国家自然科学基金(60776056)

作品数：37被引量：77H指数：6
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高压退火气氛对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响
《微电子学》2018年第5期690-694,共5页李勇男 向超 殷波 潘东 汤猛 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(60776056)
利用椭圆偏振光谱仪和原子力显微镜,研究了相同温度下不同退火气氛及压强处理对溶液旋涂法制备a-IGZO光学特性和薄膜微观结构的影响。实验结果表明,当退火气氛为O_2时,压强由0.1MPa增加到1.5MPa,薄膜的光学带隙由3.23eV增大到3.31eV,表...
关键词：退火气氛 椭圆偏振光谱 溶液法 a-IGZO薄膜 
a-IGZO/IZO厚度比对TFT特性的影响研究
《微电子学》2018年第4期533-536,547,共5页潘东 向超 殷波 李勇男 汤猛 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(60776056)
利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块,对底栅结构的双有源层a-IGZO/IZO薄膜晶体管(TFT)进行了仿真与模拟,研究了双有源层厚度比对TFT特性的影响。结果表明,该TFT的特性与有源层的厚度比密切相关。在给定参数条件下,当有源层的厚度比为20...
关键词：a-IGZO a-IZO 双有源层 异质结 态密度 
溶液法制备IGZO/IZO薄膜的电学特性研究
《微电子学》2018年第4期537-541,554,共6页殷波 李勇男 潘东 汤猛 向超 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(60776056)
基于溶液旋涂法、高压退火工艺,制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO)薄膜、铟锌氧化物(IZO)薄膜和双层IGZO/IZO薄膜,研究了这些薄膜的电学特性。结果表明,在相同制作工艺下,IGZO单层薄膜的电流随外加恒流源时间的偏移不明显,而双层IGZO/IZO薄...
关键词：溶液法 退火 IGZO 界面态 
双层有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的仿真被引量：2
《固体电子学研究与进展》2017年第2期88-93,共6页彭云霞 潘东 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
采用SILVACO软件的ATLAS对双有源层非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管进行二维器件模拟,研究了在底栅顶接触的结构下,不同沟道厚度比的情况下的器件的电学特性。在IZO材料的厚度为5nm、IGZO材料的厚度为35nm时,器件的最佳开关电流比约为3.5×1...
关键词：非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管 器件模拟 态密度 
H_2O_2对溶液法制备a-IGZO薄膜光学特性的影响被引量：3
《液晶与显示》2016年第12期1124-1130,共7页汤猛 李勇男 殷波 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(No.60776056)~~
基于溶液旋涂法和高压退火工艺制备了a-IGZO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪以及原子力显微镜研究和分析了H_2O_2对薄膜的表面结构和光学特性的影响。实验结果表明,a-IGZO前驱液中不含H_2O_2的薄膜,退火温度从220℃升高到300℃,薄膜的光...
关键词：a-IGZO薄膜 H2O2溶液 椭圆偏振光谱 致密性 
DUV辅助高压退火对a-IGZO薄膜微结构及光学特性的影响被引量：4
《固体电子学研究与进展》2016年第2期165-170,共6页邹春晖 张婷 汤猛 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
利用原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪,研究了不同退火温度下深紫外(DUV)辅助高压处理对溶液旋涂法制备的非晶IGZO薄膜微观结构与光学特性的影响。实验结果表明,通过DUV辅助高压退火处理,当退火温度从210℃升高至300℃,薄膜的光学带隙由2.9...
关键词：非晶IGZO薄膜 溶液法 深紫外 椭圆偏振光谱 
溶剂沸点对旋涂Rubrene薄膜性能的影响
《微电子学》2016年第1期136-140,共5页韩先虎 钱峰 刘泉水 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(60776056)
研究了溶剂沸点对溶液法制备Rubrene薄膜特性的影响。使用苯甲醚、氯苯、甲苯和氯仿等溶剂旋涂制备了Rubrene薄膜,并使用椭偏仪对其光学参数进行研究,采用空间电荷限制电流法获得薄膜电学特性。当使用高沸点的苯甲醚作溶剂时,获得的Rubr...
关键词：RUBRENE 空间电荷限制电流 溶剂沸点 椭偏光谱 
水热处理对ZnO薄膜微结构及光学性能的影响
《材料科学与工程学报》2015年第4期570-575,共6页钱峰 刘泉水 韩先虎 钟传杰 
国家自然科学基金资助项目(60776056)
基于溶液工艺和水热处理制备了ZnO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪,原子力显微镜,X射线衍射仪研究和分析了水热处理温度对薄膜的微观形貌,光学特性,晶体结构的影响。实验结果表明,水热处理温度由110℃升高到130℃,薄膜光学带隙由3.19eV增...
关键词：ZNO薄膜 水热法 微观形貌 折射率 禁带宽度 
高性能双栅复合介质ZnO薄膜晶体管的模拟
《固体电子学研究与进展》2015年第2期115-119,共5页王昭 姚阳 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
提出ZnO薄膜晶体管的一种新型结构——双栅复合介质结构,并利用ATLAS软件对双栅复合介质结构与双栅单介质结构进行仿真。对比分析结果表明,采用复合介质材料可以明显提高器件的电学特性,在相同偏置条件下,双栅复合介质结构饱和电流为5.5...
关键词：氧化锌薄膜晶体管 双栅复合介质 晶粒间界 势垒高度 
溶剂蒸汽压对溶液法制备PVP绝缘膜的影响
《固体电子学研究与进展》2015年第2期202-206,共5页刘泉水 韩先虎 钱峰 钟传杰 
国家自然基金资助项目(60776056)
利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表...
关键词：超薄PVP膜 溶剂蒸汽辅助退火 溶剂蒸汽压 椭偏光谱 
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