ICP刻蚀

作品数：93被引量：215H指数：7
导出分析报告
相关领域：电子电信更多>>
相关作者：龚海梅吕英唐恒敬李雪沈光地更多>>
相关机构：中国科学院厦门大学北京工业大学中国科学院大学更多>>
相关期刊：更多>>
相关基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家杰出青年科学基金更多>>
-
在结果中检索

检索结果分析

结果分析中...
选择条件：
  • 期刊=半导体光电x
共 条 记 录，以下是1-5
全选清除导出
参考文献引证文献引用追踪
视图：
排序：
ICP刻蚀对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响被引量：4
《半导体光电》2018年第2期216-220,共5页李雅飞 李晓良 马英杰 陈洁珺 徐飞 顾溢 
国家自然科学基金项目(61775228)
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀,研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明,光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关,压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性,Cl2/Ar...
关键词：ICP刻蚀 CL2/AR Cl2/BCl3 光刻胶碳化变性 刻蚀图形侧壁 
ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响
《半导体光电》2017年第1期61-65,69,共6页操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗毅 乔辉 
国家自然科学基金项目(11304335)
研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退,表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电阻率增加。分析认...
关键词：ICP干法刻蚀 碲镉汞光导材料 刻蚀气压 电学特性 
ICP腔室压力对AlGaN表面刻蚀损伤的影响被引量：1
《半导体光电》2013年第1期79-83,87,共6页周勋 田坤 赵文伯 龙维刚 
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相互关系,并讨论了低温热退火对ICP刻蚀损伤的修复作用。XPS测试结果表明,与未经刻蚀的AlGaN表面相比,ICP刻...
关键词：高Al组分AlGaN ICP刻蚀 XPS 表面损伤 低温热退火 
ICP刻蚀p-GaN表面微结构GaN基蓝光LED被引量：4
《半导体光电》2008年第1期6-9,15,共5页张贤鹏 韩彦军 罗毅 薛小琳 汪莱 江洋 
国家自然科学基金项目(60536020;60390074);国家"973"计划项目(2006CB302801;2006CB302804;2006CB302806;2006CB921106);国家"863"计划项目(2006AA03A105);北京市科委重大计划资助项目(D0404003040321)
采用基于Cl2/Ar/BCl3气体的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制作了p-GaN表面具有直径3μm、周期6μm的二维圆孔微结构GaN基蓝光LED,研究了刻蚀深度对光荧光(PL)和发光二极管(LED)光电特性的影响。结果表明,刻蚀深度为25 nm的表面微结构,...
关键词：氮化镓基发光二极管 表面微结构 ICP干法刻蚀 湿法腐蚀 
Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究进展被引量：2
《半导体光电》2005年第4期274-279,共6页马丽娜 郭霞 沈光地 
国家"973"计划项目(20000683002);北京市科委重点项目(D0404003040221)
随着Ⅲ族氮化物半导体材料研究的发展,Ⅲ族氮化物的图形刻蚀技术也得到了广泛研究。对Ⅲ族氮化物的各种刻蚀技术进行了详细总结和对比,包括湿法腐蚀、RIE刻蚀I、CP刻蚀等,并对目前Ⅲ族氮化物刻蚀技术的研究热点进行了较为深刻的分析。
关键词：Ⅲ族氮化物 湿法腐蚀 ICP刻蚀 
全选清除导出
共1页<1>
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部