国家自然科学基金(90201035)

作品数:19被引量:26H指数:3
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相关机构:北京邮电大学中国科学院教育部更多>>
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基于双吸收结构的谐振腔增强型光探测器被引量:3
《光电子.激光》2011年第7期972-975,共4页王伟 黄永清 段晓峰 颜强 蔡世伟 郭经纬 黄辉 任晓敏 
国家"973"计划资助项目(2010CB327600);国家"863"计划资助项目(2007AA03Z418);国家自然科学基金资助项目(61020106007);国家自然科学基金重大国际(地区)合作研究资助项目(90201035);高等学校学科创新引智计划资助项目(B07005)
为了实现对传统谐振腔增强型(RCE)光探测器的优化,提出了一种具有双吸收结构的RCE光探测器。首先从理论上分析了它的量子效率和高速响应特性,然后将其与传统的RCE光探测器进行了比较。结果表明,双吸收结构RCE光探测器在保持高速响应特...
关键词:光电子学 谐振腔增强型(RCE)光探测器 双吸收结构 量子效率 高速响应 
Growth of pure zinc blende p-type GaAs nanowires by metal-organic chemical vapor deposition
《Journal of Semiconductors》2011年第5期22-27,共6页李然 黄辉 任晓敏 郭经纬 刘小龙 黄永清 蔡世伟 
Project supported by the National Basic Research Program of China(No.2010CB327601);the Key International Cooperation Research Project of the National Natural Science Foundation of China(No.90201035);the Chinese Universities Scientific Fund(No. BUPT2009RC0410);the National Natural Science Foundation of China(No.61077049);the 111 Program of China(No.B07005).
Vertical p-type gallium arsenide (GaAs) nanowires with pure zinc blende structure were grown on GaAs (111) B substrate by metal-organic chemical vapor deposition via a Au-catalyst vapor-liquid-solid mechanism. The...
关键词:GaAs nanowire p-type doping metal organic chemical vapor position zinc-blende structure 
GaAs/InP低温晶片键合的研究
《半导体光电》2005年第6期512-514,共3页王兴妍 黄辉 王琦 任晓敏 黄永清 
国家"973"计划资助项目(2003CB314902);国家自然科学基金重点项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003);教育部重点资助项目(02028)
将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380℃)晶片键合。并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析。
关键词:键合 GAAS/INP I-V曲线 光致发光谱 
Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析被引量:4
《半导体光电》2005年第5期421-424,427,共5页陈斌 王兴妍 黄辉 黄永清 任晓敏 
国家"973"计划资助项目(2003CB314902);国家自然科学基金重点项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003)
利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果。最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理...
关键词:热应力 剥离应力 应变能 晶片键合 
InP基一镜斜置三镜腔型光电探测器理论分析及实验研究被引量:2
《中国激光》2005年第8期1045-1049,共5页王琦 黄辉 王兴妍 任爱光 武鹏 黄成 黄永清 任晓敏 
国家973计划(2003CB314901);国家863计划(2003AA312020;2003AA31g050);国家自然科学基金(90201035)资助项目。
介绍了一种新型长波长InP基一镜斜置三镜腔型(OMITMiC)光电探测器,并对其进行了数值模拟。介绍了该光电探测器的两项关键制备工艺。首先,利用动态掩膜湿法腐蚀技术,通过调节HCl∶HF∶CrO3腐蚀溶液的选择比,在与InP晶格匹配的In0.72Ga0.2...
关键词:光电子学 光电探测器 楔型结构 空气隙 
基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合
《Journal of Semiconductors》2005年第8期1667-1670,共4页黄辉 王兴妍 王琦 陈斌 黄永清 任晓敏 孙增辉 钟源 高俊华 马骁宇 陈弘达 陈良惠 
国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314902)资助项目~~
提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量...
关键词:晶片键合 GAAS INP 低温 硫化物 
HCl/HF/CrO_3溶液对InGaAs/InGaAsP的选择性湿法刻蚀——应用于楔形结构的制备
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1469-1474,共6页黄辉 王兴妍 任晓敏 王琦 黄永清 高俊华 马晓宇 
国家自然科学基金重大项目(批准号:90201035);国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA312020);国家重点基础研究发展计划(批准号:2003CB314901)资助项目~~
利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga...
关键词:半导体器件 制造工艺 楔形结构 动态掩膜湿法腐蚀技术 刻蚀 选择性湿法 HCl/HF/CrO3溶液 INGAASP INGAAS 
基于InP/空气隙DBR的长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器
《光通信技术》2005年第4期10-12,共3页王琦 黄成 任爱光 武鹏 黄永清 任晓敏 
国家重点基础研究发展计划项目(2003CB314901);国家自然科学基金重点资助项目(90201035);国家"863"计划资助项目(2003AA312020;2003AA31g050)
介绍了一种新型InP基长波长一镜斜置三镜腔型光电探测器,并利用传输矩阵方法对其进行数值模拟和理论分析。通过斜镜的引入,该探测器不仅消除了谐振腔增强型(RCE)光电探测器的量子效率与光谱响应线宽之间的制约关系,还能实现响应波长的...
关键词:光电探测器 InP/空气隙DBR 楔型结构 
冷光源检测晶片键合质量的实现被引量:1
《半导体技术》2005年第4期13-15,共3页马如兵 孙慧姝 陈斌 王琦 黄辉 黄永清 任晓敏 
国家重点基础研究发展计划资助项目(科技部973资助项目(2003CB314902);国家自然科学基金重点资助项目(90201035);国家自然科学基金重大研究计划项目(90104003)
利用红外透射原理,即根据键合晶片中键合部分可以透光而未键合部分几乎不能透光的原理,同时采用冷光源的独特方法构建了键合质量测试平台以用于初步筛选符合下一步工艺探索的高质量键合晶片。
关键词:晶片键合 红外透射 冷光源 
晶片表面几何特性对键合的影响
《Journal of Semiconductors》2005年第4期830-834,共5页陈斌 黄永清 任晓敏 
国家自然科学基金(批准号:90201035;90104003);国家重点基础研究发展规划(批准号:2003CB314902)资助项目~~
由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论.
关键词:晶片键合 表面能 吸附能 线性薄板理论 
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