SOI工艺

作品数：82被引量：86H指数：5
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基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现
《固体电子学研究与进展》2024年第3期258-263,共6页顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 常瑞恒 
国家重点研发计划资助项目(2021YFB3202700)。
绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了...
关键词：绝缘体上硅 阈值电压 漏电流 短沟道 栅诱导漏极泄漏电流 
基于45 nm SOI工艺的超宽带毫米波单刀双掷开关的设计
《固体电子学研究与进展》2018年第4期262-267,273,共7页韦俞鸿 黄冰 孙晓玮 张润曦 张健 
国家自然科学基金资助项目(61731021);2016GlobalFoundries大学合作项目
提出了基于GlobalFoundries 45nm SOI工艺的布局紧凑的宽带毫米波单刀双掷开关。设计包括了采用串并结构的全频段单刀双掷开关以及采用两级晶体管并联的Ka波段通带单刀双掷开关。设计中采用共面波导串联短截线,实现小尺寸的电感。此外,...
关键词：单刀双掷开关 超宽带 45nm绝缘体上硅 负体偏置 
高压SOI工艺SCR ESD保护器件研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2017年第5期355-360,共6页陈富涛 陶绪友 季惠才 
针对ESD保护器件SCR的维持电压和触发电压难以调整的问题,设计了一种SCR版图形式,这种新型的SCR版图形式可以将维持电压和触发电压进行最优化的调整,同时不改变原有的高压工艺的特点。从而解决了在高压ESD保护领域,使用SCR做ESD保护器...
关键词：静电放电 可控硅整流元件 维持电压 触发电压 
0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究被引量：1
《固体电子学研究与进展》2014年第5期460-464,共5页周昕杰 于宗光 田海燕 陈嘉鹏 
国家"十二五"微电子预研基金资助项目(5130802XXXX)
随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严重。特别是对高频数字电路而言,单粒子翻转效应(SEU)及单粒子瞬态扰动(SET)会导致数据软错误。虽然以往...
关键词：辐照效应 辐射加固 触发器 绝缘体上硅工艺 
基于CMOS SOI工艺的射频开关设计被引量：7
《固体电子学研究与进展》2014年第2期142-145,162,共5页蒋东铭 陈新宇 许正荣 张有涛 
采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻...
关键词：互补金属氧化物半导体 绝缘衬底上硅 射频开关 驱动器 集成 
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