泰科天润半导体科技(北京)有限公司

作品数：9被引量：46H指数：3
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发文领域：电子电信电气工程交通运输工程机械工程更多>>
发文主题：碳化硅淀积VDMOS栅极阻挡层更多>>
发文期刊：《中国电机工程学报》《新材料产业》《微电子学》《半导体技术》更多>>
所获基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
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基于干扰动态响应机理的SiC MOSFET驱动设计被引量：8
《电工技术学报》2021年第20期4204-4214,共11页邵天骢 郑琼林 李志君 李虹 刘建强 
目前碳化硅(SiC)MOSFET大多沿用Si MOSFET和IGBT的驱动设计方法。然而,由于SiC MOSFET相比Si器件具有更高的开关速度,因而栅极内阻、驱动回路电感和功率回路电感导致的栅源电压干扰情况也值得探索。该文分析栅源电压干扰产生的过程,进...
关键词：SiC MOSFET 驱动设计 栅源电压干扰 动态响应 
一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路被引量：3
《电源学报》2021年第4期6-15,共10页邵天骢 郑琼林 李志君 黄波 刘建强 
高开关速率且栅极电压稳定的驱动是SiC MOSFET高频工作、进而实现功率变换系统小型化和轻量化的关键技术之一。针对如何在高开关速率下稳定驱动SiC MOSFET,并实现可靠的短路保护,根据栅源电压干扰的传导特点,基于辅助器件的跨导增益构...
关键词：碳化硅 MOSFET 高开关速率 栅极驱动 短路保护 
全碳化硅大功率直流电源关键技术研究被引量：3
《电源学报》2021年第1期215-222,共8页李志君 黄波 黄小羽 郑琼林 李虹 邵天骢 
国家自然科学基金优秀青年基金资助项目(51822701);国家自然科学基金重点资助项目(U1866211)。
碳化硅SiC(silicon carbide)功率器件的耐压、频率和损耗等特性均优于硅(Si)器件,然而SiC器件抗冲击能力差、电磁干扰大,且SiC器件对整个功率变换系统的贡献尚缺乏分析验证,因此,采用全SiC器件研制高性能的大功率直流电源具有一定挑战...
关键词：碳化硅功率半导体器件 电力电子变换装置 嵌入式保护 电磁兼容 功率密度 效率 
基于栅极驱动回路的SiC MOSFET开关行为调控被引量：23
《中国电机工程学报》2018年第4期1165-1176,共12页曾正 邵伟华 陈昊 胡博容 陈文锁 李辉 冉立 张瑜洁 秋琪 
国家自然科学基金项目(51607016);国家重点研发计划专项项目(2017YFB0102303);输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室自主研究项目(2007DA10512716301)~~
碳化硅（silicon carbide,SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET）与硅绝缘栅双极型晶体管相比,具有更低的开关损耗,更快的开关速度。但是,其高速开关过程对寄生参数非常敏感...
关键词：SIC MOSFET 开关行为调控 栅极电阻 栅–源电容 驱动电压 
一种新型4H-SiC双极结型晶体管的研究
《微电子学》2016年第3期412-414,418,共4页仇坤 倪炜江 牛喜平 梁卫华 陈彤 刘志弘 
研制了一种功率型4H-SiC双极结型晶体管。通过采用深能级降低工艺和一氧化氮退火钝化工艺,提高了电流增益。详细研究了发射极-基极几何结构与电流增益的关系,发现随着发射极线宽或发射极-基极间距的逐渐增加,最大电流增益也逐渐提高并...
关键词：4H-SIC 双极晶体管 电流增益 击穿电压 
碳化硅光伏逆变器发展现状被引量：5
《新材料产业》2014年第9期34-38,共5页孙凯 陈彤 张瑜洁 
一、碳化硅功率器件的重要性 从工业革命到现在,能源作为人类生活和工业水平进步的基础,有着极其重要的地位。当前人类获取使用的能源多数是不可再生能源,但随着世界经济发展,工业水平提高,能源的需求量也将越来越大,单一使用化石能源...
关键词：逆变器 隔离型 光伏效应 光伏并网 装置体积 开关损耗 直流电压 转换效率 工业水平 逆变系统 
碳化硅紫外探测器件的现状被引量：1
《新材料产业》2014年第10期35-38,共4页何钧 
一、紫外日盲波段 近年来随着碳化硅（SiC）材料制备技术的日趋成熟和成本的不断下降,利用这种新兴半导体材料制成的紫外探测器件得到了广泛关注。其中尤其引人注目的是应用于紫外日盲波段（简称＂日盲波段＂,波长200-300nm左右）的光...
关键词：紫外探测器件 碳化硅 材料制备技术 光电探测技术 波段 日盲 半导体 
碳化硅功率器件与新能源汽车被引量：3
《新材料产业》2014年第6期34-37,共4页吴海雷 陈彤 
一、SiC功率器件的发展背景 随着全球经济和技术的蓬勃发展，能源消耗逐年增加。目前，全球的二氧化碳（C O2）排放中有25%来源于汽车。有报告指出，截至2030年，全球C O2排放量将增至423亿t。在我国，汽车排放带来的污染已经成为城市...
关键词：新能源汽车 硅功率器件 城市大气污染 碳化 节能减排 可持续发展 全球经济 能源消耗 
3300 V-10 A SiC肖特基二极管被引量：1
《半导体技术》2014年第11期822-825,866,共5页倪炜江 
利用一次离子注入同时形成有源区和结终端结构,实现3 300 V 4H-SiC肖特基二极管。器件的正向电压为1.7 V时,电流达到10.3 A,相应电流密度为100 A/cm2,比导通电阻为7.77 mΩ·cm2。在3 300 V反向偏置电压下反向漏电流为226μA。测试同一...
关键词：4H-SIC 肖特基二极管 高压 电流密度 击穿电压 
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