总剂量效应

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电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响
《现代应用物理》2024年第6期102-109,共8页梁世维 杨鑫 陈家祺 王俊 
国家自然科学基金资助项目(52207199);湖南省自然科学基金资助项目(2023JJ30141);中央高校基本科研业务费(531118010924)。
试验探索了电离辐射总剂量效应对SiC MOSFET器件雪崩鲁棒性的影响,发现SiC MOSFET器件的雪崩耐量随着电离辐射总剂量的增加而不断减小,当总剂量达到600 krad时,SiC MOSFET器件的雪崩耐量下降了25.21%。此外,还发现SiC MOSFET器件发生电...
关键词：碳化硅 MOSFET 电离辐射总剂量效应 雪崩特性 鲁棒性 可靠性 
空间辐射环境模拟装置及其应用专辑序言
《现代应用物理》2024年第4期I0001-I0001,F0002,共2页陈伟 
宇宙空间充满高能带电粒子,与航天器上的电子器件、电子系统相互作用产生的单粒子效应、总剂量效应、位移损伤效应、充放电效应,可使航天器发生在轨故障,影响航天器的安全运行和工作寿命,严重时甚至会造成灾难性的后果。
关键词：高能带电粒子 总剂量效应 电子系统 空间辐射环境 模拟装置 单粒子效应 充放电效应 宇宙空间 
基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm n-FinFETs总剂量效应模型研究
《现代应用物理》2024年第4期116-123,共8页魏雪雯 郑齐文 崔江维 李豫东 郭旗 
新疆维吾尔自治区重点研发计划资助项目(2023B01008)。
建立了基于X射线晶圆在线辐照实验的16 nm FinFET总剂量效应模型,并对模型的有效性进行了验证。将辐照后器件等效为一个主晶体管与辐射导致的若干寄生晶体管并联,通过改变寄生晶体管的参数对辐照中的物理机制进行了模拟。对不同鳍片数...
关键词：FINFET 总剂量效应 SPICE模型 辐射损伤 器件可靠性 
辐射加固LDMOS器件的总剂量辐射效应
《现代应用物理》2023年第2期170-175,共6页谢儒彬 葛超洋 周锌 曹利超 陈浪涛 吴建伟 乔明 
微电子预先研究基金资助项目(31513040106)。
基于标准Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺研制的抗辐射电源管理芯片无法满足航天应用要求,抗辐射BCD工艺的发展严重制约了我国在航天领域核心器件的研制。与CMOS器件相比,LDMOS器件具有更高的工作电压和更多的介质结构,更易受到总剂量问题...
关键词：辐射加固 总剂量效应 浅槽隔离 0.18μm BCD LDMOS 
γ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应
《现代应用物理》2022年第3期164-169,共6页范林杰 毕津顺 习凯 赵碧瑶 徐彦楠 季兰龙 
国家自然科学基金资助项目(616340084,61821091,61888102)。
开展了^(60)Coγ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应实验研究,测量并分析了在γ射线辐照至1 Mrad前后柔性基底石墨烯霍尔传感器的电学性能。γ射线辐照后,传感器的霍尔电压、线性度、失调电压和电流相关灵敏度均略有降低,电...
关键词：柔性 总剂量效应 单层石墨烯 霍尔传感器 Γ射线辐照 
基于10keV X射线的总剂量效应实验技术实现与应用被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期152-156,共5页马武英 张鹏飞 陈伟 姚志斌 丛培天 何宝平 董观涛 
国家自然科学基金资助项目(11690040,11690043)。
采用X射线作为辐射源开展总剂效应实验是一种可行有效的总剂量效应研究手段。本文首先简要介绍项目组搭建的一台基于10 keV X射线的总剂量效应实验平台的基本组成和各模块功能,并给出了10 keV X射线源辐射场的各项指标测量结果,包括剂...
关键词：总剂量效应 X射线 实验平台 纳米MOSFET器件 
纳米MOS器件场氧化层和栅氧化层电离总剂量效应仿真被引量：1
《现代应用物理》2022年第1期172-179,共8页任晨 曹艳荣 张龙涛 吕航航 马毛旦 吕玲 郑雪峰 
国家自然科学基金资助项目(11690042,U1866212,12035019,61727804,11690040),北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。
利用Silvaco TCAD软件,研究了电离总剂量(total ionizing dose,TID)效应对28 nm NMOSFET转移特性的影响。构建了28 nm NMOSFET 3维仿真模型,分3种情况探究了TID效应影响下,场氧化层和栅氧化层对NMOSFET的阈值电压、漏电流和跨导的影响...
关键词：TCAD仿真 NMOSFET 总剂量效应 氧化层 
30nm PMOS器件总剂量辐照实验与仿真
《现代应用物理》2022年第1期125-128,179,共5页张宏涛 曹艳荣 王敏 任晨 张龙涛 吕玲 郑雪峰 马晓华 
国家自然科学基金资助项目(11690042,11690040,U1866212,12035019,61727804);北京智芯微电子技术有限公司实验室开放基金,科学挑战计划资助项目(TZ2018004)。
使用Silvaco TCAD软件建立PMOS器件模型,仿真模拟得到了PMOS器件γ射线总剂量效应,提取了氧化层及界面处陷阱电荷共同影响后器件的电学参数并验证了退化程度。仿真结果表明,PMOS器件沟道越短,有效沟道长度占比总沟道长度就越少,器件退...
关键词：PMOS器件 总剂量效应 可靠性 Silvaco TCAD 
电路级模拟技术在SRAM型FPGA总剂量效应敏感性预测中的应用被引量：2
《现代应用物理》2018年第1期82-87,共6页郭红霞 丁李利 范如玉 姚志斌 罗尹虹 张凤祁 张科营 赵雯 
国家自然科学基金资助项目(11690043;11605138;61634008)
在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,...
关键词：电子器件 总剂量效应 试验技术 电路模拟 敏感性预测 
空间辐射效应地面模拟等效的关键基础问题被引量：28
《现代应用物理》2017年第2期1-12,共12页陈伟 郭晓强 姚志斌 罗尹虹 丁李利 何宝平 王祖军 王晨辉 王忠明 丛培天 
国家自然科学基金资助项目(11690043;11235008)
空间辐射效应是影响航天器在轨长期可靠运行的重要因素,必须在地面利用模拟试验方法评价航天器在轨抗辐射性能。但由于地面模拟试验环境与空间真实辐射环境在能谱、粒子种类、辐照时间等方面存在较大差异,为此国内外已开展了大量的空间...
关键词：空间辐射 总剂量效应 单粒子效应 位移损伤效应 空间辐射损伤等效 
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