MCT

作品数：323被引量：770H指数：10
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不同靶间距下非晶态碲镉汞薄膜生长及厚度均匀性研究被引量：3
《红外技术》2011年第1期13-16,共4页杨丽丽 王光华 孔金丞 李雄军 孔令德 余连杰 李凡 邓功荣 姬荣斌 
国家自然科学基金项目(项目编号:60576069)
采用射频磁控溅射法在不同靶间距下生长非晶态碲镉汞薄膜并研究其生长速率、择优取向及厚度均匀性。实验结果表明随着靶间距减小及溅射功率增加生长速率增大;不同靶间距下Hg1-xCdxTe薄膜结晶特性差距较大,择优取向为(111)方向;增大靶间...
关键词：非晶态碲镉汞(a—Hg1-x CdxTe a—MCT) 靶间距 均匀性 磁控溅射 
退火对非晶态碲镉汞薄膜微结构和光敏性的影响被引量：2
《红外技术》2010年第5期255-258,共4页李雄军 孔金丞 王光华 余连杰 孔令德 杨丽丽 邱锋 李悰 姬荣斌 
国家自然科学基金项目(编号:60576069)
对射频磁控溅射生长的非晶态碲镉汞(a-MCT)薄膜在真空状态下进行退火,并通过X射线衍射(XRD)技术指出原生及低于125℃退火后的MCT薄膜均为非晶态。采用双体相关函数g(r)和电学测试系统研究了退火对a-MCT薄膜微结构和光敏性的影响。结果表...
关键词：非晶态碲镉汞(a—MCT) 退火 双体相关函数 光敏性 
RHEED优化MBE生长中波MCT薄膜工艺被引量：1
《红外技术》2008年第12期688-692,共5页曲海成 李艳辉 苏栓 杨春章 谭英 高丽华 王善力 
在分子束外延(MBE)中波HgCdTe薄膜过程中,利用反射式高能电子衍射(RHEED)对衬底表面脱氧和生长过程中生长参数对材料特性的影响进行研究。通过观察RHEED图样的变化,确定了衬底的脱氧状况,获得了生长中衬底温度等生长参数变化引起材料结...
关键词：分子束外延 HGCDTE 反射式高能电子衍射仪 脱氧 温度 
Ar离子注入P型MCT的反型分析被引量：1
《红外技术》2008年第7期409-411,415,共4页杨春丽 杨文运 朱惜辰 
对Ar离子注入p型MCT的反型进行了分析。由于Ar离子是中性离子,注入后反型的机理是否与B离子注入到p型MCT反型机理一致?我们根据B离子注入到p型MCT的模型进行了Ar离子注入反型的假设。经过实验验证了经Ar离子注入后,退火前不显现结整流特...
关键词：Ar离子注入 MCT 反型 
一种MCT离子注入工艺的模型及其计算机模拟方法被引量：1
《红外技术》2001年第1期19-22,共4页刘向华 仲顺安 曲秀杰 
给出了一种简单而有效的碲镉汞 (MCT)离子注入工艺模型 ,研究了应用该模型进行计算机模拟的数值方法 ,最后讨论了该模型中一些重要参数的确定方法。
关键词：碲镉汞 离子注入 计算机模拟 
MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨
《红外技术》1994年第2期9-11,共3页尹敏 王开元 
重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ...
关键词：MCT芯片 红外探测器 室温电阻率 
MCT列阵光电性能参数自动测试系统
《红外技术》1992年第1期11-17,共7页邵式平 
本文介绍了霍尼威尔公司电光分部研制的MCT光电导列阵自动测试系统和洛克希德公司Palo Alto研究实验室研制的焦平面列阵光电参数的自动测试站。检测的光电性能参数包括光电响应率,响应光谱,噪声,探测器的RA乘积,响应频谱,光学串音和电...
关键词：红外探测器 焦平面 自动测试 
MCT液相外延薄膜的研制被引量：1
《红外技术》1991年第6期18-22,共5页王跃 汤志杰 庄维莎 何景福 
国家863高技术项目。
用开管水平卧式液相外延系统在不同生长条件下生长了不同 x 值的MCT 液相外延薄膜。通过对外延生长工艺的控制,外延薄膜的表面形貌有较大改善,残留母液大为减少;外延薄膜的结构参数、电学参数和光学参数均有较大改善和提高。分析表明外...
关键词：HGCDTE 液相外延 薄膜 红外材料 
MCT液相外延薄膜的生长和特性被引量：2
《红外技术》1991年第1期6-10,共5页王跃 汤志杰 庄维莎 何景福 
用开管水平液相外延系统从富Te溶剂中生长了不同x值的MCT薄膜。经X射线衍射、Hall电学参数、红外光谱、扫描电镜、X射线能谱仪和电子通道花样分析测试,结果表明:外延薄膜表面平整,光学参数较好,纵向、横向组份均匀,晶体结构完整,电学参...
关键词：液相外延 薄膜生长 碲镉汞 MTC膜 
一种测定MCT单晶表面损伤层厚度的方法——MCT多晶化形变研究之二
《红外技术》1990年第5期36-39,共4页唐家钿 杨雄超 顾里平 朱惜辰 阚家德 袁波 莫威 
介绍在对碲镉汞单晶片进行表面损伤的研究中观察到研磨会导致单晶片的多晶化和形变织构。应用X射线与单晶和多晶体的互作用原理,测定了多晶化形交层的厚度。
关键词：碲镉汞 表面损伤 厚度 测定 MCT 
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