金属硅化物

作品数:105被引量:250H指数:8
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90 nm CMOS工艺平台金属硅化物工艺优化及其表征
《集成电路应用》2019年第9期17-19,共3页陆涵蔚 曹俊 吴兵 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
半导体制程发展到0.18μm节点及以下时,主要采用金属钴硅化物来降低扩散区的电阻和接触孔的接触电阻。当工艺节点缩小到90nm时,由于结深变浅,金属钴硅化物的厚度和均一性对结漏电的影响越来越显著。针对金属钴硅化物形成的多个工艺参数...
关键词:集成电路制造 90nm 钴金属硅化物 工艺优化 
金属硅化物阻挡层刻蚀对一次性编程单元数据保持性能的影响
《集成电路应用》2019年第8期43-45,共3页黄庆丰 
上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)
在0.18μm通用平台上加入一次性编程单元(OTP)后组成的衍生工艺被广泛应用于微控制单元(MCU)设计,由于OTP的尺寸非常小,为了使OTP拥有良好的数据保持(Data Retention)能力,SAB模组工艺非常关键,尤其是SAB刻蚀工艺,不能再采用同标准0.18...
关键词:集成电路制造 金属硅化物阻挡层SAB 干法刻蚀 湿法刻蚀 OTP 数据保持 
集成电路中金属硅化物的发展与演变
《集成电路应用》2008年第9期51-52,共2页方志军 汤继跃 许志 
金属硅化物在VLSI/ULSI器件技术中起着非常重要的作用,被广泛应用于源漏极和硅栅极与金属之间的接触。其中自对准硅化物(self-aligned silicide)工艺已经成为近期的超高速CMOS逻辑大规模集成电路的关键制造工艺之一。
关键词:大规模集成电路 金属硅化物 VLSI/ULSI 演变 自对准硅化物 制造工艺 器件技术 CMOS 
硅的干法刻蚀简介被引量:1
《集成电路应用》2008年第4期48-48,共1页葛强 
随着硅栅MOS器件的出现,多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅极之外多晶硅还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充,闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和...
关键词:干法刻蚀 硅栅 MOS器件 金属硅化物 刻蚀技术 等离子体 沟槽电容 DRAM 
40V高压LCD驱动器工艺研发
《集成电路应用》2007年第9期43-46,共4页陈华伦 熊涛 陈雄斌 
随着液晶面板的兴起以及越来越大的尺寸,高压LCD驱动日渐受到市场的关注,但高电压(40V以上)的工艺在国内基本还处于空白。本文着重介绍40V高压工艺平台所面临的主要问题和关键工艺:锑注入,外延生长之后的光刻对准和非金属硅化物...
关键词:LCD驱动器 关键工艺 高压工艺 市场竞争力 研发 工艺开发 金属硅化物 液晶面板 
深亚微米金属硅化技术及其在设计中的应用
《集成电路应用》2003年第4期76-81,共6页沈磊 
本文在引入金属硅化物基本特性的基础上,阐述了当今深亚微米工艺制程中广泛应用的两种金属硅化物-TiSi_2和CoSi_2在深亚微米技术中形成的机理及关键点,特别介绍了所谓"自对准硅化物"形成方式(Self-Aligned Silicide-salicide)的原理及...
关键词:金属硅化物 深亚微米技术 自对准硅化物 窄线宽效应 集成电路设计 
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