ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：龚海梅吕英唐恒敬李雪沈光地更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学北京工业大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=传感技术学报x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
应用于MOEMS集成的TSV技术研究被引量：3
《传感技术学报》2019年第5期649-653,共5页胡正高 盖蔚 徐高卫 罗乐 
国家自然科学基金项目(61701486);国家科技重大专项项目(2018ZX02103)
硅通孔(TSV)通过缩短互连长度可实现低延迟、低功耗等目的。对应用于微光机电系统(MOEMS)集成的TSV工艺进行了研究,通过ICP-DRIE参数优化获得了陡直TSV通孔;通过金-金键合及bottom-up法,实现了TSV的无缺陷填充;对填充后的TSV进行电学表...
关键词：硅通孔(TSV) 微光机电系统(MOEMS) ICP刻蚀 键合 电镀 
基于多晶硅填充的TSV工艺制作被引量：3
《传感技术学报》2017年第1期59-63,共5页王文婧 何凯旋 王鹏 
硅通孔(TSV)技术用于MEMS器件可实现器件结构的垂直互联,达到减小芯片面积、降低器件功耗等目的。对TSV结构的刻蚀和填充工艺进行了研究,通过优化ICP刻蚀工艺参数获得了端口、中部、底部尺寸平滑减小、深宽比大于20∶1的硅通孔;利用LPCV...
关键词：MEMS TSV ICP刻蚀 LPCVD 无缝填充 绝缘特性 
ICP刻蚀硅形貌控制研究被引量：11
《传感技术学报》2011年第2期200-203,共4页刘欢 周震 刘惠兰 冯丽爽 王坤博 
国家自然科学基金项目(50875015)
硅的刻蚀形貌控制是MEMS器件加工中的关键技术之一,形貌控制是硅表面刻蚀和钝化反应取得平衡的结果,任何影响刻蚀和钝化反应的因素都会影响到刻蚀形貌。采用中科院微电子研发中心研制的基于化学平衡原理的ICP-98A等离子刻蚀机,对ICP刻...
关键词：ICP刻蚀 硅 形貌控制 bowing效应 工艺参数 
Pyrex玻璃的ICP刻蚀技术研究被引量：4
《传感技术学报》2008年第4期556-558,共3页江平 侯占强 彭智丹 肖定邦 吴学忠 
国家自然科学基金项目资助(50375154)
以SF6/Ar为刻蚀气体,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀Pyrex玻璃,研究气体流量、射频功率对刻蚀速率及刻蚀面粗糙度的影响。采用正交实验方法找出优化的实验参数,得到Pyrex玻璃刻蚀速率为106.8nm/min,表面粗糙度为Ra=5.483nm,实验发现增...
关键词：ICP刻蚀 MEMS Pyrex玻璃 实验设计 
用于微惯性器件的ICP刻蚀工艺技术被引量：8
《传感技术学报》2006年第05A期1381-1383,共3页卓敏 贾世星 朱健 张龙 
在微惯性器件加工中,ICP深硅刻蚀技术主要用于梳齿结构的释放.工艺试验中的梳齿结构的最细线条尺寸为2μm,刻蚀深度为40μm,刻蚀的深宽比为20∶1,接近刻蚀设备A601E的加工极限.为了提高刻蚀精度,减小根切和底切效应,本文介绍了一种实现...
关键词：微惯性器件 ICP刻蚀 底切 根切 分步工艺 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部