高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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复合负反馈技术在宽带有源微波冷噪声源中的应用
《微波学报》2024年第2期30-34,共5页崔博 董帅 王振占 王文煜 
国家自然科学基金(42105130)。
针对C波段宽带有源微波冷噪声源设计中输出低温噪声性能与工作带宽的矛盾,文中选用Avago公司的ATF38143型GaAs基赝掺杂高电子迁移率晶体管(pHEMT)设计了一款C波段宽带有源微波冷噪声源。采用串、并联负反馈电路拓扑结构,在保证低温噪声...
关键词：有源微波冷噪声源 微波辐射计 定标 遥感 高电子迁移率晶体管 
一种频率与带宽可调的可重构射频滤波器芯片
《微波学报》2024年第1期87-92,共6页骆银松 李智鹏 吕俊材 曾荣 吕立明 
本文基于0.25μm砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管工艺设计实现了一款频率与带宽皆可调的有源可重构滤波器芯片。该滤波器采用了双通道信道化拓扑结构,每个通道由两级可调谐振器与三级宽带放大器交叉级联构成,通过对通道内各级谐振器频率...
关键词：可重构滤波器 信道化结构 砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 
DC-3GHz连续波10W超宽带功率放大器设计被引量：2
《微波学报》2020年第S01期183-186,共4页倪帅 杨卅男 
利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用非均匀分布式放大电路结构,通过微波设计软件优化电路中功率器件的最佳栅宽和静态直流工作...
关键词：超宽带 GAN高电子迁移率晶体管 非均匀分布式放大器 高功率 
基于GaAs pHEMT工艺的Ka频段双通道开关滤波器芯片被引量：5
《微波学报》2020年第2期14-17,22,共5页李鹏亮 吴欢 张大为 徐鑫 
传统的毫米波开关滤波器组件通常基于分立器件或分立芯片,已无法满足快速发展的毫米波频段通信系统特别是5G通信系统的小型化、轻量化需求。为此,文中采用0.25μm GaAs pHEMT工艺,设计并实现了一款工作在Ka频段的双通道开关滤波器芯片...
关键词：砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 KA频段 双通道 开关滤波器 微波单片集成电路 
基于GaN HEMT多倍频程高效率功率放大器设计被引量：1
《微波学报》2018年第2期51-55,共5页王永贺 文进才 孙玲玲 王龙 吕佳梅 
国家自然科学基金(61674047,61331006);浙江省自然科学基金(LY16F040004)
使用GaN HEMT功率器件,设计了一款多倍频程高效率功率放大器。利用负载牵引技术分析输入功率、偏置电压、工作频率对功率器件输出阻抗的影响,从而寻找出满足宽带性能的最优阻抗区域;输入、输出匹配网络采用了切比雪夫多节阻抗变换器的...
关键词：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 多倍频程 高效率 功率放大器 5G 
一款Ku波段GaAs PHEMT低噪声放大器被引量：2
《微波学报》2017年第4期80-84,共5页韩克锋 李建平 
面向微波毫米波低噪声放大电路对高性能低噪声放大器件的需求,进行0.15μm栅长GaAs PHEMT低噪声器件制备工艺的开发,在制备工艺中采用了欧姆特性优异的复合帽层欧姆接触、低寄生电容的介质空洞栅结构以及高击穿电压的双槽结构。在此基...
关键词：砷化镓赝晶高电子迁移率晶体管 介质空洞 寄生电容 噪声系数 带宽 
L波段宽带低温低噪声放大器的设计与测量被引量：1
《微波学报》2015年第6期54-58,共5页何川 王自力 王生旺 吴志华 刘玲玲 
国家自然科学基金(11473060)
高电子迁移率晶体管（HEMT）的小信号等效电路低温模型是研制致冷低噪声放大器（LNA）与研究晶体管微波特性的基础。该文通过测量HEMT器件在低温环境下直流参数与散射参数（S参数）,构建了包含噪声参量的小信号等效电路,并据此设计了一...
关键词：低噪声放大器 低温 高电子迁移率晶体管 小信号模型 噪声温度 
高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器被引量：9
《微波学报》2012年第6期80-83,92,共5页戴永胜 李平 孙宏途 徐利 
国家重点基础研究发展计划"973"计划(2009CB320200);国家国防重点实验室基金(9140C1402021102)
介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB...
关键词：数字衰减器 微波单片集成电路 砷化镓 超宽带 赝配高电子迁移率晶体管 
毫米波AlGaN/GaN HEMT交流特性研究被引量：1
《微波学报》2012年第6期12-15,共4页程知群 靳立伟 冯志红 
浙江省自然科学基金资助项目(Z1110937)
毫米波频段已经成为AlGaN/GaN HEMT研究的一个发展趋势。利用器件仿真软件TCAD,对AlGaN/GaN HEMT交流特性进行了研究。从势垒层的Al组分和厚度两个参数分析了器件特征频率变化趋势。用TCAD仿真得到的AlGaN/GaN HEMT器件本征S参数,在ADS...
关键词：势垒层 ALGAN GAN高电子迁移率晶体管 频率特性 
一种单光子探测器前置超宽带低噪声放大器的设计
《微波学报》2012年第6期57-61,共5页程广明 郭邦红 郭建军 李振华 魏正军 
广东省自然科学基金重点项目(10251063101000001);武汉光电国家实验室委托项目(0231187073)
为了进一步提高单光子探测器的性能,设计并研制了利用高电子迁移率晶体管基于混合集成负反馈结构的低成本、超宽带、低噪声前置放大器,并利用ADS软件对该放大器进行了优化和仿真。该放大器工作频段5MHz～6GHz,功率增益19.5±0.61dB,噪...
关键词：单光子探测器 低噪声放大器 pHEMT(赝高电子迁移率晶体管) 负反馈 
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