高电子迁移率

作品数：658被引量：844H指数：9
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基于70 nm InP HEMT工艺的230~250 GHz低噪声放大器设计被引量：2
《红外与毫米波学报》2023年第1期37-42,共6页刘星 孟范忠 陈艳 张傲 高建军 
国家自然科学基金项目(62201293,62034003)。
基于70 nm InP HEMT工艺,设计了一款五级共源放大级联结构230~250 GHz低噪声太赫兹单片集成电路(TMIC)。该放大器采用扇形线和微带线构成栅极和源极直流偏置网络,用以隔离射频信号和直流偏置信号;基于噪声匹配技术设计了放大器的第一级...
关键词：铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 低噪声放大器(LNA) 太赫兹集成电路(TMIC) 
基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计被引量：2
《红外与毫米波学报》2022年第6期1037-1041,共5页陈艳 孟范忠 方园 张傲 高建军 
国家自然科学基金(62034003)。
基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为...
关键词：铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT) 功率放大器(PA) 太赫兹集成电路(TMIC) 
大尺寸Si基GaN HEMT外延薄膜的生长被引量：1
《现代信息科技》2022年第16期58-61,共4页鲁德 戴一航 梁利彦 周昆楠 
通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法,在6英寸硅(111)衬底上生长了出制作高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)的无裂纹、高均匀性且翘曲度可控的GaN HEMT外延薄膜。通过引入双层AlN/Al_(0.3)Ga_(0.7)N超晶格和...
关键词：ALGAN/GAN异质结 高电子迁移率晶体管 二维电子气 应力控制层 外延生长 
肖特基型p-GaN栅极电致发光研究被引量：1
《深圳大学学报（理工版）》2021年第3期227-231,共5页邱然 刘禹涵 李百奎 
国家自然科学基金资助项目(61604098);深圳大学科研启动基金资助项目(860-000002110207)。
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升...
关键词：光学工程 氮化镓 功率电子器件 高电子迁移率场效应管 常关型 栅极工程 电致发光 
碳基纳电子的新进展(续)
《微纳电子技术》2020年第12期949-962,共14页赵正平 
4 GFET MMIC大面积的CVD和外延石墨烯材料以及RF GFET的进展为石墨烯单片集成电路(MMIC)的发展奠定了材料和器件基础,由于石墨烯器件具有特有的双极性能、高电子迁移率、二维电子气、弹道输运以及独特的电子和机械性能等特性,目前石墨...
关键词：二维电子气 高电子迁移率 外延石墨烯 混频器 MMIC 双极性 弹道输运 整流器 
具有高击穿电压的AlN背势垒AlGaN/GaN/AlN HEMT材料
《微纳电子技术》2019年第9期704-708,719,共6页王波 高楠 郭艳敏 尹甲运 张志荣 袁凤坡 房玉龙 冯志红 
国家自然科学基金青年科学基金资助项目（61804139）;国家重点研发计划资助项目（2016YFB0400203)
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在4英寸(1英寸=2.54cm)蓝宝石衬底上制备了1.2μm厚的AlN背势垒的AlGaN/GaN/AlN双异质结高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,其AlGaN势垒层表面粗糙度(RMS)、二维电子气(2DEG)迁移率以及HEMT材料的弯曲...
关键词：氮化镓(GaN) 铝镓氮(AlGaN) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 背势垒 高电子迁移率晶体管(HEMT) 
级联结构氮化镓功率器件及其在无线电能传输系统中的应用被引量：3
《电源学报》2019年第3期38-43,共6页钱洪途 朱永生 邓光敏 刘雯 陈敦军 裴轶 
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402900)~~
为了进一步提升电能转换效率,介绍了一款基于650 V氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT(gallium nitride high electron mobility transistor)的共栅共源级联(cascode)结构开关管及其在无线电能传输方面的应用。在GaN HEMT器件设计方面,...
关键词：氮化镓 高电子迁移率晶体管 级联结构 无线电能传输 
D波段InP基高增益低噪声放大芯片的设计与实现（英文）被引量：2
《红外与毫米波学报》2019年第2期144-148,共5页刘军 吕昕 于伟华 杨宋源 侯彦飞 
Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)
利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,...
关键词：InAlAs/InGaAs/InP 赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs) 90nm 单片微波集成电路(MMIC) 放大器 D波段 
RTD-gated HEMT研究进展
《信息技术与网络安全》2018年第9期4-8,12,共6页朱长举 
高电子迁移率晶体管和谐振隧穿二极管是两种常用的高频器件,已经广泛应用于微波射频领域。由于太赫兹科学技术对国防科技、信息安全、农业生产等方面具有重要意义,这两种器件的应用范围逐渐渗透到太赫兹频段中。谐振隧穿二极管型栅控高...
关键词：高电子迁移率晶体管 太赫兹 谐振隧穿二极管 等离子体 
HEMT器件小信号等效电路低温模型的提取与分析被引量：4
《低温物理学报》2014年第2期126-130,共5页何川 王生旺 李斌 王自力 吴志华 
国家自然科学基金(批准号:11078003)资助的课题~~
高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号等效电路模型是研制低噪声放大器与分析晶体管微波特性的基础.本文通过测量HEMT器件在低温环境下(10K、77K)直流参数与散射参数(S参数),提出了一种能够直接提取低温环境下HEMT器件小信号等效电路中各...
关键词：高电子迁移率晶体管 直流参数 小信号模型 微波特性 低温 
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