微米工艺

作品数:228被引量:66H指数:3
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亚微米PD CMOS/SOI工艺及H栅单边体引出研究
《微电子学》2010年第3期448-453,共6页李宁 刘存生 孙丽玲 薛智民 
研究开发了0.4μm PD CMOS/SOI工艺,试制出采用H栅双边体引出的专用电路。对应用中如何克服PD SOI MOSFET器件的浮体效应进行了研究;探讨在抑制浮体效应的同时减少对芯片面积影响的途径,对H栅双边体引出改为单边体引出进行了实验研究。...
关键词:亚微米工艺 H栅 PDCMOS/SOI 浮体效应 单边体引出 
深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析
《微电子学》2008年第5期633-636,共4页曹福全 石艳玲 陈哲 甘甜 温秀芝 刘婧 
上海市科委基金资助项目(04QMX1419,075007033)
在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案。通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果,提出了Δ归一化的改进技术。经验证,这种优化...
关键词:差分静态电流测试 深亚微米器件 故障覆盖率 
超深亚微米自对准平面双栅MOSFET假栅的制作
《微电子学》2005年第1期93-96,99,共5页王志玮 徐秋霞 
自然科学基金资助项目(60276022)
进入超深亚微米领域以后,传统CMOS器件遇到了器件物理、工艺技术等方面难以逾越 的障碍。普遍认为,必须引入新结构和新材料来延长摩尔定律的寿命。其中,双栅CMOS被认为是 新结构中的首选。在制作平面型双栅MOS器件中,采用自对准假栅结构...
关键词:双栅MOSFET 自对准 亚微米工艺 假栅 
8VSB芯片的层次式设计方法被引量:1
《微电子学》2003年第2期151-153,共3页朱昕荣 韩晓霞 张明 何杞鑫 郑伟 
2001年高等学校骨干教师资助计划项目
 提出了深亚微米下系统级芯片层次式版图设计的方法,并用该方法设计了HDTV信道解码芯片8VSB的版图。实例设计结果表明,该方法在节约面积、加速时序收敛方面效果明显,大大缩短了芯片设计周期。
关键词:8VSB芯片 层次式设计方法 系统级芯片 层次式版图设计 信道解码器 深亚微米工艺 专用集成电路 
单元特性提取中采样点偏离现象的研究被引量:2
《微电子学》2003年第1期22-25,共4页李伟良 葛海通 罗晓华 梁中书 严晓浪 
 为使应用于集成电路设计中的单元时序信息库更能反映实际情况,研究了特性提取中出现的采样点分布偏移和格点偏离现象,并提出了有效的解决方法。该方法通过建立查表模型,无需多次重复仿真就能准确定位任意采样点。理论分析和仿真结果...
关键词:超大规模集成电路 特性提取 采样点 查表模型 超深亚微米工艺 时序信息库 采样点 
一种2μmp阱CMOS工艺被引量:1
《微电子学》1994年第2期51-55,共5页蒋志 王勇 华光平 
本文介绍了我们开发的2μmp阱CMOS工艺,包括不同工艺方案的设计,主要参数的选取、调整及实验结果。给出不同工艺方案的比较及实验结果对比,最后给出我们选定的2μmp阱CMOS工艺方案及主要电学参数。
关键词:2微米工艺 CMOS技术 工艺 集成电路 
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