国家自然科学基金(69425002)

作品数：8被引量：33H指数：3
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p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究被引量：2
《红外与毫米波学报》2002年第2期91-94,共4页俞谦荣 杨建荣 黄根生 陈新强 夏义本 何力 
国家自然科学基金 (批准号 6942 5 0 0 2 )资助项目~~
利用SIMS和变温霍尔测量手段对 p型Hg0 .77Cd0 .2 3 Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究 .结果表明采用AgNO3 溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的 ,掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的 ...
关键词：霍尔测试 二次离子质谱 电学性质 银掺杂 红外探测器 P型碲镉汞 液相外延材料 AG掺杂 
采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究被引量：4
《红外与毫米波学报》2002年第1期23-27,共5页巫艳 于梅芳 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力 
国家自然科学基金 (批准号 6 942 5 0 0 2 );国家 86 3(批准号 86 3 30 7 16 10 )资助项目~~
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬...
关键词：分子束外延 Hg1-xCdxTe薄膜 位错密度 MBE 汞镉碲薄膜 ZnCdTe 锌镉碲化合物 红外焦平面探测器 生长条件 
分子束外延HgCdTe表面缺陷研究被引量：4
《红外与毫米波学报》2001年第6期406-410,共5页陈路 巫艳 于梅芳 王善力 乔怡敏 何力 
国家自然科学基金 (编号 6 942 5 0 0 2 )~~
采用 Ga As作为衬底研究了 Hg Cd Te MBE薄膜的表面缺陷 .借助 SEM分析了不同缺陷的成核机制 ,确定了获得良好表面形貌所需的最佳生长条件 .发现 Hg Cd Te外延生长条件、衬底表面处理等因素与外延层表面各种缺陷有关 .获得的外延层表面...
关键词：分子束外延 HGCDTE 表面缺陷 薄膜 汞 镉 碲 
Cd1-xZnxTe合金的退火研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》2001年第8期992-995,共4页魏彦锋 方维政 刘从峰 杨建荣 何力 王福建 王兴军 黄大鸣 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6942 5 0 0 2 )
用红外透射谱和喇曼散射谱研究了退火对 Cd1 - x Znx Te晶片中 Te沉淀的影响 .研究结果表明 ,红外透射谱只对大尺寸的 Te沉淀较为敏感 ,而喇曼散射谱却能够探测到样品中小尺寸的 Te沉淀 ,两者互为补充 .在 Cd气氛下对晶片进行退火处理 ...
关键词：CDZNTE 红外透射谱 喇曼散射 退火 
垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟被引量：11
《Journal of Semiconductors》2001年第7期853-859,共7页魏彦锋 方维政 张小平 杨建荣 何力 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :6942 5 0 0 2)
采用 Galerkin有限元算法 ,计算了垂直 Bridgman生长 Cd Te过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状 ,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响 .计算结果表明 ,较小的生长速率可以获得更为平坦的固液界面 ,适当增加结晶区...
关键词：CDTE 垂直Bridgman方法 有限元法 数值模拟 
HgCdTe分子束外延In掺杂研究被引量：4
《红外与毫米波学报》2001年第3期174-178,共5页巫艳 王善力 陈路 于梅芳 乔怡敏 何力 
中国科学院知识创新工程;国家自然科学基金 (编号 6 942 5 0 0 2 );国家高技术发展计划 (编号 86 3-30 7-16 -10 )资助项目
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在～ 3× 10 1 5 cm- ...
关键词：分子束外延 HGCDTE 掺杂 铟 红外焦平面阵列探测器 材料 
碲镉汞液相外延薄膜生长技术与性能被引量：2
《红外与毫米波学报》2000年第2期145-148,共4页黄根生 陈新强 杨建荣 何力 
国家自然科学基金!(编号 69425002)资助项目
用液相外延的方法在 Cd Zn Te衬底上生长 Hg1 - x Cdx Te材料 ,获得了表面形貌好 ,位错密度低 ,组份均匀的碲镉汞外延材料 ,生长工艺对材料的参数控制有较好的重复性 .外延材料经热处理后 ,材料的 P型和 N型电学参数都达到较好的水平 。
关键词：液相外延 组份 电学参数 碲镉汞 薄膜生长 
CdZnTe晶片中的Zn组分的研究被引量：4
《红外与毫米波学报》1999年第6期460-464,共5页黄根生 张小平 常勇 于福聚 杨建荣 何力 
国家自然科学基金!(编号69425002);山东大学晶体材料国家重点实验室资助
用X 射线双晶衍射、光致发光谱和红外透射光谱研究了CdZnTe 晶体中的Zn 的组分.研究表明透射光谱的Syllaios经验公式结果与X 射线双晶衍射和光致发光谱精确测量结果对比,偏差小于4% .透射光谱可以做为测量Zn
关键词：CDZNTE 光致发光谱 锌 晶片 半导体 
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