金属半导体

作品数：62被引量：42H指数：3
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新型4H-SiC射频功率MESFET大信号经验电容模型
《微波学报》2010年第S1期424-426,共3页刘莹 国云川 黄文 
基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语言实现,与传统算法相比,经验电容模型参数的初值估计和优化更为简单准确。提取的模型重要...
关键词：4H-碳化硅 金属半导体场效应晶体管 大信号模型 经验电容模型 遗传算法 
4H-SiC MESFET大信号非线性特性分析被引量：2
《微波学报》2009年第2期78-82,共5页吕红亮 车勇 张义门 张玉明 郭辉 张林 
国家自然科学基金(No.60606022);应用材料创新基金项目(No.XA-AM-200702)
采用Volterra级数法对4H-SiC射频MESFET的大信号非线性特性进行了分析,并研究了器件尺寸与线性度的关系。模型考虑了陷阱效应对非线性特性的影响,模拟结果能够较好地反映实验结果。进一步分析表明,在1GHz和1.01GHz频率下,当栅长从0.8μ...
关键词：碳化硅 金属半导体场效应晶体管 非线性 VOLTERRA级数 
微波功率SiC MESFET小信号等效电路建模研究被引量：1
《微波学报》2007年第B08期130-133,共4页徐跃杭 徐锐敏 延波 王磊 
在传统GaAs MESFET器件小信号模型基础上提出一种更适合SiC MESFET器件的小信号等效电路模型。该模型在引入了与栅压相关的输入电导后,明显改善了S11的拟合精度。提出直接利用cold FET反向栅压偏置下的S参数,通过曲线拟合和外插技术提取...
关键词：SiC MESFET(碳化硅金属半导体场效应管) 小信号等效电路 GAAS MESFET 
GaAs MESFET开关模型
《微波学报》2002年第2期85-87,共3页陈新宇 陈继义 郝西萍 李拂晓 邵凯 杨乃彬 
本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。
关键词：开关 模型 金属半导体场效应晶体管 微波单片集成电路 
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