湖北省自然科学基金(2000J158)

作品数：8被引量：11H指数：2
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相关作者：徐静平钟德刚韩弼黎沛涛于军更多>>
相关机构：华中科技大学香港大学湘潭师范学院更多>>
相关期刊：《传感技术学报》《微电子学》《湘潭师范学院学报（自然科学版）》《电子元件与材料》更多>>
相关主题：气体传感器肖特基势垒二极管肖特基二极管SIC碳化硅更多>>
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新颖的氧化生长绝缘层的MISiC传感器特性研究被引量：1
《压电与声光》2006年第2期176-178,共3页韩弼 徐静平 李艳萍 陈卫兵 邹晓 李春霞 
湖北省自然科学基金资助项目(2000J158)
采用新颖的NO和O2+CHCCl3(TCE)氧化技术制备金属-绝缘-体SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的栅绝缘层,研究了传感器的响应特性。结果表明,传感器可快速的检测低浓度的氢气,NO氮化氧化改善了绝缘层的界面,TCE工艺降低了界面态...
关键词：金属-绝缘体-SiC(MISiC) 肖特基势垒二极管 气体传感器 
高性能Si基MOS肖特基二极管式氢气传感器研究被引量：4
《压电与声光》2004年第2期106-108,共3页钟德刚 徐静平 
湖北自然科学基金资助项目(2000J158)
报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术。实验结果显示,MOS肖特基二极管式气体传感器具有高的响应灵敏度和好的响应重复性,可以探测浓度约为10-6的氢气。因此,采用NO直接...
关键词：肖特基二极管 氢气传感器 氧化氮 氮化氧化物 
N_2O氧化制备MISiC氢传感器的响应特性分析被引量：2
《传感技术学报》2004年第2期285-288,共4页韩弼 徐静平 黎沛涛 李艳萍 
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ,对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ,N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器...
关键词：氮化氧化物 金属-绝缘体-SiC(MISiC) 肖特基势垒二极管 气体传感器 
MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟被引量：4
《传感技术学报》2004年第1期31-35,共5页徐静平 韩弼 黎沛涛 钟德刚 吴海平 
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8)
分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实...
关键词：MISiC 肖特基势垒二极管 气体传感器 SBD 
Pt/6H-SiC肖特基势垒二极管特性分析被引量：1
《微电子学》2003年第1期26-28,共3页钟德刚 徐静平 高俊雄 于军 
湖北省自然科学基金(2000J158)
　采用直流磁控溅射法、Pt作肖特基接触的工艺,制作了N型6H-SiC肖特基势垒二极管,对肖特基势垒二极管的电学特性及温度特性进行了研究。实验结果表明,该器件具有很好的整流特性,反向电流小、击穿电压高,且在高温下器件波动很小,能够稳...
关键词：碳化硅 6H—SiC肖特基势垒二极管 宽禁带半导体 肖特基势垒二极管 直流磁控溅射 碳化硅 
基于MATLAB的SiC肖特基二极管气体传感器模拟
《电子元件与材料》2002年第4期6-8,共3页钟德刚 徐静平 张旭 喻骞宇 刘志波 于军 
湖北省自然科学基金资助项目(2000J158)
提出了SiC-SBD气体传感器器件分析模型,利用当前流行的MATLAB强大的计算编程功能,模拟了SiC-SBD气体传感器的电流-电压特性,结果与实验数据吻合很好,较好地解释了Pd-SiC肖特基二极管比较灵敏的原因,并根据模拟结果提出了提高传感器灵敏...
关键词：碳化硅 肖特基二极管 气体传感器 MATLAB 模型 
MISiC肖特基二极管式气体传感器响应特性分析被引量：2
《华中科技大学学报（自然科学版）》2002年第3期89-91,共3页钟德刚 徐静平 黎沛涛 于军 
湖北省自然科学基金资助项目 (2 0 0 0J15 8);香港大学"TheinternalawardforCASmembership"资助项目
分析了金属 绝缘体 SiC (MISiC)结构肖特基二极管 (SBD)气体传感器敏感机理 ,通过将热电子发射理论与隧道理论结合 ,建立了器件物理模型 .模拟结果表明 ,响应特性与金属电极类型、绝缘层厚度、气体吸收效率和温度有关 .模拟结果与实...
关键词：MISiC 肖特基二极管式气体传感器 响应特性 敏感机理 金属-绝缘体-碳化硅结构 I-V特性 
用于VLSI的MOSiC器件电特性模拟
《湘潭师范学院学报（自然科学版）》2002年第1期26-29,共4页陈卫兵 钟德刚 徐静平 石迎生 余国义 
湖北省自然科学基金 (2 0 0 0J15 8)
在分析了金属 -氧化物 -SiC (MOSiC)器件物理模型的基础上 ,分析了界面等物理效应对器件的影响 ,建立了适于VLSI的MOSiC器件模型。利用当今流行的MATLAB软件 ,模拟了MOSiC器件的电特性。
关键词：VLSI MATLAB 金属-氧化物-碳化硅器件 MOSiC器件 电特性 界面特性 半导体器件 计算机模拟 
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