MBE

作品数：367被引量：417H指数：8
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基于NiO/GaN核壳纳米柱阵列异质结的高性能自供电紫外光电探测器
《半导体技术》2025年第5期443-448,共6页唐鑫 柳志成 江弘胜 李国强 
国家重点研发计划(2022YFB3604500,2022YFB3604501)。
针对紫外光电探测器在自供电模式下光探测性能差的难题,提出了一种基于NiO/GaN核壳结构的纳米柱阵列异质结的自供电紫外光电探测器。采用分子束外延(MBE)法制备了分立、均匀的GaN纳米柱阵列,在此基础上通过简单的高温热氧化法合成了均匀...
关键词：NiO/GaN 紫外光电探测器 纳米柱阵列异质结 分子束外延(MBE) 高温热氧化法 自供电光探测 
晶圆键合GaAs/InGaAs双结太阳电池
《半导体技术》2025年第4期365-371,共7页蒋卓宇 李娟 孔祥力 代盼 孙强健 
中国长江电力股份有限公司、三峡电能有限公司科研项目(Z152302052/Z612302016)。
为了避免直接外延生长引起晶格失配问题,利用晶圆键合技术开发了GaAs/InGaAs双结太阳电池。采用金属固态源分子束外延(MBE)生长方法,在GaAs衬底上生长GaAs顶电池,在InP衬底上生长InGaAs底电池。通过晶圆键合技术将这些子电池键合在一起...
关键词：分子束外延(MBE) INGAAS GAAS 晶圆键合 双结太阳电池 
锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展
《半导体技术》2025年第3期229-240,共12页胡德鹏 王红真 路云峰 贺训军 
国家自然科学基金(62075052)。
锑化物半导体的带隙能量覆盖了整个红外区域,为开展材料的能带工程提供了很大的自由度和灵活性。分子束外延(MBE)是一种在超高真空环境下能够高度可控地生长高纯化合物薄膜材料的技术,在III-V族化合物半导体尤其是锑化物半导体材料生长...
关键词：锑化物 半导体 分子束外延(MBE) 能带结构 生长工艺 
高Al组分AlGaN的MBE生长及表面活性机理被引量：1
《半导体技术》2020年第9期701-706,736,共7页贾浩林 杨文献 陆书龙 丁孙安 
国家自然科学基金资助项目(61574130,61804163,61674051);国家重点研发计划资助项目(2016YFC0801203,2018YFB0406600);江苏省自然科学基金资助项目(BK20180252);江西省自然科学基金资助项目(20181BAB211021,20192BBEL50033);中国科学院前沿科学重点研究计划资助项目(ZDBS-LY-JSC034)。
采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光。利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长前端的Ga原子的表面活性作用对AlGaN薄膜的生长模式、表面形...
关键词：AlGaN薄膜 光致发光(PL) Ga表面活性剂 分子束外延(MBE) 深紫外 光学特性 
TiO2/Bi2Se3复合材料的制备及光电化学性能被引量：1
《半导体技术》2020年第1期52-57,共6页王超帅 仇怀利 李思寒 张栋 沈周阳 李中军 
国家级大学生创新创业训练项目(201910359073);安徽省自然科学基金资助项目(1708085ME122)
以二氧化钛(TiO2)为衬底,利用分子束外延(MBE)法制备了高质量的拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)薄膜。实验中,Bi与Se的流量比控制在1∶10左右,制得的薄膜厚度约为50 nm。利用反射高能电子衍射仪,对在TiO2(001)衬底上生长的Bi2Se3薄膜样品表面...
关键词：拓扑绝缘体 硒化铋(Bi2Se3) 二氧化钛(TiO2) 分子束外延(MBE) 光响应 
与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能
《半导体技术》2016年第7期532-538,共7页顾俊 吴渊渊 杨文献 陆书龙 罗向东 
国家自然科学基金资助项目(61574161;61574130);江苏省自然科学基金资助项目(BK20151455)
采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAl...
关键词：分子束外延(MBE) INALN 晶格匹配 弯曲系数 表面粗糙度 
ZnSeTe薄膜的分子束外延生长被引量：1
《半导体技术》2016年第6期461-466,共6页任敬川 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
研究了用分子束外延设备在GaAs（001）衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布（x=0-1）的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品...
关键词：ZnSeTe 分子束外延(MBE) II-VI族半导体 晶体质量 电学性能 
硅基Ⅱ-Ⅵ族单结及多结太阳电池研究进展被引量：2
《半导体技术》2014年第4期241-247,共7页张理嫩 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(61376058)
Ⅱ-Ⅵ族材料具有少子寿命对位错不敏感、禁带宽度范围大及成本低等优点,分子束外延(MBE)生长的Si基Ⅱ-Ⅵ族材料可以作为新的材料体系应用于多结太阳电池中,并且开发新型Si基Ⅱ-Ⅵ族多结电池的效率有可能高于目前的Ⅲ-Ⅴ族多结电池。综述...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物材料 硅基 多结(MJ)太阳电池 分子束外延(MBE) 光伏效率 
MBE生长高2-DEG面密度InP基PHEMT外延材料被引量：1
《半导体技术》2005年第5期28-31,共4页徐静波 杨瑞霞 武一宾 
国家预研基金资助项目(51432020103QT4501);河北省自然科学基金资助项目(F2004000078);天津市自然科学基金资助项目(203801411)
利用MBE技术生长了InP基InAlAs/InGaAs PHEMT结构,使用原子力显微镜(AFM)、霍耳测试系统研究了影响二维电子气(2-DEG)面密度和电子迁移率的因素,着重分析了隔离层厚度、沟道层In组分的影响。在保持较高迁移率的基础上,生长出了高μn×ns...
关键词：MBE 外延材料 电子迁移率 2-DEG面密度 
几种改进的分子束外延(MBE)技术
《半导体技术》1990年第6期1-5,共5页郭宝增 
本文介绍了最近几年来发展的几种改进的分子束外延(MBE)生长技术,包括间隔生长技术、温度开关技术、迁移增强外延(MEE)、气源分子束外延(GSMBE)等。比较详细地介绍了它们的原理,并给出了主要实验结果。
关键词：分子束外延 MBH 生长技术 半导体 
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