P型

作品数：1858被引量：2987H指数：18
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液相外延碲镉汞中砷离子注入与激活表征研究
《半导体光电》2023年第4期568-572,共5页卢致超 林春 王溪 李珣 孙权志 
As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂。在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法。针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助...
关键词：液相外延 碲镉汞 As离子注入 激活率 弱p型退火 
Ag与p型GaP欧姆接触的表面特性分析
《半导体光电》2023年第3期417-421,共5页罗彩任 汤英文 赵世彬 
应用光学国家重点实验室开放基金项目(SKLA02021001A11)。
在p型GaP表面制作Ag电极,并利用退火环境令金属和半导体的接触界面产生良好的欧姆接触。通过扫描电子显微镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)以及X射线光电子能谱(XPS)的表征分析与对比,研究了不同退火环境对欧姆接触表面特性的影响。结果表明...
关键词：p型GaP 欧姆接触 表面特性 
AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列技术研究进展被引量：1
《半导体光电》2022年第3期430-437,共8页王颖 王振 
AlGaN紫外探测器及其焦平面阵列具有本征可见光盲特性,并可实现无需滤光片的日盲探测,且为全固态器件,是紫外探测技术的一个重要发展方向。文章介绍了AlGaN紫外探测器与焦平面阵列的研究现状及其存在的问题。在此基础上,分析了AlGaN雪...
关键词：ALGAN 日盲紫外 焦平面阵列 外延生长 P型掺杂 
GaN基近紫外激光器研究现状与进展被引量：1
《半导体光电》2022年第3期451-460,共10页李亚钦 刘建平 田爱琴 李方直 胡磊 李德尧 杨辉 
国家重点研发计划项目(2017YFE0131500);广东省重点研发计划项目(2020B090922001);国家自然科学基金项目(61834008);江苏省重点研发计划项目(BE2020004,BE2021008-1);广东省基础与应用基础研究基金项目(2019B1515120091)。
氮化镓(GaN)基近紫外激光器(UVA LD,320~400 nm)在紫外固化、3D打印以及医疗等领域具有广泛应用。文章首先概述了GaN基UVA LD的国内外研究现状与关键技术挑战,然后分析了如何从外延生长与结构设计的角度,解决AlGaN的应力调控、高效p型...
关键词：近紫外激光器 氮化镓 应力调控 P型掺杂 极化电场 
p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的热稳定性研究被引量：1
《半导体光电》2020年第2期242-246,共5页左秉鑫 曾昭烩 李祈昕 李叶林 刘宁炀 赵维 陈志涛 李云平 
广州珠江科技新星项目支持项目(201806010087).
研究了p型GaN上Pd/NiO/Al/Ni反射电极欧姆接触的比接触电阻率、热稳定性,以及光学反射率。与传统Pd/Al/Ni电极相比,Pd/NiO/Al/Ni电极的欧姆接触在氮气环境中经300℃下热处理10min后,仍保持低比接触电阻率(小于5×10-4Ω·cm2)和高反射率...
关键词：GAN 电极材料 欧姆接触 热稳定性 倒装紫外LED芯片 
基于有机p型掺杂电荷产生层制备叠层式白光OLED的研究
《半导体光电》2016年第3期309-312,330,共5页付相杰 刘俊 何谷峰 
基于新型有机p型掺杂的电荷产生层,制备了叠层式白光有机发光二极管(OLED)。有机p型掺杂层具有很高的导电率,可以在不影响器件电学特性的前提下,通过改变该层的厚度来优化白光OLED的器件性能,调节器件的光色。与传统白光OLED相比,文章...
关键词：有机p型掺杂 电荷产生层 叠层式 有机发光二极管 
掺硼p型晶硅太阳电池LID恢复研究被引量：4
《半导体光电》2016年第2期154-160,共7页陈健生 董方 杨德仁 包大新 赵锋 傅晓敏 
随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高,由于光致衰减(LID)造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理,前者光衰幅度极大下降,后者光衰得到很好的恢复,并...
关键词：p型晶硅 光致衰减 光辐照 光衰恢复 钝化发射区和背表面电池 
氧敏化对多晶PbSe薄膜结构和电学性能的影响被引量：1
《半导体光电》2016年第2期223-228,共6页郑尚喆 程建荣 郑建邦 
国家级大学生创新创业训练项目(201410699048)
利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜,研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SEM测试表明,制备的多晶PbSe薄膜为(200)晶面优先生长的面心立方结构,其经高温氧敏化后在微晶表面和晶界处...
关键词：硒化铅 多晶薄膜 P型 敏化过程 
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究被引量：2
《半导体光电》2016年第2期229-231,237,共4页王凯 邢艳辉 韩军 赵康康 郭立建 于保宁 李影智 
国家自然科学基金项目(61204011;11204009;6107026);国家自然科学基金重点基金项目(U103760);北京市自然科学基金项目(4142005)
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先,对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究,研究发现在较低46cm^3/min的CP_2Mg源流量下,晶体质量和导电性能都有所改善,获得了较高空穴浓度,为8.73×10^...
关键词：薄膜 P型GAN Delta掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 
Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响被引量：2
《半导体光电》2014年第5期850-854,共5页周勋 罗木昌 赵文伯 黄烈云 
对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与...
关键词：P型GAN 欧姆接触 Ni/Au电极 Ni层厚度 
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