云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 偏置条件

偏置条件: 作品数：35被引量：58H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：陆妩郭旗王义元崔江维李豫东更多>>; 相关机构：中国科学院新疆理化技术研究所新疆大学西安电子科技大学中国科学院研究生院更多>>; 相关期刊：《光学学报》《微电子学》《中国集成电路》《核技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金中国博士后科学基金浙江省教育厅科研计划更多>>

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不同偏置下增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应研究: 《核技术》2023年第11期55-63,共9页邱一武郭风岐殷亚楠张平威周昕杰; 氮化镓功率器件凭借优异性能被抗辐照应用领域重点关注,为探究氮化镓功率器件抗γ射线辐照损伤能力,明确其辐射效应退化机制,针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)器件开展不同偏置(开态、...; 关键词：增强型AlGaN/GaN HEMT器件总剂量效应偏置条件电学性能退火恢复

偏置条件对NPN型锗硅异质结双极晶体管电离辐射效应的影响被引量：2: 《核技术》2015年第6期36-42,共7页刘默寒陆妩马武英王信郭旗何承发姜柯; 本文研究了不同偏置条件下国产商用NPN型锗硅异质结双极晶体管(Silicon germanium hetero-junction bipolar transistors,SiGe HBTs)在60Coγ辐射环境中电离辐照响应特性和变化规律。实验结果表明,在0.8 Gy(Si)·s-1剂量率辐照下,总累...; 关键词：锗硅异质结双极晶体管总剂量效应偏置条件退火

典型FLASH存储器^(60)Coγ电离辐射效应测试与分析被引量：2: 《核技术》2015年第1期12-16,共5页宋卫曲狄吾勤之; 通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电...; 关键词：FLASH存储器电离辐射效应辐照敏感参数辐照偏置条件

不同偏置下CMOSSRAM辐射损伤效应: 《核技术》2012年第8期601-605,共5页卢健余学峰李明张乐情崔江维郑齐文胥佳灵; 通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响应关系。实验结果表明偏置条件对SRAM器件辐射损伤情况有较大影...; 关键词：静态随机存储器总剂量效应不同偏置条件辐射损伤印记现象

不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响被引量：3: 《核技术》2011年第3期205-208,共4页席善斌王志宽陆妩王义元许发月周东李明王飞杨永晖; 国家自然科学基金项目(No10975182)资助; 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的...; 关键词：NPN双极晶体管 ^6^0Co-y辐照基区掺杂浓度辐照偏置

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