗糙度 润湿性 
基于正交实验法的Cu/Ta/TEOS碱性抛光液的优化被引量：5
《微纳电子技术》2019年第2期157-166,共10页徐奕 刘玉岭 王辰伟 马腾达 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
研究了碱性阻挡层抛光液中各组分对Cu、Ta和正硅酸乙酯(TEOS)去除速率的影响。通过单因素实验分别考察了磨料、FA/OⅡ螯合剂、KNO3和FA/OⅡ表面活性剂质量分数和H2O2体积分数对Cu、Ta和TEOS去除速率的影响,再结合正交实验研发了磨料质...
关键词：Cu/Ta/TEOS 去除速率 碱性阻挡层 抛光液 单因素实验 正交试验 
阳离子型与非离子型表面活性剂的复配对阻挡层化学机械抛光的影响被引量：5
《电镀与涂饰》2018年第24期1119-1122,共4页王建超 刘玉岭 牛新环 杨盛华 张凯 周佳凯 张辉辉 
河北省研究生创新资助项目(220056);国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金(F2015202267);国家自然科学基金(61504037)
通过化学机械抛光(CMP)对铜晶圆表面进行平坦化处理,研究了碱性抛光液中阳离子型表面活性剂FAOA和非离子型表面活性剂AEO复配对表面缺陷去除效果的影响。结果显示:抛光液中加入3～10 mL/L FAOA后,晶圆表面缺陷数量从大于30 000个降到1 ...
关键词：铜晶圆 阻挡层 化学机械抛光 表面活性剂 复配 
双氧水稳定剂对碱性铜膜抛光液稳定性的影响被引量：1
《微纳电子技术》2018年第11期840-843,854,共5页王建超 刘玉岭 牛新环 张凯 
国家自然科学基金资助项目(61504037);国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省研究生创新资助项目(220056)
化学机械抛光（CMP）是多层铜布线的关键技术之一。随着集成电路的发展,碱性抛光液将逐渐成为研究热点。而双氧水作为抛光液中最常用的氧化剂,其最大问题是导致抛光液不稳定。在此基础上研究了双氧水稳定剂（聚天冬氨酸钾（PASP））对...
关键词：铜 化学机械抛光(CMP) 双氧水 稳定剂 去除速率 
高碘酸钾和双氧水对Cu,Ru和TaN去除速率影响的对比被引量：2
《微纳电子技术》2018年第11期849-854,共6页王庆伟 周建伟 王辰伟 王子艳 张佳洁 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)
Ru/TaN双分子层已经逐渐成为替代传统双分子阻挡层Ta/TaN的最佳选择,而在不同氧化体系中针对Cu,Ru和TaN三种金属去除速率的研究并不多。分别在H_2O_2和KIO_4两种氧化体系中,通过化学机械抛光（CMP）和电化学研究了Cu,Ru和TaN的去除速率...
关键词：钌(Ru) 氮化钽(TaN) 化学机械抛光(CMP) 双氧水 去除速率 
KIO_4抛光液中盐酸胍对铜钌CMP的影响被引量：3
《微电子学》2018年第2期280-284,共5页杜义琛 王辰伟 周建伟 张文倩 季军 何彦刚 罗超 
国家中长期科技发展规划02科技重大专项资助项目(2009ZX02308);河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267);河北省研究生创新资助项目(220056)
使用高碘酸钾为氧化剂,在工作压力为10.34kPa、抛光头转速为87r/min、抛光盘转速为93r/min、流量为300mL/min的条件下,研究不同浓度的盐酸胍(GH)对铜钌CMP的影响。电化学和AFM表面形貌图被用来对Ru和Cu表面的化学机理进行分析。实验结...
关键词：高碘酸钾 盐酸胍 CMP 电化学 抛光液 
抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响被引量：1
《微纳电子技术》2017年第10期715-719,共5页江自超 刘玉岭 王辰伟 张凯 
国家中长期科技发展规划重大专项资助项目(2009ZX02308);集成电路碱性抛光液与清洗液的研发资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省自然科学基金青年基金资助项目(F2015202267);天津市自然科学基金资助项目(16JCYBJC16100);河北工业大学优秀青年科技创新基金资助项目(2015007)
针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(...
关键词：抛光垫 使用寿命 实时表面形貌控制(RTPC)技术 平均去除速率一致性 同步在线修整 
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