SI/SIGE

作品数：59被引量：59H指数：4
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Waveguide Simulation of a THz Si/SiGe Quantum Cascade Laser
《Journal of Semiconductors》2008年第5期893-897,共5页陈锐 林桂江 陈松岩 李成 赖虹凯 余金中 
国家自然科学基金(批准号:50672079,60576001 ,60676027);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB613400)资助项目~~
The waveguide design is one of the most important parts in a terahertz quantum cascade laser（QCL）. Si/SiGe QCL waveguides, based on the Drude model and finite-difference time-domain （FDTD） method, are designed by ...
关键词：TERAHERTZ SI/SIGE quantum cascade laser WAVEGUIDE 
P型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器的能带设计
《Journal of Semiconductors》2008年第4期785-788,共4页邓和清 林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 
国家自然科学基金(批准号:50672079;60336010;60676027);国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB613400)资助项目~~
提出p型张应变Si/SiGe量子阱红外探测器(QWIP)结构,应用k.p方法计算应变Si/SiGe量子阱价带能带结构和应变SiGe合金空穴有效质量.结果表明量子阱中引入张应变使轻重空穴反转,基态为有效质量较小的轻空穴态,因此p型张应变Si/SiGe QWIP与n...
关键词：张应变 锗硅量子阱 红外探测器 
硅基波导共振增强型光电探测器的设计与模拟被引量：5
《Journal of Semiconductors》2006年第8期1476-1479,共4页陈荔群 李成 
福建省青年科技人才创新基金(批准号:2004J021);回国留学人员基金;集成光电子学国家重点实验室;国家自然科学基金(批准号:60336010)资助项目~~
SiGe是间接带隙材料,吸收系数非常小,因而SiGe探测器在红外波段的量子效率很低.本文提出一种新型的探测器结构,即波导共振增强型光电探测器,该器件主要由两个介质布拉格反射镜和波导吸收区构成,器件尺寸较传统波导型探测器大为减小,吸...
关键词：Si/SiGe波导共振增强型 探测器 
太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第5期916-920,共5页林桂江 赖虹凯 李成 陈松岩 余金中 
国家自然科学基金(批准号:60576001;60336010);福建省青年科技人才创新基金(批准号:2004J021)资助项目~~
使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利...
关键词：SI/SIGE 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano^3 
Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第9期1123-1127,共5页马通达 屠海令 邵贝羚 陈长春 黄文韬 
为了研究失配应变的弛豫机理 ,利用高分辨电子显微镜 (HREM)对超高真空化学气相沉积 (U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察 .发现此多层结构中存在 6 0°位错和堆垛层错 .结合 Ma...
关键词：Si/SiGe—OI应变异质结构 高分辨显微结构 失配位错 弛豫机理 
Optimization Design and Fabrication of Si/SiGe PMOSFETs
《Journal of Semiconductors》2001年第11期1434-1438,共5页杨沛锋 李竞春 于奇 陈勇 谢孟贤 杨谟华 何林 李开成 谭开洲 刘道广 张静 易强 凡则锐 
模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 (合同号 :99Js0 95 .1)~~
Through the theoretical analysis and computer simulation,the optimized design principles for Si/SiGe PMOSFETs are given,including the choice of gate materials,the determination of Ge percentage and the profile in SiGe...
关键词：SIGE MOSFET OPTIMIZATION 
Carrier Depth Profile of Si/SiGe/Si n-p-n HBTStructural Materials Characterized by Electrochemical Capacitance- Voltage Method
《Journal of Semiconductors》2000年第11期1050-1054,共5页林燕霞 黄大定 张秀兰 刘金平 李建平 高飞 孙殿照 曾一平 孔梅影 
Si/SiGe/Si n\|p\|n HBT structural materials have been grown by gas source molecular beam epitaxy with disilane, solid Ge, diborane and phosphine as sources. The materials are of good structural properties. The effecti...
关键词：GSMBE ECV 锗化硅 结构材料 HBJ 
用气态源分子束外延生长法制备Si/SiGe/Sinpn异质结双极晶体管被引量：4
《Journal of Semiconductors》2000年第2期142-145,共4页刘学锋 李晋闽 孔梅影 黄大定 李建平 林兰英 
国家九五攻关项目
用气态源分子束外延法制备了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉｎｐｎ 异质结双极晶体管．晶体管基区Ｇｅ 组分为０．１２，Ｂ掺杂浓度为１．５×１０１９ｃｍ － ３，ＳｉＧｅ合金厚度约４５ｎｍ ．直流特性测试表明，共发射极直流放大倍数约５０...
关键词：异质结 双极晶体管 硅 锗化硅 外延生长 
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