国家高技术研究发展计划(2002AA1Z1580)

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A High Performance 0.18μm RF nMOSFET with 53GHz Cutoff Frequency
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1343-1346,共4页杨荣 李俊峰 徐秋霞 海潮和 韩郑生 钱鹤 
国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA1Z1580);国家自然科学基金(批准号:60576051)资助项目~~
This paper presents the fabrication and performance of a 0.18μm nMOSFET for RF applications. This device features a nitrided oxide/poly-silicon gate stack, a lightly-doped-drain source/drain extension, a retrograde c...
关键词：STRUCTURE PROCESS radio frequency NMOSFET 
改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀
《固体电子学研究与进展》2006年第3期389-393,共5页杨荣 李俊峰 钱鹤 
国家高技术研究与发展计划(863计划)资助(课题编号2002AA1Z1580)
提出了一种用于改善硅基螺旋电感品质因数的厚铝膜干法刻蚀技术;这种技术利用氧化硅和光刻胶双层复合掩模来掩蔽厚铝的干法刻蚀,完全兼容于CMOS工艺;应用于双层铝布线,实现了最大厚度达到6μm的顶层铝,显著地减小了螺旋电感的串联电阻,...
关键词：螺旋电感 品质因数 硅 铝 刻蚀 
A Novel Local-Dielectric-Thickening Technique for Performance Improvements of Spiral Inductors on Si Substrates
《Journal of Semiconductors》2005年第5期857-861,共5页杨荣 李俊峰 赵玉印 柴淑敏 韩郑生 钱鹤 
国家高技术研究与发展计划资助项目(批准号:2002AA1Z1580)~~
A novel local-dielectric-thickening technique i s presented for performance improvements of Si-based spiral inductors.This technique employs the processes of deposition,photolithography,and wet-etching,to locally thic...
关键词：SILICON INDUCTOR structure process quality factor self-resonant frequency 
一种新的SOI射频集成电路结构与工艺
《微电子学》2004年第5期569-571,共3页杨荣 李俊峰 钱鹤 韩郑生 
国家863高技术研究与发展项目(2002AA1Z1580)
　立足于与常规CMOS兼容的SOI工艺,提出了电子束/I线混合光刻制造SOI射频集成电路的集成结构和工艺方案。该方案只使用9块掩模版即完成了LDMOS、NMOS、电感、电容和电阻等元件的集成。经过对LDMOS、NMOS的工艺、器件的数值模拟和体硅衬...
关键词：SOI工艺 射频集成电路 LDMOS NMOS 掩模版 光刻 硅衬底 集成工艺 CMOS 有源 
0.25μm SOI RF nMOSFETs Depleted Partially
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1061-1065,共5页李俊峰 杨荣 赵玉印 柴淑敏 刘明 徐秋霞 钱鹤 
国家高技术研究与发展计划资助项目 (批准号 :2 0 0 2 AA1Z15 80)~~
Device structure and fabrication process of SOI nMOSFET depleted partially are p roposed for multi-gigahertz RF applications.Many advanced techniques for deep submiron MOSFETs are incorporated into the proposed devic...
关键词：STRUCTURE PROCESS simulation EXPERIMENT silicon on insulator radio frequency 
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