SOI技术

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基于UTB-SOI技术的双辅助触发SCR ESD防护器件研究
《微电子学》2023年第6期1109-1113,共5页张效俊 成建兵 李瑛楠 孙旸 吴家旭 
国家自然科学基金资助项目(61274080)
为了提高FDSOI ESD防护器件的二次击穿电流,基于UTB-SOI技术,提出了一种SOI gg-NMOS和寄生体硅PNP晶体管双辅助触发SCR器件。通过gg-NMOS源区的电子注入和寄生PNP晶体管的开启,共同辅助触发主泄放路径SCR,快速泄放ESD电流。TCAD仿真结...
关键词:全耗尽绝缘体上硅 静电放电 双辅助触发 二次击穿电流 
SOI技术——21世纪的硅集成技术被引量:8
《微电子学》2001年第1期1-5,共5页伍志刚 凌荣堂 
SOI技术作为 2 1世纪的硅集成技术 ,越来越受到人们的关注。文章从寄生电容、闭锁效应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详细讨论了 SOI器件对体硅器件的优势 ,并讨论了当前
关键词:SOI SIMOX 硅集成技术 微电子 
抓住机遇发展SOI技术被引量:1
《微电子学》1993年第2期8-14,共7页夏立生 
综述了国内外SOI技术的发展状态,探讨了在我国发展SOI技术所面临的问题和解决途径。
关键词:SOI SOS 绝缘体上硅 集成电路 
用于辐照加固器件的ELO SOI技术
《微电子学》1991年第2期77-80,56,共5页LiuS.T. 秦邻 
本文讨论了制作绝缘体上硅(SOI)结构的外延横向过生长技术(ELO),并通过在SOI结构上制作的nMOS晶体管验证ELO SOI材料质量和器件总剂量加固性能。在SOI结构上制作的nMOS晶体管显示出了好的辐射特性,例如,发现剂量为10~5戈瑞(硅)的辐射诱...
关键词:半导体器件 辐射加固器件 ELO SOI 
区熔再结晶SOI技术
《微电子学》1989年第5期37-42,共6页Bor-Yeu Tsaur 张晓松 
前言 特征尺寸不断缩小,每块芯片上的元件数目不断增加,这是硅集成电路(IC)发展的基本趋势。目前商品化VLSI芯片的最小特征尺寸大约为1μm,每块芯片上的元件数大约为100万个。在快到1990年的时候,我们将能看到亚微米特征尺寸和数百万至...
关键词:SOI技术 区溶再结晶 半导体材料 
发展中的绝缘体上硅材料技术被引量:1
《微电子学》1989年第5期1-7,共7页蔡永才 
在高可靠、抗核加固IC和亚微米CMOSFET VLSI电路应用中,绝缘体上硅 (SOI)是一种很有前途的材料技术。本文对形成SOI的各种技术及其优缺点和目前状况以及未来前景作了评述。对国内的SOI研究作了简单的介绍。
关键词:绝缘体上硅 半导体材料 SOI技术 
适合集成电路生产的SIMOX SOI
《微电子学》1989年第5期8-13,共6页Hon Wai Lam 倪沛然 
由于SIMOX SOI(氧离子注入隔离绝缘体上硅膜材料)能很好地满足当今的集成电路要求,并能同传统的集成电路制造兼容,它越来越广泛地用于集成电路(IC)的生产。本文介绍SIMOX的这些特性及其当前的应用。
关键词:集成电路 SIMOX SOI技术 
多次氧注入在制作SOI双极集成电路方面的应用
《微电子学》1989年第5期14-18,共5页Dale G.platteter 郭树田 
本文介绍用多次(低剂量)注氧的SOI衬底制作双极集成电路得到的辐射响应的改进情况。用这种衬底制作的双极74ALS00门电路与相同的体硅电路相比,对总剂量和剂量率辐射响应有所改进。
关键词:集成电路 双极 SOI技术 注氧 
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