SOS

作品数：1170被引量：955H指数：13
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改性的薄SOS膜CMOS器件辐射加固特性
《Journal of Semiconductors》2005年第7期1406-1411,共6页刘忠立 李宁 高见头 于芳 
利用注硅固相外延的方法对0.2μmSOS薄硅膜材料进行改性,并制作了单管pMOSFET,nMOSFET及54HC04电路.测量了单管的迁移率,并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验,发现用改性后的SOS薄硅膜材料制作的电路,不仅具有同标准0.5μmSOS...
关键词：固相外延 改性 SOS薄硅膜 CMOS器件 
双异质外延Si/Al_2O_3/Si薄膜制作的CMOS器件
《Journal of Semiconductors》2004年第7期823-830,共8页昝育德 王俊 李瑞云 韩秀峰 王建华 于芳 刘忠立 王玉田 王占国 林兰英 
报道了利用高真空 MOCVD外延生长 γ氧化铝的技术和利用 SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延 Si/ γ-Al2 O3/ Si单晶薄膜以及用其研制 Si/ γ- Al2 O3/ Si CMOS场效应晶体管、Si/ γ- Al2 O3/ Si
关键词：外延 CMOS SOS EEACC 2560 
Growth of Thin Silicon on Sapphire (SOS) Film Materials and Device Applications被引量：1
《Journal of Semiconductors》2000年第6期521-528,共8页王启元 聂纪平 刘忠立 郁元桓 
The increasing emphasis on the sub\|micron CMOS/SOS devices has placed a demand for high quality thin silicon on sapphire (SOS) films with thickness of the order 100-200nm. It is demonstrated that the crystalline qua...
关键词：SILICON epitaxial growth solid phase epitaxy 
γ-Al_2O_3/Si(100)薄膜高真空MOCVD异质外延生长被引量：5
《Journal of Semiconductors》1998年第12期886-889,共4页昝育德 王俊 韩秀峰 王玉田 王维民 王占国 林兰英 
国家计委"八五"重大基金;国家计委"九五"重大基金
本文作者在自己组装的立式ＭＯＣＶＤ设备上，成功地应用高真空生长技术，于１０５０℃的高温条件下，在硅上外延生长了γ－Ａｌ２Ｏ３薄膜．从ＲＨＥＥＤ看到（１００）硅上生长的薄膜是（１００）立方单晶γ－Ａｌ２Ｏ３的衍射图样；...
关键词：MOCVD 外延生长 SOS 硅 
蓝宝石上硅膜(SOS)肖特基结注入电流检测的电子自旋共振及Si/Al_2O_3界面缺陷
《Journal of Semiconductors》1993年第11期712-714,共3页傅济时 吴恩 秦国刚 朱美栋 郁元桓 
国家自然科学基金
我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一各向同性非对称的磁共振谱,经拟合它由线宽10^(-3)T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前者是硅悬挂键,后者为非晶硅...
关键词：蓝宝石 硅膜 界面 缺陷 检测 共振 
抑制SOS MOSFET漏电措施的研究被引量：1
《Journal of Semiconductors》1993年第6期381-384,共4页张兴 石涌泉 路泉 黄敞 
经过大量的实验研究,我们从材料制备、版图设计及工艺过程等方面总结摸索出了一套能够有效抑制SOS器件漏电的措施,这主要包括双固相外延技术、环形栅技术、反应离子刻蚀形成硅岛工艺及背沟道注入工艺。采用这些措施之后,沟道长度为2μm...
关键词：场效应晶体管 漏电措施 MOSFET 
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