CMOS技术

作品数:220被引量:76H指数:4
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德国研发出世界首个n型/p型极性可编程的锗晶体管被引量:1
《半导体信息》2017年第1期9-10,共2页
德国德累斯顿技术大学研究团队演示了世界首个n型/p型极性可编程的锗晶体管,且能够抑制截止状态漏电流。与当前的CMOS技术相比,该晶体管的实现有望降低集成电路中晶体管数量。
关键词:锗晶体管 可编程 极性 P型 N型 世界 德国 CMOS技术 
英国市场研究公司Technavio提出功率放大器三大趋势
《半导体信息》2016年第5期5-6,共2页
英国市场研究公司Technavio最近发布报告称,全球功率放大器市场主要有三个发展趋势:晶圆尺寸增大;初创企业采用CMOS技术;国防领域的高速放大器需求逐渐增大。报告还预测2016年至2020年,功率放大器市场的年复合增长率(CAGR)将接...
关键词:功率放大器 市场 英国 CMOS技术 高速放大器 晶圆尺寸 发展趋势 增长率 
欧盟为5G打造Ⅲ-Ⅴ族CMOS技术
《半导体信息》2016年第2期19-20,共2页
欧盟(E.U.)最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOSSoC技术整合III—V族纳米半导体”(INSIGHT)研发计划,这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体(CMOS)上整合III-V族晶体管通道。其最终目的...
关键词:CMOS技术 欧盟 互补金属氧化物半导体 技术整合 纳米半导体 规格要求 雷达系统 III 
富士通开发32nm低功耗CMOS技术
《半导体信息》2008年第6期31-31,共1页孙再吉 
关键词:nm 富士通微电子 技术计划 日本富士通 制造工序 电源电压 联合开发 PMOS 微传感器 NMOS 
基于CMOS技术的硅基LED
《半导体信息》2007年第4期21-21,共1页孙再吉 
关键词:直接带隙半导体 荧光效应 光互连 硅薄膜 化合物半导体 LED 薄膜层 转换效率 硅器件 研究中心 
瑞萨科技为45nm工艺SoC开发出低成本CMOS技术
《半导体信息》2007年第2期21-22,共2页程文芳 
关键词:瑞萨科技 CMOS技术 SoC nm 金属栅 栅长 硅栅 待机电流 系统级芯片 绝缘膜 
飞利浦与IMEC成功开发出65nm CMOS技术的器件
《半导体信息》2004年第3期34-34,共1页刘广荣 
飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。
关键词:nm CMOS技术 IMEC 缩小版 纳米电子 研究中心 门极 电气性能 氧化层厚度 结深 副总裁 
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