单片集成

作品数：1069被引量：1273H指数：11
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基于InP HEMT的太赫兹分谐波混频器芯片设计
《半导体技术》2024年第2期151-157,共7页何锐聪 王亚冰 何美林 胡志富 
基于70 nm InP高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款175~205 GHz分谐波混频器太赫兹单片集成电路(TMIC)。使用三线耦合Marchand巴伦实现本振信号的平衡-不平衡转换。在射频端口设计了紧凑型耦合线结构的带通滤波器,实现对射频信号...
关键词：INP 高电子迁移率晶体管(HEMT) 太赫兹单片集成电路 分谐波混频器 带通滤波器 Marchand巴伦 
220GHz GaAs单片集成分谐波混频器被引量：3
《半导体技术》2022年第11期886-890,共5页杨大宝 赵向阳 刘波 邢东 冯志红 
基于在30μm厚的GaAs衬底上开发的平面肖特基二极管,设计了220 GHz GaAs单片集成分谐波混频器。考虑了二极管外形结构对电磁波传输的影响,采用场路结合联合仿真的经典方法建立二极管模型来仿真其电性能,并利用这一模型在非线性电路仿真...
关键词：单片集成电路 分谐波混频器 肖特基二极管 建模 变频损耗 
基于超薄贴合技术的单片集成大功率倒装LED被引量：1
《半导体技术》2022年第9期755-760,共6页庞佳鑫 唐文婷 陈宝瑨 易翰翔 王宝兴 张秀 田立君 蔡勇 
采用超薄贴合技术,通过改进封装散热结构来解决大功率倒装发光二极管(LED)芯片散热和电学绝缘之间的矛盾。采用串并联的内部拓扑结构和三角电极原理开发了一款尺寸为5 mm×5 mm的单片集成大功率倒装LED芯片。使用起芯片电学延伸作用的...
关键词：超薄贴合技术 单片集成大功率倒装LED 插墙效率 光效 热阻 
GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量：1
《半导体技术》2021年第12期921-925,共5页齐志华 谢媛媛 
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带 
基于GaN HEMT工艺的高功率宽带6 bit数字移相器被引量：1
《半导体技术》2021年第11期847-853,共7页谢媛媛 吴洪江 赵子润 
基于GaN HEMT工艺研制了一款8~12.5 GHz宽带6 bit数字移相器。通过采用优化的宽带拓扑和集总元件,以及在片上集成GaN并行驱动器,提高了移相精度,缩小了芯片的尺寸,减少了控制端数量。测试结果表明,在8~12.5 GHz频带内,全部64个移相状态...
关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT) 数字移相器 微波单片集成电路(MMIC) 宽带 高功率 
大功率倒装单片集成LED芯片的自隔离散热技术被引量：2
《半导体技术》2021年第7期565-571,共7页吴林枫 唐文婷 陈宝 易翰翔 李玉珠 王保兴 蔡勇 
提出采用自隔离散热技术解决大功率倒装单片集成LED芯片散热与绝缘之间的矛盾问题。基于自隔离散热技术原理,利用微纳加工技术,通过在AlN陶瓷基板上生长隔离金属岛制备自隔离散热基板。采用多胞串并联网络结构设计大功率倒装单片集成LE...
关键词：自隔离散热技术 大功率倒装单片集成LED 光输出功率 插墙效率 热阻 
基于GaN FET的LED微显示单片集成技术研究进展
《半导体技术》2021年第6期426-433,共8页涂睿 刘宏宇 孙润光 厉凯 艾世乐 汤昊 
江西省自然科学基金资助项目(20192BAB207034)。
发光二极管(LED)微显示技术由于其潜在应用而倍受关注。与主流的基于硅基驱动器的LED微显示技术不同,采用GaN场效应晶体管(FET)驱动的LED微显示技术制作的器件具有可靠性高和制作工艺简单等优势。总结了各种GaN FET驱动LED微显示的器件...
关键词：单片集成 GaN FET 发光二极管(LED) 微型LED 微显示 
低电调电压全集成10~20GHz VCO的设计与实现被引量：4
《半导体技术》2021年第1期30-35,46,共7页高晓强 张加程 王增双 孙高勇 
研制了一款低电调电压、多频段压控振荡器(VCO)微波单片集成电路(MMIC),MMIC主要由6频段振荡电路、控制电路、译码电路等组成。将10~20 GHz的频率范围分为6个频段覆盖,从而将电调电压控制在5 V以内。基于GaAs异质结双极晶体管(HBT) 2μ...
关键词：多频段压控振荡器(VCO) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺 控制电路 38译码器 
具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4
《半导体技术》2021年第1期36-40,共5页曾志 李远鹏 陈长友 
基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和...
关键词：低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制 电流复用技术 
国产GaAs微波单片集成电路的氢中毒效应被引量：1
《半导体技术》2020年第12期976-981,共6页丁有源 黄杰 席善斌 
对基于GaAs异质结外延材料、0.15μm PHEMT工艺制造的国产低噪声放大器(LNA)和驱动放大器(DA)各3种型号的GaAs微波单片集成电路(MMIC)进行了温度为150℃、H2体积分数为2%、时间为100 h的氢气氛暴露试验。试验结果表明,低噪声放大器和驱...
关键词：GaAs 微波单片集成电路(MMIC) 低噪声放大器(LNA) 驱动放大器(DA) 氢中毒 可靠性 
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