国家自然科学基金(60071006)

作品数：19被引量：34H指数：4
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相关作者：薛成山孙振翠魏芹芹曹文田李怀祥更多>>
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相关期刊：《电子元件与材料》《Chinese Journal of Structural Chemistry》《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》《山东师范大学学报（自然科学版）》更多>>
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降低ZnS:Mn荧光粉电阻率的SnO_2:Sb薄膜包覆研究被引量：2
《山东师范大学学报（自然科学版）》2006年第3期67-69,共3页李怀祥 左相青 王安河 周宏伟 
国家自然科学基金(60071006);山东省自然科学基金(2002G11)资助项目
以ZnS(荧光纯)与MnCl2(分析纯)为原料通过固相反应法,高温烧结制成ZnS:Mn荧光粉.采用化学共沉淀法在ZnS:Mn荧光粉表面包覆上一层透明的SnO2:Sb薄膜来增加材料的导电性.用数字万用表和自制的测量盒测量了粉体的电阻.试验并讨论了包覆层...
关键词：ZnS:Mn荧光粉 固相反应 化学共沉淀 表面包覆 
ZnO∶Al包覆CaSiO_3∶(Pb,Mn)荧光粉(英文)
《硅酸盐学报》2006年第4期408-412,共5页赵婧 李怀祥 王安河 左相青 周宏伟 
国家自然科学基金(60071006);山东省自然科学基金(Y2002G11)资助项目。
利用溶液中的共沉淀反应制备了CaSiO3∶(Pb,Mn)红色光致荧光粉。以Zn(NO3)2·6H2O和AlCl3·6H2O为原料,借助CO(NH2)2水解反应,用化学均相共沉淀法和热处理工艺在荧光粉表面包覆一层ZnO∶Al透明导电薄膜。对包覆前后的样品进行了X射线衍...
关键词：硅酸钙荧光粉 表面包覆 导电包覆层 光致荧光 
CaSiO_3:Pb,Mn荧光粉的ZnO:Al包覆研究被引量：4
《物理化学学报》2006年第3期286-290,共5页赵婧 李怀祥 王安河 周宏伟 左相青 
国家自然科学基金(60071006);山东省自然科学基金(Y2002G11)资助项目
以Zn(NO3)·26H2O和AlCl3·6H2O为原料,借助CO(NH2)2的水解反应,采用化学均相共沉淀方法和热处理工艺,在自制CaSiO3∶Pb,Mn红色荧光粉表面包覆ZnO∶Al,形成透明导电层.运用数字万用表和自制测量盒对粉体的电阻率进行测量,比较了包覆率n(...
关键词：均相共沉淀法 表面包覆 光致发光 荧光粉 氧化锌 
溶胶-凝胶法制备无机纳米材料的研究现状被引量：8
《微纳电子技术》2005年第11期500-505,共6页赵婧 李怀祥 
国家自然科学基金资助项目(60071006);山东省自然科学基金资助项目(2002G11)
简述了溶胶鄄凝胶法制备无机纳米材料的工艺过程以及溶胶鄄凝胶法在无机纳米材料制备中的应用,尤其是在纳米微粒、纳米薄膜的制备及粉体的表面包覆等方面的应用。分析了溶胶鄄凝胶工艺中的各种影响因素,并指出了今后溶胶鄄凝胶法的研究...
关键词：溶胶-凝胶法 纳米材料 表面包覆 
方波脉冲电沉积氧化锌薄膜的研究被引量：2
《山东师范大学学报（自然科学版）》2005年第2期48-50,共3页李怀祥 赵婧 王瑞华 
国家自然科学基金(60071006);山东省自然科学基金(2002G11)资助项目
以0.1mol·dm-3的Zn(NO3)2水溶液为电解质溶液,以99.9%Zn片作阳极,采用方波脉冲电流法在氧化锡铟(ITO)导电玻璃基底上阴极电沉积,得到了透明的ZnO薄膜.采用X射线衍射分析、扫描电镜和荧光光谱技术,测试了薄膜的结构、表面形貌和光学特性...
关键词：多孔硅 氧化锌膜 阴极电沉积 光致发光 
氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜性质研究被引量：2
《稀有金属材料与工程》2005年第5期746-749,共4页魏芹芹 薛成山 孙振翠 庄惠照 王书运 
国家自然科学基金重大研究计划(90201025);国家自然科学基金(60071006)资助项目
研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜。用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构、组分和...
关键词：GAN Ga2O3/Al2O3膜 氨化 磁控溅射 
氨化Si基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜被引量：5
《稀有金属材料与工程》2005年第2期312-315,共4页魏芹芹 薛成山 孙振翠 曹文田 庄惠照 
国家自然科学基金重大研究计划资助(90201025);国家自然科学基金资助(60071006)
研究了 Ga_2O_3/Al_2O_3 膜反应自组装制备 GaN 薄膜。首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备 Ga_2O_3/Al2O3膜,再将Ga_2O_3/Al_2O_3 膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到了 GaN 薄膜。用 X 射线衍射(XRD),X 光光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)...
关键词：GAN Ga2O3/Al2O3膜 氮化 磁控溅射 
氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜的发光特性研究
《稀有金属材料与工程》2005年第1期166-168,共3页魏芹芹 薛成山 孙振翠 曹文田 庄惠照 董志华 
国家自然科学基金重大研究计划(90201025);国家自然科学基金(60071006)资助项目
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响。样品的荧光光谱在347nm有一强发光峰,在412nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增...
关键词：GAN薄膜 荧光光谱 带边发射 辐射复合 
热壁化学气相沉积Si基GaN晶体膜的研究
《稀有金属材料与工程》2004年第11期1226-1228,共3页曹文田 孙振翠 魏芹芹 薛成山 孙海波 
国家自然科学基金重大研究计划(90201025);国家自然科学基金(60071006)资助项目
采用热壁化学气相沉积工艺在 Si(111)衬底上生长 GaN 晶体膜,并对其生长条件进行研究。用 X 射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL)对样品进行结构、形貌和发光特性的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的 GaN 晶...
关键词：热壁化学气相沉积 GaN晶体膜 载体H2 
退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响
《电子元件与材料》2004年第7期46-47,50,共3页李忠 赵显 李玉国 薛成山 
国家自然科学基金资助项目(60071006)
获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为 1 000℃样品具有最强的发射强度。认为经碳注入所引入的杂质C = O 复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形...
关键词：注碳外延硅 蓝光发射 纳米硅镶嵌结构 氮气氛中退火 
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