碲镉汞器件

作品数：15被引量：25H指数：3
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CdTe/ZnS膜层致密度对碲镉汞器件性能的影响研究
《红外》2024年第12期19-25,共7页徐港 戴永喜 何斌 郑天亮 王娇 
采用CdTe/ZnS双层钝化工艺对长波HgCdTe衬底进行表面钝化及工艺优化,并利用不同的工艺条件进行背面增透膜生长。通过对各工艺条件下制备的二极管器件膜层进行扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)、原子力显微镜(Atomic Fo...
关键词：碲镉汞 表面钝化 背面增透 致密度 
nBn结构长波红外碲镉汞器件优化设计
《红外技术》2024年第7期815-820,共6页覃钢 孔金丞 任洋 陈卫业 杨晋 秦强 赵俊 
基础加强计划领域基金(2019-JCJQ-JJ-527)。
分析了Type-I型能带对nBn结构碲镉汞器件性能的影响。通过理论计算获得了势垒层组分、掺杂浓度与能带带阶的关系,确定了nBn结构长波器件吸收层掺杂浓度与暗电流的关系。优化了nBn结构长波红外碲镉汞器件的掺杂浓度、势垒层与吸收层之间...
关键词：nBn结构 长波红外 碲镉汞 能带带阶 暗电流 
瞬态光响应法测试中波碲镉汞器件少子寿命的新方法
《半导体光电》2023年第4期596-599,共4页黄宏 桑茂盛 王妮丽 徐国庆 许金通 
国家重点研发计划项目(2021YFA0715501)。
在测试中波碲镉汞光伏器件的瞬态响应时,当激光光斑照射器件表面位置距离光敏面较远时,器件表现为特殊的双峰脉冲响应现象,分析表明出现这种异常双脉冲现象的原因是光敏区内的少子漂移和光敏区外侧向收集的少子扩散有时间上的差异。通...
关键词：HGCDTE 瞬态响应 少子寿命 少子侧向收集 光电导衰退 
碲镉汞红外光电探测器局域场表征研究进展(特邀)被引量：1
《红外与激光工程》2022年第7期36-48,共13页刘书宁 唐倩莹 李庆 
国家重点研发计划(2020 YFB2009300);上海市科技计划(21 ZR1473400);杭州市科技发展计划(2020 ZDSJ901)。
碲镉汞材料(HgCdTe)是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料,其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来,天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求,这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdT...
关键词：碲镉汞器件 微区光电流扫描技术 局域场 暗电流 
碲镉汞器件光敏元电容测试与分析被引量：1
《红外技术》2019年第5期413-417,共5页任士远 林春 魏彦锋 周松敏 王溪 郭慧君 陈路 丁瑞军 何力 
报道了液氮温度下对HgCdTe器件进行电容测试的方法。标定了仪器寄生电容以及杜瓦寄生电容,并利用该测试结果计算得到PN结区附近的载流子浓度和相应的深度等数据。对比了碲镉汞常规PN结器件与雪崩光电二极管(APD)器件的耗尽层宽度以及N...
关键词：HGCDTE 电容 载流子浓度 缓变PN结 
碲镉汞器件空间辐射损伤研究的进展被引量：1
《红外》2011年第4期1-6,共6页王忆锋 田萦 
碲镉汞(MCT)红外探测器在天基平台中的应用正在逐渐增多,运行于空间辐射环境这一特点给其功能实现带来了挑战。MCT器件的独特性质要求人们对空间辐射效应给予特别考虑。目前,通过利用CdTe钝化MCT探测器技术,器件的总剂量脆弱性问题已经...
关键词：碲镉汞 红外探测器 空间辐射损伤 总剂量损伤 位移损伤 辐射加固 
第三代碲镉汞器件的研发进展被引量：8
《光电技术应用》2009年第5期17-22,66,共7页王忆锋 唐利斌 
通过对近年来部分英语文献的归纳分析,介绍了国外第三代碲镉汞(MCT)器件的研发现状,包括具有新颖器件结构的双色或三色探测器、雪崩光电二极管和多光谱阵列等.分析了三代MCT器件在阵列规模、光伏技术的甚长波应用、多色、读出电路等方...
关键词：碲镉汞 PN结 光电二极管 焦平面阵列器件 红外探测器 
碲镉汞器件接触孔的ICP刻蚀工艺研究被引量：6
《激光与红外》2008年第12期1211-1214,共4页李震 胡小燕 史春伟 朱西安 
介绍了ICP等离子体刻蚀技术的工作原理和主要工艺参数,阐述了碲镉汞器件接触孔ICP刻蚀工艺的特点和技术要求。通过一系列实验和分析,最终优化并确定了ICP刻蚀碲镉汞材料接触孔的工艺参数,获得了良好的刻蚀形貌和器件性能。
关键词：ICP 接触孔 干法刻蚀 碲镉汞 低损伤 刻蚀形貌 
第二届全国先进焦平面技术研讨会论文摘要
《激光与红外》2006年第11期1079-1086,共8页
关键词：上海技术物理研究所 中国科学院 中科院 红外焦平面探测器 碲镉汞器件 焦平面技术 非均匀性校正 焦平面组件 非平衡载流子寿命 少子寿命 AlGaN 响应率 摘要 红外物理 研讨会 
单色及双色碲镉汞器件计算机仿真模拟
《红外与激光工程》2006年第z5期43-47,共5页孙浩 王成刚 
简介了 TCAD 软件对碲镉汞器件结构优化的意义;对单色碲镉汞光电器件结构进行模拟以及对存在的问题进行了分析;介绍了双色 MW-MW 结构器件关于光谱响应、量子效率、I-V 特性等方面的模拟结果,以及下阶段准备进行的工作。
关键词：碲镉汞 器件模拟 计算机辅助设计 
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