势垒

作品数:1290被引量:1701H指数:12
导出分析报告
相关领域:电子电信理学更多>>
相关作者:郝跃马晓华张进成毛维杨翠更多>>
相关机构:西安电子科技大学中国科学院电子科技大学中国科学院微电子研究所更多>>
相关期刊:更多>>
相关基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=微处理机x
条 记 录,以下是1-10
视图:
排序:
一种互补肖特基势垒源可重置的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期12-15,共4页赵贺 靳晓诗 王冰 
针对器件尺寸微缩导致的短沟道效应和漏电流增加问题,提出一种基于互补肖特基势垒源的可重置场效应晶体管(CSBS-RFET)。研究了该器件在不同栅极电压下的可重置输出电流、能带和载流子浓度分布,并通过Silvaco TCAD仿真验证。实验表明采...
关键词:肖特基势垒 XNOR逻辑门 可重置场效应晶体管 互补场效应晶体管 
一种基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应晶体管
《微处理机》2025年第1期16-19,共4页任国琛 刘溪 王继祥 
研究提出基于互补双掺杂低源漏电阻同或门的场效应管(CDSD-XNOR)。源极和漏极采用N型和P型区域掺杂形成互补欧姆接触,取代传统双向可重置场效应晶体管(BRFET)的肖特基接触。采用两个栅极分别控制通道的不同部分,以其电压决定所控制沟道...
关键词:互补掺杂技术 肖特基势垒 欧姆接触 Silvaco TCAD仿真 
一种含浮栅的肖特基场效应晶体管特性研究
《微处理机》2025年第1期20-23,共4页王继祥 靳晓诗 任国琛 
本文提出一种源漏浮栅型场效应晶体管,针对传统PN结型器件在纳米尺度下结变陡的问题,采用金属-本征硅接触形成肖特基势垒,并在器件内部设计可充电的编程浮栅。研究表明,在N型工作模式下,当控制栅加正向电压且浮栅充入正电荷时,可增强栅...
关键词:浮栅型场效应晶体管 肖特基势垒 低反向漏电 
基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门
《微处理机》2025年第1期24-27,共4页王冰 刘溪 
为减少晶体管的使用数量来实现同或逻辑功能,提高单个晶体管的逻辑密度,提出一种基于肖特基势垒可重置场效应晶体管的同或逻辑门。器件的源端和漏端均采用金属硅化物NiSi,在源漏电极处与硅的导带及价带之间形成相似的肖特基势垒。通过Si...
关键词:肖特基势垒 可重置 XNOR逻辑门 
硅基结势垒肖特基二极管仿真设计
《微处理机》2024年第5期17-19,共3页王卉如 贾文博 任向阳 张治国 李永清 刘宏伟 何方 祝永峰 李颖 钱薪竹 
为实现硅基结势垒控制肖特基(JBS)二极管低反向漏电流和高击穿电压的双重目标,使用TCAD软件建立耐压值为60 V的JBS二极管仿真模型。通过研究其正向导通状态和反向截止状态的工作原理,模拟施加电压观察内部电场分布情况,仿真不同P+区间...
关键词:JBS二极管 P+区间距 反向漏电流 耐压能力 
高集成中央双向肖特基结型单管反相器研究
《微处理机》2023年第4期19-21,共3页刘畅 刘溪 
针对传统CMOS反相器在某些领域中的局限性,提出一种基于高集成中央双向肖特基结型单管的反相器。新器件采用深浅组合肖特基势垒隧道晶体管制造方法,具有中央双向肖特基结结构,该结构可有效隔离源漏两侧半导体内载流子的互通,从而避免隧...
关键词:反相器 肖特基势垒 Silvaco TCAD仿真 
一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET
《微处理机》2023年第4期22-25,共4页费曦杨 靳晓诗 
为改善低肖特基势垒MOSFET器件的性能表现,提出一种具有源漏辅助栅的低肖特基势垒MOSFET。该器件采用鳍型主控栅,体硅两侧各设置一个浮栅作为辅助栅,通过最外围控制栅向浮栅冲入电荷。通过与传统低肖特基势垒场效应晶体管的输出特性曲...
关键词:浮栅 肖特基势垒MOSFET 辅助栅 
势垒高度对SB-MOSFET特性的影响研究
《微处理机》2023年第3期35-38,共4页赵春荣 刘溪 
在传统场效应晶体管的基础上,针对SB-MOSFET对金属功函数敏感的问题,设计了势垒高度对SB-MOSFET性能影响的实验并加以验证。实验中通过调整金属功函数、金属费米能级与半导体钉扎位置,实现势垒高度的改变。通过器件模拟和电学特性仿真,...
关键词:肖特基场效应晶体管 肖特基势垒高度 金属功函数 
高低肖特基势垒无掺杂隧道场效应晶体管研究
《微处理机》2023年第3期39-41,共3页李萌萌 刘溪 
基于高低肖特基势垒机理提出一种无掺杂的隧道场效应晶体管HLSB-TFET。该器件只需要一个具有独立电源的栅电极且无需掺杂。在源极与中间硅区导带之间形成高肖特基势垒,用来产生隧道效应作为正向导通机制;在漏极与中间硅区导带之间形成...
关键词:肖特基势垒 双向隧道场效应晶体管 带间隧道 无掺杂器件 
主辅栅分立的U沟道XNOR场效应晶体管
《微处理机》2022年第6期1-4,共4页李龙 靳晓诗 韩贤雨 
针对传统场效应晶体管尺寸缩小给器件带来严重的短沟道效应和源漏隧穿效应等问题,提出一种基于肖特基势垒的采用主、辅栅分立式设计的U沟道XNOR场效应晶体管。设计通过增加金属铝与体硅的接触面积来实现肖特基隧穿效应,通过双栅结构来...
关键词:主辅栅 U形沟道 短沟道效应 肖特基势垒 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部