体声波谐振器

作品数：181被引量：194H指数：6
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高频薄膜体声波滤波器设计方法
《现代电子技术》2025年第8期25-29,共5页赵睿 刘莹玉 杨宇军 吴道伟 
国家重点研发计划项目(2023YFB4404105)。
针对无线通信系统对高频化和集成化滤波器的需求,提出一种高频薄膜体声波滤波器设计方法。基于空腔型薄膜体声波谐振器(FBAR)结构,在空气腔上方建立有效压电复合薄膜结构模型,通过COMSOL Multiphysics仿真分析FBAR各层结构对频率特性的...
关键词：薄膜体声波谐振器 高频滤波器 多物理场仿真 等效电路模型 先进设计系统 MBVD 
高阻带抑制FBAR滤波器
《压电与声光》2025年第1期24-27,共4页唐小龙 陈艳兵 金中 吴高米 张必壮 蒋平英 
采用一维Mason模型,研究了薄膜体声波谐振器(FBAR)压电层/电极膜厚比对有效机电耦合系数的影响。随着压电层膜厚占比的增加,谐振器有效机电耦合系数逐渐增大,通过膜厚优化和流片实现了高频FBAR谐振器的研制。在采用梯形电路结构的基础上...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 滤波器 高阻带抑制 Mason模型 高频 
ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究
《压电与声光》2025年第1期59-62,共4页田本朗 梁柳洪 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°...
关键词：电感耦合等离子体(ICP) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率 
薄膜体声波谐振器FBAR技术在滤波器的应用研究及其专利数据分析被引量：1
《价值工程》2024年第22期155-158,共4页李文婷 刘展鹏 
本文简单介绍了薄膜体声波谐振器FBAR的具体结构、工作原理以及FBAR技术的应用,重点介绍了FBAR技术在滤波器的应用及其工作原理,梳理了常见的几种FBAR滤波器结构,最后通过检索分析,从多个角度对FBAR技术在滤波器应用领域的专利申请进行...
关键词：薄膜体声波谐振器 FBAR滤波器 滤波器结构 专利分析 
C波段横向激励薄膜体声波谐振器设计与制备
《压电与声光》2024年第3期285-289,共5页吴高米 马晋毅 李尚志 司美菊 唐小龙 蒋世义 江洪敏 张祖伟 
重庆市博士后科学基金资助项目(CSTB2023NSCQ-BHX0030)。
针对未来移动通信对射频前端器件提出的多频率、高集成新要求,开展了兼具声表面波(SAW)谐振器和薄膜体声波谐振器(FBAR)技术特点的新型横向激励兰姆波谐振器研究。该文介绍了基于c轴择优取向氮化铝(AlN)压电薄膜的C波段横向激励薄膜体...
关键词：压电微机电系统(MEMS)器件 C波段射频滤波器 横向激励薄膜体声波谐振器(XBAR) 多频率 高集成 
背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究
《压电与声光》2024年第3期296-299,共4页徐阳 司美菊 吴高米 刘文怡 巩乐乐 甄静怡 余奇 陈金琳 
随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背...
关键词：干法刻蚀 刻蚀速率 横向激励 机电耦合系数 薄膜体声波谐振器 
压电AlN MEMS的新进展(续)被引量：1
《微纳电子技术》2024年第5期1-31,共31页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
高Q值横向激发体声波谐振器的设计与制备
《压电与声光》2024年第2期154-158,共5页张帅 俞振一 郭瑜 孙宗琴 傅肃磊 许志斌 王为标 
国家自然科学基金资助项目(61701195)。
随着5G移动通信时代的发展,射频前端(RF front-ends)的滤波和信号处理迫切需要高频大带宽的声学谐振器。横向激发体声波谐振器(XBAR)具有超高的工作频率和超大的机电耦合系数(k^(2)),但其品质因数(Q)值不高,阻碍了其在射频前端中的应用...
关键词：横向激发体声波谐振器(XBAR) 品质因数(Q)值 高频 大带宽 5G通信 
杂模抑制薄膜体声波谐振器的仿真分析
《压电与声光》2024年第2期159-163,共5页罗恩雄 张必壮 吴坤 马晋毅 李思忍 
该文研究了电极边界阶梯结构对薄膜体声波谐振器(FBAR)杂波的影响。采用有限元仿真法讨论了阶梯结构宽度尺寸对杂波的抑制效果,结合振型分析该结构能抑制声波能量的泄露,提高器件品质因数。为了进一步验证仿真结果,实验制备了FBAR器件...
关键词：薄膜体声波谐振器(FBAR) 阶梯结构 杂模抑制 有限元 
压电AlN MEMS的新进展
《微纳电子技术》2024年第4期1-25,共25页赵正平 
Si基微电子机械系统(MEMS)经过三十余年的发展已进入智能微系统的发展阶段,已成为当今MEMS技术创新发展的主流。当今半导体材料技术的科研已进入超宽禁带半导体的探索开发阶段,超宽禁带半导体AlN不但在功率电子学有较好的前景,而且AlN...
关键词：微电子机械系统(MEMS) ALN 掺钪AlN薄膜 薄膜体声波谐振器(FBAR) 轮廓模式谐振器 压电微机械超声换能器(PMUT) 
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