灰化

作品数：555被引量：1656H指数：15
导出分析报告
相关领域：理学更多>>
相关作者：崔承镇刘圣烈常建军唐纲岭胡清源更多>>
相关机构：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司京东方科技集团股份有限公司中芯国际集成电路制造(北京)有限公司上海华力微电子有限公司更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家科技支撑计划更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 主题=光刻x
共 条 记 录，以下是1-10
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
基于Oxide有源层四次光刻工艺中光刻胶的灰化特性研究
《真空科学与技术学报》2021年第4期369-374,共6页欧凤 蒋雷 王尖 李广圣 谢超 王运均 张杨 黄学勇 
在基于Oxide有源层四次光刻工艺中,研究了增强型电感耦合等离子体干法刻蚀设备对光刻胶的灰化特性。通过正交实验分析了O2流量、功率和压力对光刻胶灰化速率、均一性和横向、纵向损失量的影响趋势。实验结果表明,O_(2)流量对光刻胶纵向...
关键词：四次光刻 增强型电感耦合等离子体 光刻胶 灰化 
各膜层对光刻胶灰化的影响被引量：2
《液晶与显示》2015年第4期616-620,共5页白金超 张光明 郭总杰 郑云友 袁剑峰 邵喜斌 
研究各膜层对灰化速率的影响,增强对灰化工艺的了解,为四次光刻工艺改善提供参考。采用探针台阶仪测量在相同灰化条件下不同膜层样品的灰化速率和有源层损失量,对结果进行机理分析和讨论。实验结果表明:有源层会降低灰化速率,源/漏金属...
关键词：薄膜晶体管阵列工艺 四次光刻 光刻胶 灰化 
O_2/SF_6气氛下光刻胶灰化反应的机理研究被引量：4
《真空科学与技术学报》2012年第12期1109-1113,共5页徐大林 丁欣 侯智 刘祖宏 郑载润 刘锋 
光刻胶的大面积灰化是TFT工艺的核心工艺之一,本文研究了在增强型电容耦合射频放电模式下,SF6比例对光刻胶灰化率的影响,并建立表面反应模型对此进行解释。研究表明,纯O2气体中加入少量SF6,能够有效提高等离子中氧原子浓度和活化光刻胶...
关键词：光刻胶 增强型电容耦合射频放电 灰化 光谱分析 表面反应模型 
后段工艺干法去除光刻胶研究
《电子与封装》2011年第6期23-26,共4页赖海长 郭兴龙 
干法去胶是用等离子体将光刻胶剥除,相对于湿法去胶,干法去胶的效果更好、速度更快。在现代集成电路制造中,干法去胶工艺加氟可有效地提高去除光刻胶的能力,特别是在离子注入之后的去胶工艺,含氟气体产生的氟离子可以防止光刻胶硬化。...
关键词：光刻胶 去胶 灰化 灰化率 
液晶阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究被引量：5
《真空科学与技术学报》2008年第4期291-294,共4页刘翔 王章涛 崔祥彦 邓振波 邱海军 
光刻胶的灰化是TFT四次光刻工艺的核心工艺之一,本文研究了TFT四次光刻工艺中光刻胶的灰化工艺,得到了功率、气压、灰化气体对光刻胶灰化速率和均匀度的影响趋势。研究表明,纯O2气体对光刻胶有很好的灰化作用,但其会导致下一层金属Mo的...
关键词：薄膜晶体管 灰化 四次光刻 光刻胶 
薄膜晶体管阵列四次光刻工艺中光刻胶灰化工艺的研究被引量：7
《液晶与显示》2008年第2期183-187,共5页刘翔 王章涛 崔祥彦 邓振波 邱海军 
国家自然科学基金(No.90201004)
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一。初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀...
关键词：薄膜晶体管 四次光刻 光刻胶 灰化 
ViPR^TM全湿法、无灰化光刻胶剥离工艺——ZETA^R G3系统的应用之一
《半导体技术》2006年第9期I0001-I0004,共4页
动机及ViPR工艺概况 近期，业界在减少制造过程中晶圆表面硅和氧化硅的损耗总量方面已经做出了较大的努力，硅在工艺中的损耗可能会导致器件电气性能的下降，如图[1]。同样也已验证，灰化处理会造成晶圆表面的氧化和无序化，并且会导...
关键词：剥离工艺 全湿法 光刻胶 G3系统 氧化硅 电气性能 
全湿法、无灰化的全新去胶技术
《集成电路应用》2006年第8期51-51,共1页Jeff Butterbaugh 
在集成电路（IC）制造中，需要多次重复去除掩模用光刻胶这一步骤，因此清洁、高效地去胶工艺非常重要。90nm高性能逻辑器件的制造过程使用超过30次光刻工艺。从晶圆表面去除光刻胶的能力在很大程度是由光刻胶性质和工艺历史决定的。在...
关键词：集成电路 全湿法 离子注入工艺 表面去除 去胶工艺 制造过程 光刻胶 光刻工艺 
FSI发布全新用于无灰化、湿法光刻胶去除ViPR^TM工艺技术
《电子与封装》2006年第4期48-48,共1页
2006年3月20日，FSI国际有限公司向全球发布全新的ViPR^TM技术。这项创新技术省去了绝大多数已注入光刻胶去除所需的灰化工艺步骤，包括1×10^7离子／厘米。等离子掺杂（PLAD）光刻胶．这项ViPR技术适用于FSI全新的ZETA G3喷雾清洗平台。
关键词：工艺技术 FSI 光刻胶 灰化 去除 湿法 离子掺杂 有限公司 工艺步骤 创新技术 
离心旋转喷雾式清洗技术
《半导体技术》2006年第3期I0001-I0004,共4页
应用．前段光刻胶去除和灰化后清洗．自对准多晶硅化物去除．后段灰化后清洗．凸块制程中．
关键词：清洗技术 喷雾式 旋转 离心 硅化物 自对准 光刻胶 灰化 去除 晶圆 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部