氧化锌薄膜

作品数：407被引量：1194H指数：17
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钛镓合掺氧化锌半导体薄膜的制备及其性能研究被引量：2
《化工新型材料》2016年第8期62-65,共4页钟志有 陆轴 龙路 顾锦华 龙浩 
国家自然科学基金(11504436);湖北省自然科学基金(2015CFB364);中央高校基本科研业务费专项资金(CZW14019;CZW15045)
采用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上制备钛镓合掺氧化锌(TGZO)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针和透射光谱等方法测试表征,研究了衬底温度对薄膜微观结构、晶粒生长和光电综合性能的影响。结果表明:TGZO薄膜具有高度的c轴择优取向生长特...
关键词：氧化锌薄膜 射频磁控溅射 微观结构 
多孔金属氧化物半导体薄膜的制备及光催化性能被引量：3
《硅酸盐学报》2016年第5期720-725,共6页吴朵朵 鲍艳 马建中 田万乐 
以垂直蒸发沉积法制备的聚苯乙烯(PS)胶态晶体为模板,采用溶胶–凝胶法制备多孔ZnO和TiO_2薄膜,分别考察其对罗丹明B(Rh B)溶液的光催化降解效果。使用扫描电子显微镜观察PS胶态晶体以及多孔ZnO和TiO_2薄膜的形貌,以紫外–可见吸收光谱...
关键词：聚苯乙烯胶态晶体 多孔氧化锌薄膜 多孔氧化钛薄膜 光催化降解 
镓锌氧化物半导体薄膜的晶粒生长特性及其微结构研究被引量：1
《中南民族大学学报（自然科学版）》2016年第1期75-80,共6页钟志有 陆轴 龙路 康淮 
湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB418);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(CZW14019)
采用Zn O:Ga3O2高密度陶瓷靶作为溅射源材料,利用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了镓锌氧化物(Ga Zn O)半导体薄膜.基于X射线衍射仪的测试表征,研究了薄膜厚度对Ga Zn O样品晶粒生长特性和微结构性能的影响.研究结果表明:所制备的Ga ...
关键词：磁控溅射 氧化锌薄膜 晶粒生长 微结构 
掺碳氧化锌薄膜的铁磁性
《赤峰学院学报（科学教育版）》2011年第11期138-139,共2页李蕊 
福建省自然科学基金（2011J05122）
采用磁控溅射方法在Al2O3（0001）和Si（100）衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3（0001）单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si（100）...
关键词：稀磁半导体 掺碳氧化锌 铁磁性 
掺碳氧化锌薄膜的铁磁性
《赤峰学院学报（自然科学版）》2011年第11期138-139,共2页阮凯斌 刘银春 吴义炳 
福建省自然科学基金(2011J05122)
采用磁控溅射方法在Al2O3(0001)和Si(100)衬底上制备掺碳氧化锌薄膜,溅射薄膜时衬底温度为550°C.实验结果显示,制备的掺碳氧化锌薄膜样品在Al2O3(0001)单晶衬底上结晶质量更好.在室温下,所制备的薄膜皆出现铁磁性,且在Si(100)衬底上制...
关键词：稀磁半导体 掺碳氧化锌 铁磁性 
磁控溅射法制备Ag掺杂p型ZnO薄膜的研究被引量：1
《半导体技术》2010年第3期225-227,232,共4页王莉 何俊刚 陈环 刘志宇 傅刚 
采用磁控溅射法在石英玻璃基片上生长ZnO和ZnO:Ag薄膜。借助于SEM、XRD、霍尔测试、透射谱测试等方法,分析了O2气氛下退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。霍尔测试结果表明,Ag掺杂ZnO薄膜经过600℃的O2气氛中热处理转变为p型电导。薄...
关键词：氧化锌薄膜 银掺杂 P型半导体 磁控溅射 霍尔测试 
P型半导体氧化锌薄膜的Raman光谱研究被引量：2
《光散射学报》2009年第1期29-36,共8页孔晋芳 沈文忠 
国家自然科学基金重点项目(10734020)
本文主要对超声喷雾热解方法生长在本征Si衬底上的N-In共掺的p型ZnO薄膜的Raman光谱进行了研究。通过洛仑兹(Lorentz)模型和等离子激元与纵光学声子耦合模理论模型拟合不同浓度下的室温Raman光谱,我们对样品的Raman峰进行了指认;同时也...
关键词：P型ZNO薄膜 RAMAN光谱 耦合模 声子衰变 态密度 
一种氧化锌薄膜的制备方法
《无机盐工业》2006年第12期28-28,共1页
本发明涉及一种氧化锌薄膜的制备方法，属于半导体光电与器件领域。首先将锌盐、乙二胺溶于去离子水中，并用氢氧化钠溶液调节pH至10．50～12．00，制备成薄膜生长反应液，然后将处理过的基片平置于陶瓷加热板上，浸入到制备好的薄膜生...
关键词：氧化锌薄膜 制备方法 氢氧化钠溶液 薄膜生长 半导体光电 反应液 去离子水 加热温度 
半导体技术——脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展
《中国学术期刊文摘》2006年第14期5-5,共1页何建廷 庄惠照 薛成山 田德恒 吴玉新 赵婧 刘亦安 薛守斌 胡丽君 
基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现，ZnO薄膜成为新的研究热点．综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积（PLD）技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响，ZnO薄膜的厚度在超过400nm时，呈现出了近似块状的性质．采用PLD技术，可...
关键词：半导体技术 脉冲激光沉积 氧化锌薄膜 衬底温度 氧分压 
氧化锌掺钴磁性半导体
《科技信息》2006年第02X期27-27,共1页黄银生 刘俊杰 
采用真空磁溅射方法制备了氧化锌掺钴薄膜。利用XRD检测了样品的结构，结果表明样品只有ZnO的衍射峰出现，没有钴或钴的化合物等杂质存在，说明样品只包含有单项ZnO，结果还进一步表明掺杂的部分钴取代了部分辞的位置，利用VSM所作的分...
关键词：磁控溅射 掺杂 氧化锌薄膜 磁性半导体 
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