SI-GAAS

作品数：50被引量：23H指数：3
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相关作者：刘彩池孙卫忠徐岳生王海云李国辉更多>>
相关机构：中国科学院河北工业大学北京师范大学西安理工大学更多>>
相关期刊：《半导体技术》《北京师范大学学报（自然科学版）》《核技术》《电子器件》更多>>
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大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期133-136,共4页赵彦桥 刘彩池 郝秋艳 孙卫忠 
国家自然科学基金(批准号:60276009)和河北工业大学博士科研启动基金资助项且
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品中缺陷的类型、密度和分布等情况进行了描述和讨论.
关键词：SI-GAAS 化学腐蚀法 位错 微缺陷 
半绝缘GaAs衬底中AB微缺陷对MESFET器件性能的影响被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第1期72-77,共6页徐岳生 付生辉 刘彩池 王海云 魏欣 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 0 9);中国人民解放军总装备部预研资金 (批准号 :0 0JS0 2.2.1QT45 0 1);河北省自然科学基金 (批准号 :5 990 3 3 )资助项目~~
研究了LEC法生长SI GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能 (跨导、饱和漏电流、夹断电压 )的影响 .用AB腐蚀液显示AB微缺陷 (AB EPD :10 3 ～ 10 4cm-2 量级 ) ,用KOH腐蚀液显示位错 (EPD :10 4cm-2 量级 ) ,发现衬底上的AB微缺...
关键词：LEC SI-GAAS 位错 AB-EPD 跨导 饱和漏电流 夹断电压 
半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷被引量：6
《Journal of Semiconductors》2003年第7期718-722,共5页徐岳生 张春玲 刘彩池 唐蕾 王海云 郝景臣 
国家自然科学基金 (批准号 :5 9972 0 0 7);中国人民解放军总装备部资助项目 (Nos.0 0 J5 0 2 ;2 .1.QT45 0 1);科技部攀登计划 (No.2 0 0 0 J5 0 4);河北省自然科学基金 (No.5 990 3 3 )资助项目~~
通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和 X射线异常透射形貌等技术 ,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷 .实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于 75 mm的半绝缘砷化镓单晶在晶体周边区域 ,一般都有由...
关键词：SI-GAAS 微缺陷 位错 
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：7
《Journal of Semiconductors》1998年第8期635-638,共4页曹福年 卜俊鹏 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种...
关键词：SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测 
PICTS方法研究SI-GaAs中深能级缺陷性质被引量：1
《Journal of Semiconductors》1992年第1期1-7,共7页龚大卫 陆昉 孙恒慧 
国家自然科学基金
本文用 PICTS方法配合退火实验对各种 LEC SI-GaAs材料的缺陷进行了测量,对照文献已有的各种结果,分析和讨论了一些缺陷的成因和可能结构.认为其中的W_1 可能是与As_(Ga)有关的 EL3缺陷,W_4为热应力产生的缺陷.P_1 与V_(Ga)有关.在原生...
关键词：SI-GAAS 深能级 缺陷 PICTS法 测量 
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