低能离子

作品数：258被引量：969H指数：17
导出分析报告
相关领域：生物学更多>>
相关作者：余增亮秦广雍刘志凯杨少延陈诺夫更多>>
相关机构：郑州大学中国科学院等离子体物理研究所中国科学院北京师范大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划国家科技攻关计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=Journal of Semiconductorsx
共 条 记 录，以下是1-6
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
低能离子束方法制备Mn-Si薄膜
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期94-97,共4页刘力锋 陈诺夫 柴春林 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金(批准号:60176001和60390072),国家重大基础研究发展计划(批准号:G20000365和G2002CB311905)资助项目
采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下...
关键词：低能离子束 硅 锰 X射线衍射 
低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1658-1661,共4页宋书林 陈诺夫 周剑平 尹志岗 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1);国家重大基础研究计划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd...
关键词：GaAs:Gd X射线衍射 X光电子能谱 
低能离子束方法制备重掺杂Fe的Si∶Fe固溶体被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第8期967-971,共5页刘力锋 陈诺夫 张富强 陈晨龙 李艳丽 杨少延 刘志凯 
国家自然科学基金 (批准号 :60 1760 0 1和 60 3 90 0 72 ) ;国家重大基础研究发展规划 (批准号 :G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5 )资助项目~~
利用质量分离的低能离子束方法 ,以离子能量为 1 0 0 0 e V,剂量为 3× 1 0 1 7cm- 2 ,室温下往 p型 Si(1 1 1 )单晶衬底注入 Fe离子 ,注入的样品在 4 0 0℃真空下进行热处理 .俄歇电子能谱法 (AES)对原位注入样品深度分析表明 Fe离子...
关键词：硅 铁 低能离子束 重掺杂 
中、低能离子注入中的剂量效应及模拟方法被引量：1
《Journal of Semiconductors》2004年第3期346-350,共5页施小康 于民 石浩 黄如 张兴 
国家重点基础研究发展规划资助项目 ( No.G2 0 0 0 0 3 65 0 1)~~
在 CMOS工艺超浅结形成过程中 ,中、低能离子注入的剂量效应直接影响杂质浓度的分布和超浅结的形成 .文中基于实验数据对剂量效应对注入离子浓度分布曲线的影响进行了分析 ,这种影响随着注入粒子种类的改变而表现在不同的方面 .同时运...
关键词：离子注入 剂量效应 模拟 分子动力学 
用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜被引量：4
《Journal of Semiconductors》1995年第2期153-157,共5页黄大定 秦复光 姚振钰 刘志凯 任治璋 林兰英 高维滨 任庆余 
采用质量分离的低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在硅（１１１）衬底上共淀积，生长了氧化铈外延薄膜．椭圆偏振仪测得，膜厚２０００Ａ．俄歇能谱仪测得，外延层内铈、氧分布均匀，具有很好的正化学比．Ｘ射线双晶衍射得到明显的氧化...
关键词：氧化铈薄膜 硅 IBD 外延生长 
用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究被引量：3
《Journal of Semiconductors》1992年第8期518-521,共4页姚振钰 任治璋 王向明 刘志凯 黄大定 秦复光 林兰英 
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽...
关键词：离子束外延法 FeSi2 半导体 薄膜 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部