董志华

作品数：12被引量：7H指数：2
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供职机构：山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所更多>>
发文主题：射频磁控溅射ZNO氨化GAN薄膜GA更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术更多>>
发文期刊：《微细加工技术》《材料科学与工艺》《科学技术与工程》《电子元件与材料》更多>>
所获基金：国家自然科学基金更多>>
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氮化ZnO/Ga_2O_3薄膜合成GaN纳米管
《材料科学与工艺》2007年第1期121-123,共3页庄惠照 高海永 薛成山 王书运 何建廷 董志华 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(80201002;90201025)
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3薄膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,高温下ZnO层在氨气的气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反应合成出GaN纳米管.X射线衍射(XRD)测量结果表明利用该方...
关键词：GaN纳米管 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氮化 
以磁控溅射+自组装反应方式制备GaN薄膜
《稀有金属材料与工程》2006年第3期463-466,共4页薛成山 董志华 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 
国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
为了用简单的方法得到GaN薄膜,以射频磁控溅射方法将Ga2O3薄膜沉积到Si(111)衬底上的SiC中间层上,通过其同NH3的自组装反应形成了GaN薄膜。同样,利用磁控溅射方法把SiC层沉积到Si衬底。其目的是为了缓冲由GaN外延层和Si衬底的晶格失配...
关键词：射频磁控溅射 自组装 中间层 SIC 
Si基氨化ZnO/Ga_2O_3薄膜制备GaN纳米线被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第5期931-935,共5页高海永 庄惠照 薛成山 王书运 何建廷 董志华 吴玉新 田德恒 
国家自然科学基金资助项目(批准号:90301002;90201025)~~
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3 薄膜和氨气反应合成出GaN纳米线.X射线衍射测量结果表明利用该方法制备的GaN...
关键词：GAN纳米线 ZnO/Ga2O3薄膜 射频磁控溅射 氨化 
合成GaN粗晶体棒的研究被引量：1
《微纳电子技术》2005年第3期119-122,共4页董志华 薛成山 庄惠照 王书运 高海永 田德恒 吴玉新 何建廷 刘亦安 
国家自然科学基金资助项目(90201025;90301002)
利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形...
关键词：磁控溅射 自组装反应 GaN晶体棒 
ZnO/Ga_2O_3膜的氨化温度对制作硅基GaN纳米材料的影响(英文)
《稀有金属材料与工程》2005年第1期73-76,共4页庄惠照 高海永 薛成山 董志华 
Project (.9030100290201025) Supported by the National Natural Science Foundation of China
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射到Si衬底上。用X射线衍射(XRD)、红外傅里叶变换光谱(FTIR)分析了GaN晶体的结构和组分,利用扫描电子显微...
关键词：氨化 ZnO/Ga2O3薄膜 挥发 射频磁控溅射 
氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜的发光特性研究
《稀有金属材料与工程》2005年第1期166-168,共3页魏芹芹 薛成山 孙振翠 曹文田 庄惠照 董志华 
国家自然科学基金重大研究计划(90201025);国家自然科学基金(60071006)资助项目
研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响。样品的荧光光谱在347nm有一强发光峰,在412nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增...
关键词：GAN薄膜 荧光光谱 带边发射 辐射复合 
竹叶状GaN纳米带的制备
《电子元件与材料》2004年第9期1-2,5,共3页高海永 庄惠照 薛成山 王书运 董志华 何建廷 
国家自然科学基金资助(No.90301002;90201025)
为了制备GAN纳米带,用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO中间层,接着溅射Ga2O3,然后ZnO/Ga2O3膜在开管炉中1000℃下常压通氨气进行氨化。在氨气气氛中ZnO在高温下挥发,借助于ZnO挥发的帮助,Ga2O3与NH3反应自组装生成GaN纳米带。XR...
关键词：半导体材料 GAN纳米带 氨化 挥发 ZnO/Ga2O3膜 
氮化Si基ZnO/Ga_2O_3制备GaN薄膜被引量：1
《微纳电子技术》2004年第6期26-29,共4页高海永 庄惠照 薛成山 王书运 董志华 李忠 
国家自然科学基金(90301002;90201025)资助
利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜。XRD测量结果表明,利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多晶结构的薄膜,利...
关键词：GAN薄膜 射频磁控溅射 ZnO缓冲层 Ga2O3薄膜 氮化 
硅基镓浓度对GaN晶体膜质量的影响
《微细加工技术》2004年第3期33-38,共6页孙振翠 曹文田 魏芹芹 薛成山 李玉国 董志华 
国家自然科学基金重大研究计划资助项目(90201025);国家自然科学基金资助项目(90301002)
采用射频磁控溅射工艺在扩镓硅基上溅射Ga2O3薄膜,再氮化反应组装GaN晶体膜,并对其生长条件进行了研究。用傅里叶红外谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)和光致发光(PL)谱对样品进行结构、形貌和发光特性...
关键词：Ga2O3薄膜 GaN晶体膜 射频磁控溅射 镓浓度 
Si基ZnO/Ga_2O_3氨化反应制备GaN薄膜被引量：1
《微细加工技术》2004年第2期37-41,共5页庄惠照 高海永 薛成山 王书运 董志华 
国家自然科学基金资助项目(90301002;90201025)
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga_2O_3薄膜,然后ZnO/Ga_2O_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄膜。XRD测量结果表明利用该方法制备的GaN薄膜是沿c轴方向择优生长的六角纤锌矿多...
关键词：Ga2O3薄膜 ZnO缓冲层 氨化 自组装 射频磁控溅射 
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