激光再结晶

作品数：8被引量：2H指数：1
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相关期刊：《微电子学与计算机》《电子学报》《中国激光》《Journal of Semiconductors》更多>>
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低温多晶Si TFT-LCD技术
《真空电子技术》2002年第6期32-35,共4页杨庆祥 张凤翙 
介绍了大面积低温多晶Si薄膜晶体管液晶显示技术的发展水平。最近 ,低温多晶Si薄膜晶体管业已取得很大进展 ,比如高质量多晶Si薄膜的受激准分子激光退火 (激光再结晶 )工艺 ,大面积掺杂用离子掺杂工艺 ,以及低温原子团簇射式化学汽相沉...
关键词：低温 多晶硅 薄膜晶体管液晶显示 受激准分子激光退火 激光再结晶 簇射式化学汽相沉积 
反射条结构激光再结晶SOI的微结构研究
《电子学报》1996年第8期15-18,共4页刘峥 邵贝羚 李永洪 王红卫 杨景铭 钱佩信 
用平面和横断面电子显微术研究了反射条结构激光再结晶ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）的微结构和微缺陷，实验观察表明，正常工艺条件下，经激光再结晶处理后硅膜可分为三个不同的区域：中间为单晶区，膜面取向为［１...
关键词：SOI 激光再结晶 微结构 微缺陷 
微电子学、集成电路
《中国无线电电子学文摘》1996年第3期40-45,共6页
关键词：微电子学 三维集成电路 量子电子器件 激光再结晶 K接口 制造工艺 半导体材料 实验装置 工艺过程 电子学报 
激光单条扫描定域再结晶SOI技术研究被引量：1
《电子学报》1996年第2期22-27,共6页王红卫 杨景铭 钱佩信 
国家攀登计划研究课题
本文描述了用于制作三维集成电路（３Ｄ－ＩＣ）的激光再结晶工艺的实验装置和工艺过程，报道了反射条结构样品的单条扫描定域再结晶的实验结果并作了相应的讨论。实验表明，再结晶质量与激光功率、预热温度、高反区条宽以及激光扫描速...
关键词：三维 集成电路 SOI 激光再结晶 制造工艺 
热传导在激光再结晶中的作用
《微电子学与计算机》1995年第2期46-47,共2页王红卫 杨景铭 栾洪发 钱佩信 
本文借助于计算机模拟，定性分析了热传导对于形成反射条结构激光再结晶过程中温度双峰分布的重要作用。结果表明，影响再结晶质量的激光功率、高反区条宽以及反射率差等因素是通过热传导过程相互制约的。
关键词：SOI 硅 激光再结晶 热传导 
金属薄片上无定形硅(SOM)的激光再结晶研究
《中国激光》1990年第7期416-419,411,共5页林成鲁 邢昆山 陈莉芝 许学敏 谭松生 邹世昌 
以CW Ar^+激光对非晶硅再结晶得到了SOM(Silicon on Metal)多晶硅新材料。其晶粒大小为10×40μm^2,杂质分布均匀,电学性能大大改善.用这种SOM材料已制备成功在1bar压力范围内灵敏度为6mV/V的性能良好的压力传感器。
关键词：激光 非晶硅 再结晶 SOM 
退火对Ar^+激光再结晶多晶硅/二氧化硅界面性质的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》1989年第3期217-221,共5页陈坚 黄信凡 鲍希茂 
本文对CW Ar^+激光再结晶SOI结构材料进行了氢等离子体退火和CW CO_2激光退少.结果表明,两种退火方法都可以明显地降低背界面的界面态陷阱密度.氢等离子体处理对晶粒间界引入的界面态退火效果更显著,而CO_2激光辐照对应力引入的界面态...
关键词：薄膜 激光加工 半导体界面 结晶 
激光再结晶SOM材料及压力传感器研究
《电子学报》1989年第1期108-111,共4页邢昆山 许学敏 林成鲁 陈莉芝 谭松生 邹世昌 
用CW Ar^+激光对B^+注入(60keV,5×10^(15)cm^(-2))非晶硅SOM材料进行辐照再结晶,获得了高灵敏度的压阻材料,其GF在30左右。结晶后的晶粒增大到10μm×40μm,且杂质分布均匀,电学性质大大提高。用该材料制备的桥路压力传感器,灵敏度为6m...
关键词：压力 传感器 SOM 压阻材料 
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