等离子体增强化学气相沉积

作品数：200被引量：425H指数：8
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沉积温度对Ni辅助合成石墨烯质量的影响被引量：2
《半导体技术》2019年第7期553-557,共5页于成磊 王伟 段赛赛 于龙宇 刘孟杰 
国家自然科学基金资助项目(61774054)
研究了不同沉积温度下借助牺牲层Ni合成石墨烯的质量。在氧化铟锡(ITO)玻璃表面先后蒸镀了厚度分别为120 nm的Ta2O5和50 nm的图形化Ni,采用低温(500,600和700℃)下的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在Ni和绝缘层Ta2O5的界面处获得...
关键词：石墨烯 沉积温度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 牺牲层Ni 图形化 
大马士革工艺中等离子体损伤的天线扩散效应
《半导体技术》2019年第1期51-57,72,共8页赵悦 杨盛玮 韩坤 刘丰满 曹立强 
等离子体技术的广泛应用给工艺可靠性带来了挑战,等离子体损伤的评估成为工艺可靠性评估的重要内容之一。针对大马士革工艺中的等离子体损伤问题,提出了天线扩散效应,确定了相应工艺的天线扩散系数,提高了工艺可靠性评估的准确性。根据...
关键词：大马士革工艺 天线扩散效应 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 等离子体损伤 经时击穿(TDDB) 
氧化后退火技术对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响被引量：3
《半导体技术》2018年第1期48-52,共5页杨涛涛 韩军 林文魁 曾春红 张璇 孙玉华 张宝顺 鞠涛 
国家自然科学基金资助项目(61204011,11204009,61574011);江苏省科技计划项目(BE2014066);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2017-014204-500034);中国科学院科研装备研制项目(YZ201549)
采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N...
关键词：4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD) 
PECVD沉积双层SiN_x对太阳电池性能的影响被引量：4
《半导体技术》2012年第3期192-196,共5页凡金星 施正荣 张光春 杨健 陈如龙 李果华 
提出了一种简单有效的制备双层SiNx薄膜的方法,其薄膜具有良好的减反射钝化特性。采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,通过控制SiH4和NH3气体流量比,在p型多晶硅衬底上生长单层及双层SiNx膜。随后使用薄膜测试分析仪测量了薄膜...
关键词：双层SiNx 等离子体增强化学气相沉积 减反射膜 太阳电池 少数载流子寿命 
喇曼光谱研究硅烷体积分数对Si薄膜结构影响被引量：1
《半导体技术》2009年第2期158-160,共3页张乾 高杨 张建新 阎殿然 安雪川 张志彬 王师 
采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料。使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究。结果表明,随着硅烷体积分数的降低,Si薄膜沉积速率将会...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 喇曼光谱 玻璃封底 硅烷 
p-Si TFT栅绝缘层用SiN薄膜的研究被引量：2
《半导体技术》2007年第7期602-605,609,共5页张化福 祁康成 袁玉珍 刘汉法 类成新 魏功祥 
电子科技大学青年基金(YF020503)
以NH3和SiH4为反应源气体,采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在多晶硅(p-Si)衬底上沉积了一系列SiN薄膜,并利用椭圆偏振测厚仪、超高电阻-微电流计、C-V测试仪对所沉积的薄膜作了相关性能测试。系统分析了沉积温度和射频功...
关键词：等离子体增强化学气相沉积 栅绝缘层 SiN薄膜 
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