暗电流

作品数：437被引量：969H指数：13
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高速大像素CMOS图像传感器中钳位光电二极管形状设计的研究进展
《半导体技术》2024年第6期514-523,共10页张文轩 程正喜 
采用钳位光电二极管(PPD)的CMOS图像传感器,由于其优异的性能,已成为图像传感领域中占主导地位的技术。然而,更大尺寸PPD的应用在电荷传输速度和效率方面存在挑战,特别是在微光、高速探测的场景中,传统的像素设计难以满足必要的性能标...
关键词：CMOS图像传感器 大尺寸像素 横向电场 电荷转移 暗电流 
4×44H-SiC紫外雪崩光电二极管阵列
《半导体技术》2020年第7期519-523,共5页许婧 周幸叶 谭鑫 吕元杰 李佳 梁士雄 冯志红 
国家自然科学基金资助项目(61974134;61674130)。
碳化硅(SiC)雪崩光电二极管(APD)固态紫外(UV)探测器在很多领域具有重要的潜在应用价值。针对4H-SiC APD阵列目前面临的像元良率较低和击穿电压一致性差等问题,基于吸收电荷倍增分离结构,设计制备了一款4×4的4H-SiC APD阵列芯片,并对...
关键词：4H-SIC 雪崩光电二极管(APD) 紫外(UV)探测器 阵列 暗电流 
光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道被引量：2
《半导体技术》2018年第3期216-220,共5页陈奇 王国政 王蓟 杨继凯 端木庆铎 
在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。...
关键词：硅微通道 光电化学腐蚀 腐蚀电流密度 电解液扩散 暗电流密度 
GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的量子阱参数设计
《半导体技术》2015年第7期521-524,530,共5页张世伟 齐利芳 赵永林 李宁 
量子阱参数如势阱宽度、势垒高度和阱中的掺杂浓度决定了阱中的能级分布及光学吸收,它和量子阱红外探测器(QWIP)的响应波长、暗电流、响应率、探测率等特性参数密切相关。为了使设计的QWIP达到预期的各种性能指标,对其各参量进行了精心...
关键词：量子阱红外探测器(QWIP) 暗电流 光谱响应 探测率 双色 
雪崩光电二极管芯片自动测试系统
《半导体技术》2015年第6期473-477,共5页杨红伟 张岩 齐利芳 尹顺政 
利用Keithley 2400源表、AV6381可编程光衰减器、AV 38124 1 550 nm单模半导体激光器和TZ-608B型光电屏蔽探针台搭建雪崩光电二极管芯片自动测试系统。在Labview环境下开发了自动测试软件,通过软件控制测量仪表,实现了雪崩光电二极管芯...
关键词：雪崩光电二极管芯片 击穿电压 穿通电压 暗电流 测试系统 
InP基异质结界面暗电流C-V测试分析
《半导体技术》2008年第9期769-771,779,共4页林琳 刘英斌 陈宏泰 王晶 崔琦 
采用电化学C-V测试方法,测量分析了InP/InGaAs/InP外延结构的I-V特性,对异质结界面的电学性质进行了表征和分析。采用LP-MOCVD生长技术,对不同界面生长条件的三种样品进行了I-V和XRD测试,得到了InP向InGaAs界面转换采用中断生长、InGaAs...
关键词：暗电流 电化学C-V I-V特性 异质结界面 
改进器件工艺降低硅光电探测器暗电流被引量：1
《半导体技术》1996年第4期48-51,共4页朱光华 郑国祥 
为降低硅光电探测器ｐ－ｎ结反向暗电流，可在器件制作工艺中采用一系列完美晶体器件工艺ＰＣＤＴ。在实施过程中，作者对吸除工艺、应力补偿工艺等作了改进，进一步降低了反向暗电流。
关键词：硅光电探测器 暗电流 吸除工艺 应力补偿工艺 
Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流-温度特性及其比较
《半导体技术》1991年第6期33-37,共5页丁国庆 
1 前言 Ge-APD及InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD都可以用来探测1.1～1.6μm的红外光。在长波长光纤通信系统中,需要波长为1.3～1.55μm的红外光探测器。在该光通信系统中,通过光纤入射到探测器光敏面的平均光功率一般在0.1μW～10μW范围...
关键词：红外探测器 暗电流 Ge-APD 温度 
全离子注入平面型锗光电探测器(Ge-PD)的暗电流-温度特性
《半导体技术》1989年第5期24-28,共5页丁国庆 
本文从理论上计算了未封装的φ90μmGe-PD的暗电流随温度的变化率小于0.10/℃,实验结果与计算值基本相符.指出了该温度特性优于同等结构的硅器件;用环氧树脂耦合封装的Ge-PD,其暗电流随时间变化率大于未封装的器件管芯.封装材料和方法...
关键词：离子注入 锗 光电探测器 温度特性 
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