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IEDM上逻辑器件面对面
《集成电路应用》2009年第1期32-33,共2页David Lammers 
在一篇延期提交N2008国际电子器件会议（IEDM）的论文中，来自Intel公司的研究人员讨论了该公司的32nm技术平台，并介绍了基于锑化铟（InSb）的pFET，其性能创造了新的纪录。来自IBM的研究人员则将在IEDM上展示22nm的SRAM测试芯片，此...
关键词：逻辑器件 IEDM Intel公司 技术平台 研究人员 电子器件 SRAM 锑化铟 
英特尔计划在IEDM上推出32纳米工艺
《中国集成电路》2008年第11期5-5,共1页
在即将举行的2008年IEEE国际电子器件大会（IEDM）上，英特尔公司计划发布其最新的用在高性能处理器上的32纳米工艺技术。根据IEDM文件，英特尔公司建立了一个基本的32纳米、291兆比特的SRAM阵列测试芯片，单元尺寸为0．171平方微米。...
关键词：英特尔公司 纳米工艺 IEDM 高性能处理器 电子器件 IEEE 32纳米 SRAM 
恩智浦半导体与台积电于国际电子器件会议(IEDM)发表七项半导体创新技术
《电子技术应用》2008年第1期16-16,共1页
2007年12月13日，由飞利浦创建的独立半导体公司恩智浦半导体（NXP Semiconductors）与台湾积体电路制造股份有限公司于美国华盛顿特区（Washington D．C．）举行的国际电子器件会议（International Electron DevicesMeeting，IEDM）上...
关键词：半导体公司 创新技术 电子器件 台积电 国际 半导体技术 积体电路 TSMC 
IEDM重装上阵Ⅱ——用MEMS工艺制作高性能的片上电感
《集成电路应用》2007年第3期30-30,共1页汪辉 
中国大陆对IEDM　2006的另一个贡献来自于中国科学院上海微系统与信息技术研究所的李昕欣小组。他们的论文标题很长，＂A Post-CMOS Concave-Suspending MEMS Process in Standard Silicon Wafers for High- Performance SolenoidaI-DNA...
关键词：MEMS工艺 工艺制作 片上电感 IEDM 性能 CMOS工艺 SILICON 重装 
IEDM重装上阵I——面向RF IC的新型片上电感
《集成电路应用》2007年第1期12-12,共1页汪辉 
2006年12月11日．IEDM在美国旧金山如期举行．在这次半导体器件的盛会上．经过一年的沉寂．中国大陆的研究人员重整旗鼓．再度贡献两项高质量的研究成果。也许是一种巧合．它们的作者都是2004年取得突破的IEDM先锋．即清华大学的任天令...
关键词：IEDM 片上电感 RFIC 重装 半导体器件 研究成果 研究人员 中国大陆 
IEDM的初体验
《集成电路应用》2006年第11期10-10,共1页汪辉 
历史长达53年的IEDM（International Electron Devices Meeting）是IEEE旗下的王牌会议之一。IEDM的召开时间固定在每年12月的第二个星期．会议地点则在美国华盛顿特区和旧金山市之间轮换。业界的各个研究单位．包括大公司的研发部门。...
关键词：IEDM 化合物半导体 Devices MEMORY CMOS工艺 IEEE 旧金山市 研究机构 
IEDM大会展现微米/纳米电子技术方面的进步被引量：1
《今日电子》2004年第2期3-3,共1页
关键词：IEDM 电子皮肤 应变硅 存储器 微米电子技术 纳米电子技术 
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