陕西省自然科学基金(2010JQ8008)

作品数：19被引量：23H指数：3
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相关期刊：《电子器件》《西安电子科技大学学报》《物理学报》《中国科学：物理学、力学、天文学》更多>>
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应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型被引量：1
《物理学报》2014年第1期294-299,共6页周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决...
关键词：应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管 电荷模型 平滑函数 
应变Si NMOSFET漏电流解析模型被引量：2
《物理学报》2013年第23期300-307,共8页周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 李妤晨 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET漏电流解析模型.该模型采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET漏电流及其导数,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.同时考虑了载流子速度...
关键词：应变SI NMOSFET 漏电流 解析模型 
应变Si/(101)Si_xGe_(1-x)空穴迁移率被引量：1
《西安电子科技大学学报》2013年第3期121-125,共5页赵丽霞 张鹤鸣 戴显英 宣荣喜 
教育部博士点基金资助项目(JY0300122503);中央高校基本业务费资助项目(K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2010JQ8008)
采用kp微扰理论,基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,对(101)晶面双轴应变Si材料应力致迁移率增强机理进行了系统深入的研究.结果表明:双轴应变Si(101)材料高对称晶向空穴迁移率在应力作用下均有明显增强,其空穴统观迁移率...
关键词：应变SI 各向异性 迁移率 
应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型被引量：2
《物理学报》2013年第7期377-384,共8页周春宇 张鹤鸣 胡辉勇 庄奕琪 舒斌 王斌 王冠宇 
教育部博士点基金(批准号:JY0300122503);中央高校基本业务费(批准号:K5051225014;K5051225004);陕西省自然科学基金(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文采用渐变沟道近似和准二维分析的方法,通过求解泊松方程,建立了应变Si NMOSFET阈值电压集约物理模型.模型同时研究了短沟道,窄沟道,非均匀掺杂,漏致势垒降低等物理效应对阈值电压的影响.采用参数提取软件提取了阈值电压相关参数,通...
关键词：应变SI NMOSFET 阈值电压 集约物理模型 
应变Si NMOS积累区电容特性研究
《物理学报》2013年第5期369-374,共6页王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿 
国家部委项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
积累区MOS电容线性度高且不受频率限制,具有反型区MOS电容不可比拟的优势.本文在研究应变Si NMOS电容C-V特性中台阶效应形成机理的基础上,通过求解电荷分布,建立了应变Si/SiGe NMOS积累区电容模型,并与实验结果进行了对比,验证了模型的...
关键词：应变SI NMOS 积累区电容 台阶效应 电荷分布 
应变Si1-xGex(100)电子散射几率被引量：2
《西安电子科技大学学报》2012年第3期86-89,105,共5页赵丽霞 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 
国家部委资助项目(51308040203,6139801);中央高校基本科研业务费资助项目(72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2010JQ8008)
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论,针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制,研究了应变Si1-xGex/(100)Si材料电子散射几率与应力及能量的关系.结果表明:在应力的作用下,应变Si1-xGex/(100)Si材料声学声子及f2...
关键词：应变Si1-xGex 电子 散射 
单轴应变Si导带色散关系解析模型
《物理学报》2012年第9期401-408,共8页王冠宇 宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 马建立 王晓艳 
国家部委项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文基于k·p理论框架,分析了单轴应力对导带能带结构的影响,详细讨论了剪切应力作用下布里渊区边界X点处△1和△2,能带之间的耦合作用及其对导带能谷极小值的改变,由此进一步给出了能谷极值点附近的色散关系.最后通过不同能谷之间的坐...
关键词：单轴应力 应变Si k.p理论 色散关系 
Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应管栅耗尽模型研究
《物理学报》2012年第10期376-383,共8页胡辉勇 雷帅 张鹤鸣 宋建军 宣荣喜 舒斌 王斌 
中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(批准号:2010JQ8008);预研基金(批准号:9140C090303110C0904)资助的课题~~
基于对Poly-Si_(1-x)Ge_x栅功函数的分析,通过求解Poisson方程,获得了Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变SiN型金属-氧化物-半导体场效应器件(NMOSFET)垂直电势与电场分布模型.在此基础上,建立了考虑栅耗尽的Poly-Si_(1-x)Ge_x栅应变Si NMOSFET的...
关键词：Poly-Si_1-xGe_x 应变SI 栅耗尽 阈值电压 
四方晶系应变Si空穴散射机制被引量：2
《物理学报》2012年第5期422-427,共6页宋建军 张鹤鸣 胡辉勇 王晓艳 王冠宇 
中央高校基本科研业务费(批准号:72105499,72104089);陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2010JQ8008)~~
基于Fermi黄金法则及Boltzmann方程碰撞项近似理论,推导建立了(001)弛豫Si(_1-x)Ge_x衬底外延四方晶系应变Si空穴散射几率与应力及能量的理论关系模型,包括离化杂质、声学声子、非极性光学声子及总散射概率(能量40 meV时)模型.结果表明:...
关键词：应变SI 散射概率 迁移率 
单轴、双轴应变Si拉曼谱应力模型被引量：1
《物理学报》2012年第4期407-413,共7页王程 王冠宇 张鹤鸣 宋建军 杨晨东 毛逸飞 李永茂 胡辉勇 宣荣喜 
国家部委资助项目(批准号:51308040203;6139801);中央高校基本科研业务费(批准号:72105499;72104089);陕西省自然科学基础研究计划项目(批准号:2010JQ8008)资助的课题~~
本文依据拉曼光谱原理,基于Secular方程及拉曼选择定则分别获得了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料应变张量与拉曼谱线移动的定量关系,并在此基础上,基于广义胡克定律最终建立了单轴、双轴(001),(101),(111)应变Si材料拉曼谱峰与...
关键词：应变SI 拉曼 应力 
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