云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 国家高技术研究发展计划(2009AA03A198)

国家高技术研究发展计划(2009AA03A198): 作品数：11被引量：12H指数：2; 导出分析报告; 相关作者：张荣郑有炓谢自力修向前杨国锋更多>>; 相关机构：南京大学北京大学南京邮电大学南京大学扬州光电研究院更多>>; 相关期刊：《功能材料》《南京大学学报（自然科学版）》《半导体技术》《Chinese Physics B》更多>>; 相关主题：GANINGAN/GAN氮化镓深能级FE更多>>; 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

GaN纳米柱的量子效率研究: 《南京大学学报（自然科学版）》2014年第3期320-324,共5页李扬扬陈鹏蒋府龙杨国锋刘斌谢自立修向前韩平赵红华雪梅施毅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(61176063;60990311;60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178); 主要通过低温和室温变功率光致发光(PL)谱的实验手段,研究了GaN纳米柱和对应薄膜(作为参考)的量子效率表现.实验中发现在室温,激发光功率为0.5mW时,GaN纳米柱的积分PL强度是薄膜的12.2倍,这表明GaN纳米柱具有比薄膜更高的内量子效率和...; 关键词：GaN纳米柱光致发光(PL) 量子效率

Degradation behaviors of high power GaN-based blue light emitting diodes: 《Chinese Physics B》2013年第11期603-606,共4页钟灿涛于彤军颜建陈志忠张国义; Project supported by the National Basic Research Program of China(Grant Nos.2011CB301905 and 2013CB328705);the National High Technology Research and Development Program of China(Grant No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China(Grant Nos.61076012 and 61376012); The degradation mechanism of high power InGaN/GaN blue light emitting diodes （LEDs） is investigated in this paper. The LED samples were stressed at room temperature under 350-mA injection current for about 400 h. Th...; 关键词：light emitting diodes DEGRADATION rate equation

Fe/GaN、Fe_3N/GaN的生长及其性能研究被引量：2: 《功能材料》2012年第19期2647-2650,共4页陶志阔张荣陈琳修向前谢自力郑有炓; 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2011CB301900);国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03A198);国家自然科学基金资助项目(60990311;60820106003;608201060;60906025;60936004;61106009);江苏省自然科学基金资助项目(BK2008019;BK2009255;BK2010178;BK2010385); 应用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,在c轴取向的GaN上生长出Fe颗粒薄膜以及Fe3N薄膜。应用XRD、AFM、XPS以及SQUID等技术对薄膜的结构、表面形貌以及磁学性能等性质进行了分析,结果表明六方结构的GaN上生长的Fe为立方结构,且以Fe(1...; 关键词：自旋注入金属有机物化学气相沉积铁磁薄膜

AlGaN/GaN量子阱中子带的Rashba自旋劈裂和子带间自旋轨道耦合作用研究被引量：2: 《物理学报》2012年第2期393-399,共7页李明张荣刘斌傅德颐赵传阵谢自力修向前郑有炓; 国家自然科学基金(批准号:60990311,60721063,60906025,60936004);国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900);国家高技术研究发展计划(批准号:2009AA03A198);江苏省自然科学基金(批准号:BK2008019,BK2009255,BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助的课题~~; 首先把本征值方程投影到导带的子空间中,进而得到AlGaN/GaN量子阱中第一、二子带的Rashba自旋劈裂系数(α_1,α_2)和子带自自旋-轨道耦合系数η_(12).然后自恰求解薛定谔方程和泊松方程计算了不同栅压的量子阱中的α_1,α_2和η_(12),...; 关键词：Rashba自旋劈裂子带间自旋轨道耦合自恰计算二维电子气

图形化蓝宝石衬底上InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性研究被引量：2: 《光谱学与光谱分析》2012年第1期7-10,共4页颜建钟灿涛于彤军徐承龙陶岳彬张国义; 国家重点基础研究发展计划项目(2011CB301904,2011CB301905);国家高技术研究发展计划项目(2009AA03A198);国家自然科学基金项目(61076012,61076013)资助; 运用电致发光(EL)和光致发光(PL)实验,分析了图形化蓝宝石衬底(PSSLEDs)和常规平面蓝宝石衬底(C-LEDs)InGaN/GaN多量子阱发光二极管的光谱特性。对比EL谱,发现PSSLEDs拥有更强的光功率和更窄的半峰宽(FWHM),说明PSSLEDs具有较高的晶体...; 关键词：图形化蓝宝石衬底发光二极管峰值波长极化场 EFFICIENCY droop

宽带隙半导体材料光电性能的测试: 《半导体技术》2011年第11期817-820,共4页郭媛陈鹏孟庆芳于治国杨国锋张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(60990311;60721063;60906025;60936004;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金(2008001); 主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实验中发现多量子阱的光致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的额外的发光峰。在任何温度大功率激发...; 关键词：光致发光深能级自由激子束缚激子多量子阱蓝移

深能级对白光LED的电致发光和I-V特性的影响被引量：1: 《半导体技术》2011年第10期751-754,812,共5页孟庆芳陈鹏郭媛于治国杨国锋张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(60990311;60721063;60906025;60936004;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金(2008003); 为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量了相似结构的蓝光LED以作对比。实验发现白光LED的电致发光光谱中有一个与有源区中的深能级相关的较宽的...; 关键词：氮化镓深能级发光二极管(LED) 电致发光电流-电压特性

Gradual variation method for thick GaN heteroepitaxy by hydride vapour phase epitaxy被引量：2: 《Chinese Physics B》2011年第9期439-444,共6页杜彦浩吴洁君罗伟科 John Goldsmith 韩彤陶岳彬杨志坚于彤军张国义; Project supported by the National Basic Research Program of China (Grant No.2007CB307004);the National High Technology Research and Development Program of China (Grant No.2009AA03A198);the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos.60776041 61076012,60876063,and 60676032);the Science and Technology Fund of Beijing,China (Grant No.Z101103050410003); Two strain-state samples of GaN, labelled the strain-relief sample and the quality-improved sample, were grown by hydride vapour phase epitaxy （HVPE）, and then characterized by high-resolution X-ray diffraction, pho...; 关键词：GAN hydride vapour phase epitaxy HETEROEPITAXY

利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱被引量：1: 《半导体技术》2011年第6期417-420,442,共5页杨国锋陈鹏于治国刘斌谢自力修向前韩平赵红华雪梅张荣郑有炓; 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(60990311;60721063;60906025;60936004;60731160628;60820106003);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2010385;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金(200800X); 报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过...; 关键词：氮化镓镍纳米岛模板电感耦合等离子刻蚀半极性面氮化镓纳米柱

InGaN/GaN薄膜的阴极荧光研究被引量：1: 《稀有金属》2011年第5期719-724,共6页张曌陶涛刘炼谢自力刘斌张荣; 国家重点基础研究发展规划(2011CB301900);国家高技术研究发展规划(2009AA03A198);国家自然科学基金(60990311;60721063;60906025;60936004);江苏省自然科学基金(BK2008019;BK2009255;BK2010178);南京大学扬州光电研究院研发基金资助项目; 利用高性能阴极荧光(CL)联合分析系统结合场发射扫描电镜对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上实现的不同生长温度条件下InGaN/GaN薄膜材料进行测试分析。利用CL紫外可见光谱系统,对(0001)面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN薄膜进行阴极荧光单色...; 关键词：阴极荧光联合分析系统 InGaN薄膜材料 V坑 In富集区域

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