云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家重点基础研究发展计划(G2002CB311901)

国家重点基础研究发展计划(G2002CB311901): 作品数：33被引量：32H指数：3; 导出分析报告; 相关作者：张海英尹军舰张健李潇刘亮更多>>; 相关机构：中国科学院微电子研究所四川大学中国科学院更多>>; 相关期刊：《电子学报》《微电子学与计算机》《Science Bulletin》《物理学报》更多>>; 相关主题：GAASHEMTSMMICMHEMTINP更多>>; 相关领域：电子电信电气工程更多>>

数字控制振荡器的设计和顶层模型: 《微电子学》2011年第6期775-779,共5页田欢欢刘振宇谢小娟李志强吴茹菲张海英; 国家自然科学基金资助项目(60276021);国家重点基础研究发展计划资助项目(G2002CB311901); 采用0.18μm CMOS六层金属工艺,利用带中心抽头的对称螺旋电感和新型电容调谐阵列构成的LC谐振回路,设计并实现了一种低功耗低相位噪声的数字控制振荡器(DCO)。流片测试结果表明,相位噪声在1MHz偏移频率处为-119.77dBc/Hz。电路采用1.8...; 关键词：数字控制振荡器 LC谐振 LC振荡器仿真模型

全数字锁相环非数字模块仿真模型分析与建立被引量：2: 《微电子学与计算机》2011年第11期57-60,共4页田欢欢张海英; 国家自然科学基金项目(60276021);国家重点基础研究发展计划项目(G2002CB311901); 由于锁相环工作频率高,用SPICE对锁相环进行仿真,为了确保仿真精度,时间步长需要设的非常小,数据量大,仿真时间长.而在设计初期,往往并不需要很精确的结果.因此,为了提高全数字锁相环设计效率,有必要为其建立一个高效的仿真模型.在总结...; 关键词：振荡器全数字锁相环硬件描述语言仿真模型

一种高增益低噪声低功耗跨阻放大器设计与实现被引量：9: 《电子器件》2009年第3期566-569,共4页唐立田张海英黄清华李潇尹军舰; 国家自然科学基金资助(60276021);国家重点基础研究发展规划项目资助(G2002CB311901); 采用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种高增益、低噪声和低功耗跨阻放大器。针对某种实用的光电二极管,在寄生电容高达3pF的情况下,采用RGC输入、无反馈电阻的电路结构,合理实现了增益、带宽、噪声、动态范围以及低电源电压等指标...; 关键词：跨阻放大器 RGC结构等效输入噪声电流谱密度 0.18μm CMOS工艺

Power Characteristics of Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4)As HEMTs on GaAs Substrates with T-Shaped Gate: 《Journal of Semiconductors》2008年第12期2331-2334,共4页黎明张海英徐静波付晓君; supported by the State Key Development Programfor Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Programin Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences,(No.O6SB124004)~~; 200nm gate-length power InAlAs/InGaAs MHEMTs with T-shaped gate are characterized for DC, RF, and power performance. The MHEMTs show excellent DC output characteristics with an extrinsic transconductance of 510mS/ mm ...; 关键词：MHEMT INALAS/INGAAS power characteristics T-shaped gate

带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器被引量：1: 《电子学报》2008年第12期2454-2457,共4页李志强张健张海英; 国家重点基础研究规划资助项目(No.G2002CB311901); 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器。Balun采用集总一分布式结构，使其长度与常用2／4耦合线Balun相比缩小了11倍，大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸。混频器采...; 关键词：砷化镓基赝配高电子迁移率晶体管电阻性混频器小型化Balun 集总-分布式

200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography被引量：4: 《Chinese Science Bulletin》2008年第22期3585-3589,共5页XU JingBo ZHANG HaiYing WANG WenXin LIU Liang LI Ming FU XiaoJun NIU JieBin YE TianChun; the National Basic Research Program of China (Grant No. G2002CB311901);Equipment Advance Research Project (Grant No. 61501050401C);Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Dean Fund (Grant No. 06SB124004); GaAs-based metamorphic HEMTs (MHEMT) consist of GaAs substrates and InP-based epitaxial structure, and have the advantages of both InP HEMT's excellent performances and GaAs-based HEMT's mature processes. GaAs-based M...; 关键词：电子束 MHEMT 电流电子频率

An 8～20GHz Monolithic SPDT GaAs pin Diode Switch被引量：3: 《Journal of Semiconductors》2008年第10期1864-1867,共4页吴茹菲尹军舰刘会东张海英; 国家自然科学基金(批准号:10002909);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; Monolithic GaAs pin diode single pole double throw （SPDT） switches based on the fabrication technology of IMECAS are designed,fabricated,and tested. These SPDT switches achieve an insertion loss of 1.5dB,isolation o...; 关键词：X/Ku-band SPDT switches GAAS pin diodes

200nm Gate Length Metamorphic In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.6)Ga_(0.4) As HEMTs on GaAs Substrates with 110GHz f_T: 《Journal of Semiconductors》2008年第9期1679-1681,共3页黎明张海英徐静波付晓君; the State Key Development Program for Basic Research of China(No.G2002CB311901);the Equipment Investigation Program in Advance(No.61501050401C);the Dean Fund of the Institute of Microelectronics,Chinese Academy of Sciences(No.O6SB124004)~~; 200nm gate-length GaAs-based InAlAs/InGaAs MHEMTs are fabricated by MBE epitaxial material and EBL （electron beam lithography） technology. Ti/Pt/Au is evaporated to form gate metals. A T-shaped gate is produced usin...; 关键词：MHEMT INALAS/INGAAS electron beam lithography T-shaped gate

4～8GHz GaAs HBT单片双平衡混频器: 《电子器件》2008年第4期1120-1123,共4页张健张海英陈立强李志强陈普峰; 国家重点基础研究规划资助项目"新结构InP基HEMT器件和E/D型HEMT电路"(G2002CB311901)资助项目; 介绍了一种基于GaAs HBT的双平衡混频器。该混频器将射频、本振有源Balun集成其中,在RF和LO输入端分别采用不同的LC网络实现宽带的阻抗匹配。跨导级和开关单元之间采用交流耦合,并通过带宽扩展技术实现频带内的增益平坦。测量结果显示,...; 关键词：GAAS HBT 混频器阻抗匹配带宽扩展

Design of a 2.5GHz Low Phase-Noise LC-VCO in 0.35μm SiGe BiCMOS: 《Journal of Semiconductors》2008年第5期827-831,共5页张健陈立强李志强陈普峰张海英; 国家自然科学基金(批准号:60276021);国家重点基础研究发展规划(批准号:G2002CB311901)资助项目~~; This paper introduces a 2.5GHz low phase-noise cross-coupled LC-VCO realized in 0.35μm SiGe BiCMOS technology. The conventional definition of a VCO operating regime is revised from a new perspective. Analysis shows t...; 关键词：SiGe BiCMOS VCO INDUCTANCE phase noise

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