模拟集成电路国家重点实验室开放基金

作品数:127被引量:308H指数:8
导出分析报告
相关作者:张鹤鸣戴显英胡辉勇贾新章张静更多>>
相关机构:中国电子科技集团第二十四研究所西安电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所电子科技大学更多>>
相关期刊:《半导体技术》《核技术》《华南理工大学学报(自然科学版)》《电子学报》更多>>
相关主题:SIGESIGE_HBTHBT异质结双极晶体管SIGE/SI更多>>
相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
一种全MOS高精度基准电压源电路
《微电子学》2021年第5期627-631,共5页徐全坤 李儒章 王忠焰 杨潇雨 肖渝 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802011503)。
基于0.35μm CMOS工艺,设计了一种高精度基准电压源电路。采用全MOS管实现电路,避免使用大电阻以减小芯片面积。采用新型可变电阻方法,实现了精确补偿。采用两级式基准电压源,提高了电源抑制比。使用Cadence Virtuoso对该基准电压源进...
关键词:高精度基准 高电源抑制比 低功耗 预稳压电路 
基于0.13μm SiGe BJT工艺的25 GHz超宽带采样/保持电路被引量:4
《微电子学》2021年第4期461-465,共5页杨潇雨 王永禄 孙伟 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802180101)。
提出了一种基于0.13μm SiGe BJT工艺的超宽带采样/保持电路。采用辅助开关电路,优先对信号进行提前处理,提高了电路的线性度。采用全差分开环结构和多级级联输出缓冲器,有效减少了下垂率。在5 V电源电压和100 fF负载电容下,采用Cadence...
关键词:采样/保持电路 宽带 辅助开关 SiGe BJT工艺 
一种超宽带光电混合结构A/D转换器被引量:3
《微电子学》2021年第4期466-470,共5页蒋飞宇 朱璨 俞宙 付东兵 夏茜 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(9140C090112150C09042)。
现代宽带数字接收机对高性能模数转换器(ADC)的需求逐渐增大,而电子学ADC因载流子迁移速率限制无法实现超宽带直接数字采样。基于光子技术超宽带、超高速的特性,文章提出了一种光电混合结构的ADC技术。通过采用基于超短光脉冲的光学采...
关键词:光电混合结构ADC 光学采样 低时钟抖动 电学量化 
一种基于SiP的数字光收发微系统设计与验证被引量:4
《微电子学》2021年第4期517-521,共5页龚巧 杜浩铭 徐江 高煜寒 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(9140C090112150C09042)。
根据整机小型化需求,设计了一种数字光收发微系统。以系统级封装技术为基础,采用管壳与基板一体化陶瓷针栅阵列封装,对光收发系统所需的各类集成电路裸芯片、光器件和阻容等无源元件进行高密度集成。通过版图设计、信号完整性、电源完...
关键词:微系统 光收发器 SIP FPGA 裸芯片 
一种多电源域专用数字电路的静电失效分析及提升研究被引量:1
《微电子学》2021年第4期603-607,共5页钱玲莉 黄炜 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802031304)。
在静电放电(ESD)能力考核时,一种多电源域专用数字电路在人体模型(HBM)1 700 V时失效。通过HBM测试、激光束电阻异常侦测(OBIRCH)失效分析方法,定位出静电试验后失效位置。根据失效分析结果并结合理论分析,失效是静电二极管的反向静电...
关键词:专用数字电路 人体模型 激光束电阻异常侦测 静电能力 
基于g_(m)/I_(d)方法的Pipelined-SAR ADC高性能余量放大器设计
《微电子学》2021年第3期295-302,共8页饶晨光 肖瑞 桑庆华 邓红辉 
国家自然科学基金资助项目(61704043);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(6142802190506)。
基于g_(m)/I_(d)查找表方法,设计了一种用于14位100MS/s流水线逐次逼近寄存器模数转换器(Pipelined-SAR ADC)的余量放大器。该余量放大器采用高增益宽带宽的增益自举运算放大器(OTA)结构。该方法通过lookup函数查找器件直流工作点,克服...
关键词:g_(m)/I_(d)查找表 流水线逐次逼近寄存器模数转换器 增益自举运算放大器 最优化设计 
一种系统级封装的ESD保护技术被引量:4
《微电子学》2021年第2期211-215,共5页李搏 李健壮 干旭春 黄晓宗 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(614280204030317)。
介绍了一种系统级封装(SiP)的ESD保护技术。采用瞬态抑制二极管(TVS)构建合理的ESD电流泄放路径,实现了一种SiP的ESD保护电路。将片上核心芯片的抗ESD能力从HBM 2 000 V提升到8 000 V。SiP ESD保护技术相比片上ESD保护技术,抗ESD能力提...
关键词:ESD 系统级封装 瞬态抑制二极管 
一种新型低功耗加固SRAM存储单元被引量:2
《微电子学》2021年第2期157-162,共6页黄正峰 李雪筠 杨潇 戚昊琛 鲁迎春 王健安 倪天明 徐奇 
国家自然科学基金项目(61874156,61904001,61904047);模拟集成电路国家重点实验室基金项目(6142802200506)。
提出了一种抗辐射加固12T SRAM存储单元。采用NMOS管组成的堆栈结构降低功耗,利用单粒子翻转特性来减少敏感节点,获得了良好的可靠性和低功耗。Hspice仿真结果表明,该加固SRAM存储单元能够完全容忍单点翻转,容忍双点翻转比例为33.33%。...
关键词:抗辐射加固设计 存储单元 单粒子翻转 软错误 低功耗 
一种采用低阈值技术实现的高速采样保持电路被引量:1
《微电子学》2021年第2期168-172,共5页郭亮 曾涛 黄飞淋 雷郎成 苏晨 刘凡 刘伦才 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802010702)。
提出了一种采用低阈值技术实现的高速采样保持电路。采样保持电路采用电容翻转式架构,利用栅压自举开关技术提高了采样开关的线性度,通过下极板采样技术减小了电荷注入效应。提出的放大器与传统的套筒式共源共栅极放大器在电路结构上相...
关键词:采样保持电路 放大器 低阈值技术 
2.5D硅转接板关键电参数测试技术研究被引量:1
《微电子学》2021年第2期270-275,共6页刘玉奎 崔伟 毛儒焱 孙士 殷万军 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(6142802190502)。
硅转接板是3D IC中实现高密度集成的关键模块,获取其技术参数对微系统的设计至关重要。以实际研制的一种2.5D硅转接板为研究对象,对大马士革铜布线(Cu-RDL)、硅通孔(TSV)关键电参数的测试结构与测试方法进行了研究,并对TSV电参数测试结...
关键词:2.5D硅转接板 铜再布线 硅通孔 电阻测试 3D集成电路 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部