半导体场效应晶体管

作品数：328被引量：449H指数：9
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SiC MOSFET的质子单粒子效应
《半导体技术》2024年第7期654-659,共6页史慧琳 郭刚 张峥 李府唐 刘翠翠 张艳文 殷倩 
国家自然科学基金(U2167208,U2267210);中核集团青年英才基金项目(11FY212306000801)。
SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在深空探测领域具有广阔的应用前景,但空间质子引发的单粒子效应(SEE)对航天器稳定运行造成了严重威胁。对平面栅结构与非对称沟槽栅结构的SiC MOSFET进行了能量为70、100与200 MeV的质子辐照...
关键词：碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 单粒子烧毁(SEB) 电离效应 辐射损伤 
基于各向异性导电膜的射频SP8T开关无损测试
《半导体技术》2024年第1期97-102,共6页睢林 曹咏弘 王耀利 张凯旗 张翀 程亚昊 
为了解决射频器件无损测试的难点,基于各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构,设计并实现了射频器件无损测试技术。针对表面贴装式GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET)单刀八掷(SP8T)开关,该测试技术使用ACF-Z轴连接结构实现器件与测试板的...
关键词：射频器件 无损测试 各向异性导电膜Z轴(ACF-Z)连接结构 GaAs金属半导体场效应晶体管(MESFET) 单刀八掷(SP8T)开关 插入损耗 
SiC MOSFET单粒子漏电退化的影响因素被引量：1
《半导体技术》2023年第11期972-976,984,共6页秦林生 汪波 马林东 万俊珺 
上海市自然科学基金资助项目(20ZR1435700)。
高压功率器件是未来航天器进一步发展的关键,对SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)等高压大功率器件的抗辐射研究亟待突破。在不同偏置条件下对器件的单粒子效应(SEE)进行实验,结果表明,SiC MOSFET单粒子漏电退化效应与漏源电...
关键词：SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 单粒子效应(SEE) 漏电退化 漏源电压 离子注量 
TPAK SiC车用电机控制器功率单元的并联均流设计与实现
《半导体技术》2023年第9期755-763,共9页张泽 谭会生 戴小平 张驾祥 严舒琪 
湖南省学位与研究生教学改革研究项目(2022JGYB183)。
SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为车用电机控制器功率单元的核心器件,其并联不均流问题是影响电机控制器安全稳定运行的关键因素。对于热增强塑料封装(TPAK)SiC MOSFET功率模块实际应用中的不均流问题,首先通过理论推导...
关键词：热增强塑料封装(TPAK) SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 电机控制器 寄生参数 并联均流 
车用SiC半桥模块并联均流设计与试制被引量：2
《半导体技术》2022年第10期809-816,838,共9页安光昊 谭会生 戴小平 张泽 
湖南省教育厅科学研究重点资助项目(20A163)。
SiC芯片并联均流是影响车用SiC半桥模块可靠性的关键问题。寄生电感的不一致是造成芯片间电流不均衡的主要原因。首先,在ANSYS Simplorer中建立了芯片双脉冲仿真电路,分别研究了漏极、源极和栅极寄生电感对芯片间均流性的影响。然后,采...
关键词：SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 并联均流 寄生电感 直接覆铜(DBC)基板 封装结构 
6.5 kV SiC MOSFET的优化及开关特性
《半导体技术》2022年第8期612-620,共9页魏晓光 张文婷 申占伟 田丽欣 孙国胜 杨霏 
国家电网公司总部科技项目(5500-202058402A-0-0-00)。
优化设计了电力系统用6.5 kV SiC MOSFET,测得该器件的导通电流为25 A,阻断电压为6800 V,器件的巴利加优值(BFOM)达到925 MW/cm^(2)。基于感性负载测试电路测试了器件的高压开关瞬态波形。在此基础上,借助仿真软件构建6.5 kV SiC MOSFE...
关键词：碳化硅(SiC) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) 开关瞬态 栅电荷 栅极电压振荡 
SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)被引量：1
《半导体技术》2022年第4期249-265,287,共18页赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸...
关键词：SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块 
SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2
《半导体技术》2022年第3期161-178,共18页赵正平 
进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸...
关键词：SIC单晶 SiC二极管 SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT) SiC门极关断晶闸管(GTO) SiC功率模块 
氮退火对SiC MOSFET静态电参数的影响被引量：1
《半导体技术》2022年第3期217-221,236,共6页高秀秀 柯攀 戴小平 
湖南省科技创新计划项目(2018XK2202)。
为了研究栅氧化后退火工艺条件对金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)静态电参数的影响并分析实验数据,对栅氧化层采用不同温度、时间和气体进行氮退火,制备了n沟道4H-SiC双注入MOSFET(DIMOSFET)。对制备的DIMOSFET在结温25℃和175...
关键词：4H-SIC 双注入金属-氧化物-半导体场效应晶体管(DIMOSFET) 界面陷阱 沟道迁移率 库仑散射 温度指数 TCAD仿真 
超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续)被引量：1
《半导体技术》2021年第2期81-103,共23页赵正平 
3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效...
关键词：金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路 
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