自热效应

作品数：92被引量：238H指数：7
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JLNT-FET和IMNT-FET中传导机制对电热特性影响研究
《微电子学》2023年第5期910-916,共7页刘先婷 刘伟景 李清华 
国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)
无结纳米管场效应晶体管(JLNT-FET)和反转模式纳米管场效应晶体管(IMNT-FET)因具有较好的驱动能力和对短沟道效应(SCE)卓越的抑制能力而被关注,自热效应(SHE)作为影响其电热性能的关键问题而被广泛研究。文章基于TCAD数值仿真,通过对环...
关键词：无结纳米管场效应晶体管 反转模式纳米管场效应晶体管 电热特性 自热效应 热载流子注入 
多晶硅电阻线性度补偿方法研究
《微电子学》2022年第1期33-37,共5页杨洋 雷郎成 高炜祺 胡永菲 刘虹宏 付东兵 
介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明,经...
关键词：多晶硅电阻 非线性补偿 自热效应 D/A转换器 
GaN HEMT器件的电流崩塌效应分析被引量：1
《微电子学》2021年第5期734-738,共5页赵宏美 冯全源 文彦 
国家自然科学基金重点项目(61531016,62031016,61831017);四川省重大科技专项项目(2018GZDZX0038,2018GZDZX0001);四川省重点项目(2019YFG0498,2020YFG0282,2020YFG0028)。
研究了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的温度特性,分析了自热效应造成GaN HEMT的电流崩塌现象。提出了一种图形化衬底技术来降低器件温度。在缓冲层与衬底界面设置与缓冲层同材料的梯形微阱,在势垒层与钝化层界面设置无掺杂和低Al...
关键词：GaN HEMT 自热效应 电流崩塌 微阱 
一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件被引量：1
《微电子学》2017年第1期114-117,共4页梁涛 杨文 何逸涛 陈钢 乔明 张波 
国家自然科学基金资助项目(61376080);广东省自然科学基金资助项目(2014A030313736)
提出了一种具有部分高k介质埋层的SOI场pLDMOS器件。将传统结构的部分埋氧层替换为介电常数更高的Si_3N_4,降低了漂移区的积累层电阻,使器件获得更低的比导通电阻,同时减弱了自热效应。与传统结构进行仿真对比,发现新结构基本保持了与...
关键词：部分高k 比导通电阻 击穿电压 自热效应 场pLDMOS 
一个带自热效应的新型LDMOS解析模型被引量：1
《微电子学》2009年第4期536-540,共5页高雯 杨东旭 余志平 
介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以阈值电压为基础的BSIM3v3模型,增加了对漂移区影响的考虑,同时,加入自热效应影响,且不用引入单独的自热网络,有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMOS特...
关键词：LDMOS 自热效应 BSIM3V3 解析模型 
金属系统对SiGe HBT自热效应的影响
《微电子学》2005年第4期332-335,339,共5页刘庆 张伟 许军 
国家高技术研究发展计划"RF电路模块和相关关键实现技术研究"资助项目(2002AA1Z1610)
在SiGeHBT设计中,采用AlTiNTi多层金属系统,可减小基极电阻,提高器件的频率和功率特性(fmax)。但是,本文的研究表明,如果忽略了发射极电阻的减小和TiN、Ti有较小的热导率,而不在设计中做出适当调整,在相同的大电流工作条件下,多层金属HB...
关键词：SIGE HBT 多层金属结构 自热效应 输出特性 
CMOS集成电路的电热耦合效应及其模拟研究被引量：7
《微电子学》2001年第1期10-12,共3页刘淼 周润德 贾松良 
国家自然科学基金重大项目 !(5 9995 5 5 0 - 0 1)
文章基于集成电路具体的封装结构提出了它的热学分析模型。针对均匀温度分布的集成电路 ,采用解耦法实现了电热耦合模拟软件 Etsim。
关键词：CMOS集成电路 自热效应 电热耦合效应 
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