国家自然科学基金(60306003)

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SOI LIGBT抗闩锁效应的研究与进展
《微电子学》2011年第3期461-464,478,共5页苏步春 张海鹏 王德君 
国家自然科学基金资助项目(60306003);浙江省科技计划资助项目(2009C21G2040066)
概述了绝缘层上硅横向绝缘栅双极晶体管(SOI LIGBT)抗闩锁结构的改进历程,介绍了从早期改进的p阱深p+欧姆接触SOI LIGBT结构到后来的中间阴极SOI LIGBT、埋栅SOILIGBT、双沟道SOI LIGBT、槽栅阳极短路射频SOI LIGBT等改进结构;阐述了一...
关键词：绝缘层上硅 横向绝缘栅双极晶体管 闩锁效应 
TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟
《电子与封装》2011年第2期26-29,共4页张海鹏 李浩 刘国华 牛小燕 
国家自然科学基金资助(批准号:60306003);浙江省自然科学基金资助(批准号:y104599)
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积...
关键词：TFSOInLIGBT 漂移区表面 堆积状态 间接寿命 模型及模拟 
射频SOI LDMOS功率放大器设计与仿真
《电讯技术》2009年第3期43-46,共4页陈卫军 马里剑 张海鹏 余厉阳 吕韶义 
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(AA09Z239);国家自然科学基金资助项目(60306003);浙江省自然科学基金资助(Y104599)
简介了改进的绝缘层上硅横向扩散金属氧化物-半导体(SOI LDMOS)电路模型。根据改进的SOI LDMOS电路模型,采用射频仿真软件进行了射频功率放大器的设计与仿真。该射频功率放大器采用两级放大结构,采用了S参数设计方法和负载牵引方法设计...
关键词：射频功率放大器 SOI LDMOS 计算机辅助设计与仿真 负载牵引法 
理想情况下晶体中热缺陷产生复合理论的改进模型
《中国科技论文在线》2007年第4期296-299,共4页张海鹏 
国家自然科学基金(批准号:60306003);浙江省自然科学基金(批准号:y104599)
本文在理想情况下晶体中热缺陷产生复合经典理论的基础上,在描述正常格点原子形成间隙原子的过程中考虑晶体结构和晶格配位数对危险点数目的影响,依次修正晶体中危险点的数目与正常格点数目之比和单位时间内间隙原子的复合率,进而分别...
关键词：晶体学 改进的概率模型 危险点数目修正法 热缺陷的产生与复合 理想情况下 
DRT MC SOI LIGBT器件漂移区新结构的可实现性被引量：2
《电子器件》2006年第1期18-21,共4页张海鹏 邱晓军 胡晓萍 沈世龙 杨宝 岳亚富 
国家自然科学基金资助(60306003);浙江省自然科学基金资助(y104599)。
简介了减薄漂移区多沟道SOILIGBT结构雏形,根据先进VLSI工艺调研结果讨论了减薄漂移区新型微结构的可实现性,提出了可能实现的三种表面微结构及其工艺实现方法;指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题,有针对性地探讨了改进措施,并...
关键词：SOI LIGBT 减薄漂移区 新结构 可实现性 
EM NMOST和AM PMOST组合TF SOI CMOS非门下降时间的温度模型
《Journal of Semiconductors》2006年第z1期36-39,共4页张海鹏 魏同立 冯耀兰 汪沁 张正璠 
国家自然科学基金资助项目(批准号:69736020,60306003) Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Nos. 69736020,60306003)
详细介绍了EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门下降时间的温度电学模型建立过程.分别进行了27,100,150,250,250,300 ℃的非门瞬态特性实验.实验结果表明,EM NMOST和AM PMOST组合的TF SOI CMOS非门的下降时间随温度升高稍有增加,...
关键词：绝缘层上硅 CMOS 高温 模型 下降时间 
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