CMP工艺

作品数:32被引量:96H指数:6
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相关机构:河北工业大学中国科学院微电子研究所无锡华润上华科技有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
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CMP工艺晶圆表面颗粒去除问题的研究被引量:1
《电子工业专用设备》2023年第1期28-30,64,共4页李岩 于静 戴豪 钱震坤 
CMP之后晶圆表面颗粒数目是CMP工艺的一项关键指标。针对Si CMP之后的清洗效果,分析了晶圆表面亲疏水性、清洗液浓度方面对清洗效果的影响。结果表明通过一定浓度的清洗液清洗抛光之后晶圆能取得较好的表面颗粒数量,满足工艺需求。
关键词:化学机械平坦化(CMP) 清洗液 颗粒度 
基于仿真分析的设备微环境控制技术被引量:1
《电子工业专用设备》2021年第3期8-11,共4页杨师 史霄 杨元元 李龙飞 王洪宇 
论述了一种基于仿真分析的半导体设备内部空间气流路径、紊流位置、各分区风压的闭环反馈系统及结构,目的在于使设备能够自动净化内部空间气体,防止颗粒凝结,从而达到控制并改善半导体设备内部微环境的目的。
关键词:集成电路 芯片 微环境 CMP工艺 
基于TSV技术的CMP工艺优化研究被引量:5
《电子工业专用设备》2019年第4期1-4,64,共5页张康 李婷 刘小洁 高跃昕 刘宜霖 
TSV技术是实现集成电路3D封装互连、降低RC延迟和信号干扰、改善芯片传输速度及功耗的有效方法。基于TSV技术的CMP工艺主要用于通孔大马士革铜工艺淀积后的正面抛光和晶圆背面TSV结构的暴露及平坦化工艺,分步抛光工艺匹配技术具有去除...
关键词:硅通孔技术 化学机械平坦化 通孔 工艺匹配 
PG-510型单面抛光机的研制被引量:4
《电子工业专用设备》2010年第8期11-15,19,共6页刘涛 高慧莹 罗杨 费玖海 
国家863项目(200945KY02)
介绍了针对蓝宝石衬底表面纳米级抛光工艺而研制的PG-510单面抛光机的主要结构及其性能特点,简要论述了抛光过程中各工艺参数的控制方案,并通过实验验证了设备的主要性能指标,能够满足蓝宝石衬底表面纳米级抛光的工艺要求。
关键词:蓝宝石 纳米级抛光 CMP工艺 
CMP工艺流程控制策略综述(英文)
《电子工业专用设备》2007年第10期1-9,13,共10页Lakshmanan Karuppiah Bogdan Swedek Mani Thothadri Wei-yung Hsu Thomas Brezoczky Avi Ravid 
化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不...
关键词:化学机械抛光 测量技术 综合测量 CMP工艺控制趋势 
高速全晶圆薄膜厚度均匀图像在CMP工艺快速评定中的应用(英文)
《电子工业专用设备》2004年第9期78-82,共5页Jerry Liu 
应用高速度、高点密度熏覆盖全晶圆的薄膜检测仪得到的膜厚均匀图像来对CMP工艺进行快速评定。高点密度、全晶圆的膜厚均匀图像能即时显现出CMP工艺中的非对称性膜厚均匀问题并为根源分析和工艺改进提供快速反馈。对一些用常规的稀疏抽...
关键词:薄膜 检测设备 CMP 全晶圆 膜厚均匀图像 膜厚非均匀性 
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