宽禁带半导体

作品数：453被引量：773H指数：12
导出分析报告
相关领域：电子电信理学更多>>
相关作者：郝跃沈波张进成李富友黄春辉更多>>
相关机构：中国科学院西安电子科技大学电子科技大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 学科=电子电信x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
玻璃基灌封材料助力SiC功率器件在300 ℃长期运行
《电子与封装》2025年第4期84-84,共1页
宽禁带半导体材料优势显著,但随着功率器件小型化、集成化及功率密度提升,热管理面临重大挑战。以环氧塑封料(EMC)和硅凝胶为代表的有机灌封材料将SiC器件结温限制在200℃以内,亟需更优灌封材料来缓解器件绝缘和散热压力,并提升器件可...
关键词：宽禁带半导体材料 热管理 玻璃基灌封材料 
《宽禁带半导体材料、器件、电路与系统集成》专栏发刊词
《太赫兹科学与电子信息学报》2025年第4期I0001-I0001,共1页
宽禁带半导体的禁带宽度显著高于传统硅基材料,展现出高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率等颠覆性物理特性。随着电力电子系统向高频化、大功率化方向演进,传统的半导体材料因耐压能力有限、高温稳定性不足、高频损耗严重等问题,难...
关键词：电力电子系统 材料 电路 宽禁带半导体 器件 
导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点
《人工晶体学报》2025年第3期414-419,共6页杨文娟 卜予哲 赛青林 齐红基 
国家重点研发计划(2022YFB3605500)。
β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 位错 X射线形貌分析术 导模法 腐蚀法 
双生长腔互联MOCVD外延生长氧化镓异质结构及其紫外光电探测器件的研究
《人工晶体学报》2025年第3期426-437,共12页王月飞 高冲 吴哲 李炳生 刘益春 
科技部重点研发计划(2019YFA0705202);国家自然科学基金(62274027,62404039);松山湖材料实验室开放研究基金(2023SLABFK03)。
本文报道了利用氮化物-氧化物双生长腔互联金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统外延生长氧化镓/氮化物薄膜异质结构并制备了高性能紫外光电探测器件。通过X射线衍射仪、原子力显微镜对不同衬底与不同缓冲层材料的薄膜结晶质量和表面形貌进...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 金属有机化学气相沉积 外延生长 异质结 紫外光电探测 
功率电子器件在不间断电源系统中的应用与性能分析
《科学技术创新》2025年第4期68-71,共4页向煜 
功率电子器件在不间断电源(UPS)系统中的应用及其性能表现是一个值得深入探讨的主题。UPS系统的基本结构和工作原理为理解功率电子器件的作用奠定了基础。各类功率电子器件,如IGBT、MOSFET等,在UPS系统中发挥着关键作用。通过对比分析...
关键词：不间断电源系统(UPS) 功率电子器件 IGBT 宽禁带半导体 
四方达子公司签约汇芯通信,布局未来通信和超宽禁带半导体产业
《超硬材料工程》2025年第1期62-62,共1页
2025年1月6日,河南四方达超硬材料股份有限公司公告,公司控股子公司河南天璇半导体科技有限责任公司与深圳市汇芯通信技术有限公司在深圳签署了《战略合作协议》,为促进未来通信和超宽禁带半导体产业的技术进步和产业发展共同努力。协...
关键词：宽禁带半导体 超硬材料 子公司 半导体科技 有效期 通信 四方 产业 
氧化镓雪崩光电探测器的研究进展
《人工晶体学报》2025年第2期276-289,共14页邵双尧 杨烁 冯华钰 贾志泰 陶绪堂 
国家自然科学基金(62304118,51932004,11804191)。
微弱紫外光的探测在导弹跟踪、火焰警告、安全通信、环境监测和其他关键应用中备受关注。雪崩光电探测器(APD)具有轻便、低功耗、高量子效率和单片集成等优点,是紫外探测领域的重要研究方向。近年来,宽禁带和超宽禁带半导体材料因其禁...
关键词：雪崩光电探测器 紫外探测 宽禁带半导体 氧化镓 雪崩增益 
2英寸Fe掺杂高阻β相氧化镓单晶生长及(010)衬底性质研究
《人工晶体学报》2025年第2期197-201,共5页严宇超 王琤 陆昌程 刘莹莹 夏宁 金竹 张辉 杨德仁 
浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2023C01193);中央高校基本科研业务费(226-2022-00200,226-2022-00250);博士后创新人才支持计划(BX20220264);国家青年拔尖人才支持计划;杭州市领军型创新创业团队引进培育计划(TD2022012)。
本文使用直拉法制备了Fe掺杂的大尺寸β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))单晶,加工制备了高质量的2英寸(1英寸=2.54 cm)(010)衬底,并对衬底的结晶质量、加工质量与电学性质进行了研究。偏光应力仪下的均匀图像表明该衬底无孪晶、裂纹等宏观缺陷...
关键词：氧化镓 宽禁带半导体 晶体生长 直拉法 单晶衬底 掺杂 
“氧化镓晶体与器件”专题——破局第四代半导体的创新实践
《人工晶体学报》2025年第2期I0004-I0005,I0002,I0003,共4页齐红基 贾志泰 张洪良 董鑫 程红娟 周弘 徐光伟 
氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体材料的代表,凭借其超宽禁带(4.4~4.9 eV)、高临界击穿场强(8 MV/cm)及优异的Baliga优值(理论值达SiC的10倍、GaN的4倍),被视为突破传统半导体性能极限的关键材料。然而,其产业化进程长期受限于低...
关键词：宽禁带半导体材料 氧化镓 P型掺杂 半导体 国家重点研发计划 创新实践 协同创新 技术壁垒 
超宽禁带半导体氧化镓器件热问题的解决策略
《电子与封装》2024年第11期86-86,共1页刘丁赫 
氧化镓是一种具有超宽带隙(4.5~4.9 eV)以及高达8 MV/cm理论临界击穿场强的半导体材料,在电子器件领域正迅速崭露头角。其以卓越的电子特性被业界广泛看好,有望成为继碳化硅和氮化镓之后的新一代半导体材料,在高频、高功率应用中发挥重...
关键词：半导体材料 氧化镓 宽禁带半导体 电子特性 氮化镓 宽带隙 电子器件 碳化硅 
全选清除导出
共26页<12345678910>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部