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作品数：89被引量：156H指数：6
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发文作者：翁寿松翁泰松羽装羽封更多>>
发文领域：电子电信经济管理自动化与计算机技术理学更多>>
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发文期刊：《电子与封装》《电子产品与技术》《微电子技术》《中国集成电路》更多>>
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中国半导体产业面临的挑战被引量：1
《电子工业专用设备》2009年第10期13-15,45,共4页翁寿松 
中国半导体市场的增长从2004年至2008年已连续5年呈下降趋势,2009年将连续下滑。中国本土IC的营收小于中国半导体市场的10%。中国半导体产业正在面临众多的挑战,包括经济危机、依赖性、建厂模式、工厂规模、先进制程、高级人才和制造设...
关键词：中国半导体产业 经济危机 工厂 
全球半导体设备市场陷入寒冬
《电子工业专用设备》2009年第2期33-36,共4页翁寿松 
2009年全球半导体市场再次衰退,其销售额将比2008年下滑10%左右。2009年全球半导体设备市场比半导体市场更惨淡,其销售额将比2008年下跌30%左右。世界各大半导体公司正在积极采取10种以上措施挑战这场金融危机对半导体产业的冲击。
关键词：半导体市场 半导体设备市场 金融危机 
高亮度发光二极管及制造设备被引量：2
《电子工业专用设备》2009年第1期47-49,共3页翁寿松 
发光二极管(LED)是符合节能、环保的绿色照明光源。它具有亮度高、寿命长和能耗低等特点。高亮度发光二极管(HB-LED)是LED的发展方向。目前它已进入功能性照明领域,正在逐步进入普通照明领域,以替代白炽灯和荧光灯。Osram、Cree公司已...
关键词：发光二极管 高亮度发光二极管 白炽灯 
全球金融危机对半导体产业的影响被引量：1
《电子工业专用设备》2008年第11期12-15,共4页翁寿松 
由美国次贷危机引发的金融危机已发展成全球经济危机。它将对全球半志体产业产生六大影响,即:增长速度更放缓,工厂产能更下降;营收利润更下滑;资本支出更减少;并购重组更频繁;失业下岗更增多。
关键词：次贷 金融 危机 半导体产业 
32nm工艺及其设备被引量：1
《电子工业专用设备》2008年第12期34-36,共3页翁寿松 
2007年9月英特尔推出全球首款32nm SRAM,2007年11月IBM推出32nm SRAM;2007年12月台积电推出32nm测试芯片。业界认为,2009年下半年量产32nm芯片。32nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形,高k电介质/金属栅极,超低k电介质,高kSOI等技术。...
关键词：32 nm工艺 193 nm浸没式光刻 双重图形 光刻设备 
MEMS器件及其设备
《电子工业专用设备》2008年第6期15-18,38,共5页翁寿松 
MEMS(Microelectro mechanical system)器件是一种微型机电一体化的SOC。2008年MEMS器件市场为72.97亿美元,2011年将达到108亿美元,2006～2011年年复合平均增长率为13%。2011年MEMS系统级市场将达720亿美元。MEMS器件中发展最快的器件...
关键词：MEMS器件传感器MEMS MEMS市场 MEMS设备 
低k电介质及其设备被引量：5
《电子工业专用设备》2008年第5期28-30,共3页翁寿松 
低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45nm芯片制造的标准工艺。90nm工艺要求k=3.0～2.9,65nm工艺要求k=2.8～2.7,45nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电。对于22nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连。
关键词：多孔低k电介质 CU互连 化学机械抛光 碳纳米管 设备 
太阳能电池及其设备被引量：3
《电子工业专用设备》2008年第4期1-4,13,共5页翁寿松 
以太阳能电池为代表的光伏产业是朝阳产业,目前它处在历史上最大爆炸式的成长期。2007年全球光伏产业市场212亿美元,2012年增长至709亿美元,2007～2012年年均复合增长率27.31%。目前太阳能电池处于以单晶或多晶硅为衬底的第一代产品,正...
关键词：光伏产业 太阳能电池 薄膜太阳能电池 多晶硅 
近年全球半导体产业的发展趋势被引量：4
《电子与封装》2008年第5期38-41,共4页翁寿松 
全球半导体产业已步入成熟期。未来10年半导体产业年均增长率放缓。手机和消费类电子产品将是推动未来半导体产业增长的主动力。未来半导体产业将是独立半导体公司的天下。未来半导体产业的整合、兼并将越演越烈。未来半导体产业的无晶...
关键词：半导体产业 发展趋势 年均增长率 硅周期 
高k电介质及其设备
《电子工业专用设备》2008年第2期7-10,共4页翁寿松 
"2007年11月,英特尔量产高k电介质45nm微处理器"。它表明高k电介质/金属栅极技术已商业化。它可确保摩尔定律至少再延续10年。但是,ITRS2006修正版指出,高k电介质/金属栅极在低静态功耗(LSTP)逻辑IC的预期应用时间是2008年,高k电介质/...
关键词：高K电介质 金属栅极 氧化铪 设备 
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